Lộ diện điểm hiệu năng của chip Snapdragon 835

Điểm hiệu năng của con chip Snapdragon 835 (dự kiến sử dụng cho Galaxy S8) vừa lộ diện và không cao hơn quá nhiều so với Snapdragon 820.

Qualcomm Snapdragon 835 – tên mã là MSM8998 – dự kiến sẽ là chipset được sử dụng cho chiếc smartphone cao cấp Galaxy S8, phiên bản dành cho thị trường Mỹ. Qualcomm Snapdragon 835 được sản xuất dựa trên quy trình 10nm của Samsung, hỗ trợ tốt cho các nội dung thực tại ảo AR và VR. Chipset này ngoài khả năng xử lý mạnh mẽ còn sử dụng điện năng hiệu quả hơn so với các sản phẩm tiền nhiệm của Samsung.

Mới đây, kết quả hiệu năng của Snapdragon 835 đã được tìm thấy trên Geekbench. Thiết bị dùng để thử nghiệm có RAM 4GB chạy phiên bản Android Nougat.

Trong bài kiểm tra, Snapdragon 835 được cho chạy ở tốc độ xung nhịp 1.9 GHz (trên thực tế, con chip này sở hữu 4 lõi 2.45 GHz, 4 lõi 1.9 GHz). Kết quả, Snapdragon 835 đạt được 2004 điểm ở phần test lõi đơn và 6233 điểm ở phần test đa lõi. Con số này không cao hơn nhiều so với 1785 điểm ở phần test lõi đơn của Snapdragon 820 trên Galaxy S7 trước kia.

Tuy nhiên, đây mới chỉ là thử nghiệm sơ bộ và Snapdragon 835 vẫn chưa hoạt động hết công suất của mình. Mọi thứ có thể sẽ còn thay đổi trong các bài kiểm tra tiếp theo.

Bạch Đằng