IBM giới thiệu bộ nhớ PCM 3-bit, nhanh gấp 70 lần và có thể thay thế flash

IBM vừa giới thiệu loại bộ nhớ PCM (Phase Change Memory) có khả năng chứa 3 bit trong 1 cell, với tốc độ và giá thành đủ để thay thế cho bộ nhớ flash.

PCM là công nghệ sử dụng chất liệu quang để lưu trạng thái của ô nhớ (cell). Chất liệu này có thể tồn tại dưới 2 trạng thái (pha) là vô định hình (amorphous) và dạng tinh thể (crystalline) tùy thuộc vào trạng thái dòng điện. Khi ở dạng tinh thể thì chất liệu dẫn điện rất tốt, còn ở dạng vô định hình thì dẫn điện kém hơn. Qua đó ô nhớ có thể được đặt mức giá trị 0 và 1, tương đương với 1 bit nhớ.

Trong những năm qua, IBM đã nghiên cứu để chứa được nhiều bit nhớ hơn trên 1 cell. Năm 2011, họ tích hợp được 2 bit nhớ vào 1 cell, và vừa qua đã giới thiệu loại bộ nhớ lưu được 3 bit trên 1 cell. Với thành tựu này, bộ nhớ PCM sẽ lưu trữ được dung lượng cao hơn trên cùng một diện tích, qua đó IBM hi vọng có thể giảm giá loại bộ nhớ này xuống mức cạnh tranh.

Tốc độ của PCM được đánh giá là nằm giữa DRAM và bộ nhớ dạng flash. Bộ nhớ PCM nhanh hơn flash tới 70 lần, do vậy có thể đem lại hiệu năng ấn tượng hơn cho máy tính trong tương lai. Các nhà nghiên cứu của IBM cũng đã đưa ra kết quả cho thấy bộ nhớ PCM vẫn giữ được hiệu năng sau gần 1 triệu lần ghi, trong khi bộ nhớ flash của một chiếc USB lưu trữ thông thường sẽ "chết" sau khoảng 3000 lần ghi, còn các bộ nhớ flash dòng doanh nghiệp cũng chỉ có tuổi thọ khoảng 30.000 lần.

Clip giải thích về bộ nhớ mới do IBM đăng tải

Bên cạnh đó tốc độ của DRAM vẫn nhanh hơn PCM từ 5 – 10 lần, nhưng với loại bộ nhớ 3 bit mới thì giá thành của PCM trong tương lai có thể xuống thấp gần tới mức giá của flash và thấp hơn nhiều so với DRAM. Một lợi thế khác của PCM là nó có thể lưu dữ liệu mà không cần cấp điện liên tục như DRAM.

Anh Minh