Smartphone năm 2019 có thể dùng bộ nhớ UFS 3.0 mới của Toshiba

Toshiba vừa gửi thông báo bắt đầu giao các lô hàng mẫu bộ nhớ mới cho đối tác, áp dụng tiêu chuẩn UFS 3.0 mà JEDEC vừa thông qua đầu năm 2018. Toshiba cho biết loại chip nhớ mới cho tốc độ đọc/ghi nhanh hơn, tiết kiệm điện hơn loại UFS 2.1 hiện nay, đặc biệt phù hợp cho thiết bị di động, hệ thống VR/AR.

Các bộ nhớ NAND TLC sử dụng công nghệ BiCS FLASH của Toshiba, xếp chồng 3D 96 lớp, đi cùng controller riêng do hãng tự nghiên cứu. Có ba mức dung lượng gồm 128GB, 256GB và 512GB, loại 128GB được gửi đi đầu tiên vào tháng Một này, còn hai loại cao hơn sẽ chuyển vào sau tháng Ba. Toshiba nói chúng có thể xuất hiện trên các mẫu điện thoại cao cấp trong năm nay.

Hãng không công bố cấu hình đầy đủ của bộ nhớ mới. Chỉ cho biết liên kết giữa các lớp cho phép đẩy tốc độ lên mức 11.6 Gbps mỗi lane (x2 lane = 23.2Gbps), đáp ứng tiêu chuẩn HS-GEAR4 mà JEDEC quy định với UFS 3.0. Cùng với đó là tính năng QoS đảm bảo liên kết ổn định hơn. Tốc độ tối đa của UFS 3.0 là 2.9GB/s nhưng Toshiba không nói cụ thể các sản phẩm của họ. Hãng chỉ công bố tốc độ đọc/ghi tuần tự của bộ nhớ 512GB cao nhất lần lượt cao hơn 70% và 80% so với bộ nhớ UFS 2.1 của họ hiện nay.

Ambitious Man