Snapdragon 820 gây thất vọng về hiệu năng

Các mức điểm đo hiệu năng (benchmark) trên Geekbench bị rò rỉ từ Trung Quốc cho thấy dòng chip cao cấp mới của Qualcomm có hiệu năng đa nhân thậm chí còn không bằng Snapdragon 810.

Sau thất bại nặng nề của Snapdragon 810, mọi con mắt chú ý lại tiếp tục đổ dồn về dòng chip cao cấp tiếp theo của Qualcomm: Snapdragon 820. Trong ngày hôm nay, nhiều bức hình chụp điểm số benchmark của Snapdragon 820 cùng các đối thủ cạnh tranh từ Geekbench 3 đã được hé lộ, theo đó dòng vi xử lý đầu bảng mới của Qualcomm có vẻ sẽ không gây ấn tượng mạnh về hiệu năng.

Cụ thể hơn, điểm số của Snapdragon 820 trong thử nghiệm đơn nhân (sing-core) là 1887, cao hơn khá nhiều so với mức 1508 của Exynos 7420. Đây có thể được coi là một thắng lợi quan trọng cho Snapdragon 820, bởi phần lớn các ứng dụng hiện nay vẫn chỉ sử dụng một nhân xử lý duy nhất. Tuy vậy, cả 2 dòng chip do Qualcomm và Samsung thiết kế hiện vẫn thua xa điểm số đơn nhân của Apple A9: 2526. Một điểm đáng chú ý là cả Snapdragon 820, Exynos 7420 và Apple A9 đều được sản xuất trên chu trình FinFET 14nm của Samsung.

Điểm benchmark đa nhân (multi-core) của Snapdragon 820 là 3936, thấp hơn khá nhiều so với mức 4811 của Exynos 7420 và mức 4396 của Apple A9. Điều đáng ngạc nhiên là ngay cả Snapdragon 810 cũng đã có thể đạt tới điểm số 4628. Theo phỏng đoán của các nguồn tin, lý do dẫn tới hiện tượng này là bởi Snapdragon 820 hiện vẫn còn đang trong giai đoạn thử nghiệm và do đó chưa đạt tới hiệu năng tối ưu.

Ảnh chụp màn hình thử nghiệm Snapdragon 820 trên thiết bị không rõ tên.

Thử nghiệm Exynos 7420 trên Galaxy Note 5.

Thử nghiệm Apple A9 trên iPhone 6s.

Thử nghiệm Snapdragon 810 trên LeTV X900.

Các thông số khác có mặt trên màn hình Geekbench cho thấy Snapdragon 820 được thử nghiệm trên một thiết bị mẫu có 4GB RAM. Mã hiệu của Snapdragon 820 được hé lộ là MSM8996 (Snapdragon 810 có mã hiệu MSM8994) và xung nhịp được ghi nhận là 1.6GHz, thấp hơn mức tối đa 2.5GHz của người tiền nhiệm.

Lê Hoàng

Theo PhoneArena & Xiaomi Today