VnReview
Hà Nội

Galaxy S6 dùng bộ nhớ siêu tốc

Theo trang tin ETNew (Hàn Quốc), Samsung Electronics đang chuẩn bị sản xuất mô-đun bộ nhớ siêu tốc UFS 2.0 NAND Flash cho Galaxy S6. Bộ nhớ này có thể truyền dẫn dữ liệu với tốc độ 1.2GB/s.

Samsung Galaxy S6 sẽ có bộ nhớ siêu tốc

Hiện các smartphone sử dụng bộ nhớ công nghệ eMMC NAND có thể đạt tốc độ truyền dẫn dữ liệu trung bình 400MB/s, đây là mức tốc độ rất nhanh, tuy nhiên bộ nhớ sử dụng công nghệ UFS còn có tốc độ cao hơn nhiều (1.2GB/s). UFS (từ viết tắt của Universal Flash Storage) sẽ kết hợp một ổ trạng thái rắn với một thẻ nhớ MMC để tiết kiệm điện năng. UFS có thể cung cấp băng thông lớn hơn trong các kết nối LTE-A. Trong khi đó mức tiêu thụ điện năng của UFS chỉ bằng một nửa so với eMMC 5.0. Samsung cũng sẽ dần thay thế thẻ SD và microSD bằng các giải pháp dựa trên công nghệ UFS.

Ngoài Samsung, Xiaomi cũng sẽ sử dụng bộ nhớ công nghệ UFS trong các thiết bị di động sắp ra mắt của họ.

Hoàng Kỷ

Theo PhoneArena

Chủ đề khác