Samsung đối mặt án phạt 1,2 tỷ USD do vi phạm bằng sáng chế công nghệ chip di động

Mới tháng trước, công ty Hàn Quốc bị tòa án yêu cầu trả 538,6 triệu USD cho Apple vì vi phạm một số bằng sáng chế liên quan đến iPhone.

Và hôm nay Samsung tiếp tục đối mặt án phạt khác do sử dụng tài sản trí tuệ từ công ty khác khi chưa được cho phép. Cụ thể hơn, Tòa án liên bang Mỹ cáo buộc Samsung đã vi phạm bằng sáng chế của KAIST IP US (Viện Khoa học và Công nghệ Tiên tiến Hàn Quốc) liên quan đến công nghệ FinFET dành cho chip xử lý.

Theo PhoneArena, số tiền Samsung phải trả cho KAIST IP US là 400 triệu USD. Nhưng vì tòa cho rằng hãng điện tử Hàn Quốc đã cố tình vi phạm nên tăng gấp 3 số tiền phạt lên 1,2 triệu USD. Ngoài Samsung, Qualcomm và GlobalFoundries Inc cũng bị phát hiện vi phạm nhưng đã tìm cách "thoát án", không bị phạt tiền.

FinFET là bóng bán dẫn dùng trong thiết kế chip xử lý sử dụng cổng điện cực có hình dáng giống vây cá ("fin" trong tiếng Anh). Công nghệ giúp mở nhiều cổng trên một bóng bán dẫn cho phép cải thiện hiệu năng, giảm lượng điện tiêu thụ trên những con chip nhỏ hơn.

Hồ sơ ghi rằng ban đầu Samsung không sử dụng FinFET vì cho rằng đây chỉ là công nghệ nhất thời, nhưng sau đó thay đổi quyết định khi Intel có bản quyền sản xuất chip dùng FinFET. Samsung sau đó phủ nhận cáo buộc, tuyên bố đã hợp tác cùng KAIST IP US để phát triển FinFET đồng thời đang xem xét kháng cáo.

Phúc Thịnh