Qualcomm công bố 2 vi xử lý tầm trung, hé lộ về Snapdragon 820

Tại Hội nghị Thượng đỉnh Toàn cầu về Viễn thông Di động đang diễn ra tại Hong Kong (3G/LTE Summit) vào hôm nay (15/9), Qualcomm đã chính thức công bố một số thông tin về 2 vi xử lý tầm trung mới, một số thông tin thêm về Snapdragon 820 và công nghệ sạc nhanh Quick Charge 3.0.

Qualcomm công bố 2 vi xử lý tầm trung, hé lộ về Snapdragon 820

Qualcomm hé lộ về SoC "khủng" Snapdragon 820 tại 3G/LTE Summit 2015

Hội nghị Thượng đỉnh 3G/LTE Summit đang diễn ra tại Hong Kong từ ngày 14 tới ngày 16/09/2015 với sự tham gia của các diễn giả là các nhà lãnh đạo cao cấp đến từ các tập đoàn công nghệ viễn thông, di động hàng đầu thế giới như Qualcomm, Microsoft, OBI Mobiles, Timex, China Telecomm, SK Telecomm... Cũng tại đây, Tập đoàn Bkav của Việt Nam cũng đã có dịp tiếp xúc với một loạt nhà mạng của Thái Lan, Ấn Độ, Indonesia và một nhà mạng châu Âu để bàn về việc hợp tác phân phối Bphone.

Phóng viên VnReview đã có mặt tại sự kiện này và chúng ta cùng điểm qua những gì mà Qualcomm mang tới 3G/LTE Summit 2015:

Snapdragon 430 & Snapdragon 617

Theo đó, Qualcomm cho biết hãng vừa bổ sung thêm hai bộ vi xử lý mới vào dòng sản phẩm Snapdragon tầm trung gồm Snapdragon 430 và Snapdragon 617 nhằm cải tiến về năng lực xử lý nội dung đa phương tiện và kết nối.

Qualcomm công bố 2 vi xử lý tầm trung, hé lộ về Snapdragon 820

Trong đó, Snapdragon 430 đáng chú ý khi hỗ trợ công nghệ X6 LTE, hỗ trợ download Cat 4 lên tới 150 Mbps và tải lên 75 Mbps. Đâycũnglà thế hệ vi xử lýdi động tầm trung đầu tiên hỗ trợ công nghệ mã hóa 64-QAM. Bên cạnh đó, Snapdragon 430 hỗ trợ hai camera và độ phân giải lên tới 21 MP. Chip Snapdragon 430 sử dụng bộ xử lý đồ họa Adreno  505 mới hỗ trợ Open GL ES3.1, Android Extension Pack và OpenCL 2.0.

Còn Snapdragon 617 lại được thừa hưởng những tính năng từ các dòng vi xử lý cao cấp. Chip được tích hợp modem X8 LTE, với khả năng hỗ trợ tốc độ download Cat 7 lên tới 300 Mbps và tốc độ upload lên tới 100 Mbps nhờ công nghệ gộp sóng mang hai chiều 2x20 MHz. SoC này còn sử dụng kiến trúc ISP và máy ảnh kép tương tự Snapdragon 620 hay 618. Ngoài ra,để đạt được hiệu năng thu phát sóng (RF) tối ưu, Snapdragon 617 và 430 được trang bị WTR 2965, một máy thu phát vô tuyến mới được tối ưu hóa về mặt RF để hỗ trợ công nghệ gộp sóng mang trên toàn cầu.

Hé lộ về "hàng khủng" Snapdragon 820

Theo thông tin mà VnReview có mặt tại sự kiện này, Qualcomm cho biết để đáp ứng nhu cầu kết nối tốc độ siêu cao "chưa từng có" và các dịch vụ đòi hỏi sự liền mạch, hãng đã tích hợp modem X12 LTE mới được nâng cấp vào bộ vi xử lý Qualcomm Snapdragon 820 cao cấp nhất sắp sửa ra mắt. Qua đó sẽ đưa công nghệ 4G LTE và Wi-Fi hàng đầu các thiết bị di động cao cấp sử dụng SoC "khủng" này.  

Với nâng cấp này, tốc độ kết nối của công nghệ LTE Advanced thông qua Cat 12 lên tới 600 Mbps khi tải về và tải lên qua Cat 13 ở tốc độ 150 Mbps. Trong khi đó, ăng-ten MIMO được cấu hình lên tới 4x4 trên một sóng LTE tải về. Hỗ trợ đàm thoại video HD và duy trì tính liên tục của cuộc gọi trên các mạng Wi-Fi, LTE, 3G và 2G. Ngoài ra, SoC này còn hỗ trợ chia sẻ và dùng chung ăng-ten Wi-Fi/LTE.

Snapdragon 820 được coi là SoC đáng mong chờ nhất, sau "thất bại" của "con cưng" Snapdragon 810 vừa qua, nó cũng là bộ xử lý được công bố rộng rãi đầu tiên để sử dụng trong các thiết bị di động hỗ trợ LTE Category 12 trên đường xuống (downlink) được mã hóa 256-QAM và Category 13 trên đường lên (uplink) với mã hóa 64-QAM, góp phần cải thiện tương ứng tới 33% và 200% so với tốc độ download và upload của bộ xử lý thế hệ trước.

Công nghệ Quick Charge 3.0 sạc smartphone từ 0% đến 80% chỉ trong 35 phút

 Quick Charge 3.0

Được giới thiệu tại sự kiện này, Quick Charge 3.0 là thế hệ thứ ba của công nghệ sạc nhanh độc quyền của Qualcomm và là công nghệ đầu tiên ứng dụng thuật toán mới INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage - tạm dịch là Trao đổi thông minh để lựa chọn điện áp tối ưu), một thuật toán mới được hãng phát triển và thiết kế, cho phép các thiết bị cầm tay có được khả năng xác định việc cần yêu cầu mức độ công suất nào ở những thời điểm khác nhau nhằm đảm bảo hiệu quả truyền tải công suất điện tối ưu trong khi vẫn đạt được hiệu suất cao nhất.

Theo công bố của Qualcomm tại sự kiện này, Quick Charge 3.0 cho phép người dùng có thể sạc pin điện thoại di động từ mức 0% lên 80% trong vòng khoảng 35 phút trong khi những thiết bị di động thông thường không được trang bị công nghệ Quick Charge phải mất tới một giờ rưỡi, được hiệu quả cao hơn tới 38% so với thế hệ trước đồng thời triển khai thêm nhiều bước để bảo vệ tuổi thọ của viên pin.

Bên cạnh đó, Qualcomm còn công bố việc hãng bán ra hơn 200 triệu đơn vị SoC Snapdragon 410 cho hơn 60 nhà OEM trên toàn cầu. Đây là vi xử lý di động thương mại đầu tiên hỗ trợ 64-bit dành cho các thiết bị có mức giá dưới 150 USD. Trong khi Snapdragon 210 được sử dụng trong 200 thiết kế đã được bán ra hoặc đang lên kế hoạch. Đây cũng là bộ vi xử lý giá rẻ đầu tiên trong phân khúc này hỗ trợ kết nối 4G LTE. Ngoài ra, bên lề sự kiện này Qualcomm cũng công bố hợp tác với América Móvil trong chương trình Global Pass  sau sự thành công của quá trình chứng nhận thiết bị đầu cuối toàn cầu của América Móvil. 

Thanh Trà


Đánh giá gần đây
Đọc nhiều nhất Phản hồi nhiều nhất

1 'Contagion (2011)': Lạnh gáy với bộ phim tiên đoán chuẩn xác về Covid-19 từ 9 năm trước

2 Lật tẩy "Phòng chat thứ N", thứ bệnh hoạn trong xã hội số Hàn Quốc

3 Sốc với cảnh chen chúc mang đồ tiếp tế, có cả tủ lạnh, cho người cách ly

4 Thêm một ca nhiễm Covid-19 mới tại Đà Nẵng, nâng tổng số bệnh nhân cả nước lên 122

5 Tại sao các gia đình ở Ý không thể nói lời từ biệt người chết vì Covid-19?

Tin Liên quan
Các tin khác
a
Xem thêm
Góc nhìn VNREVIEW