Samsung giới thiệu mô-đun DDR5 512GB: Tương lai của các bộ nhớ RAM

Samsung vừa trình làng một mô-đun RAM mới, cho thấy tiềm năng của công nghệ bộ nhớ DDR5 đối với dung lượng cũng như tốc độ.

Samsung cho biết, mô-đun DDR5 512GB này là mô-đun đầu tiên sử dụng công nghệ High-K Metal Gate (HKMG), mang đến tốc độ 7.200Mbps, cao hơn gấp đôi so với DDR4. Hiện tại, mục tiêu của công ty là hướng đến các chức năng siêu máy tính, AI cũng như máy học, vốn ngốn nhiều dữ liệu. Nhưng đến cuối cùng, DDR5 cũng sẽ cập bến mọi chiếc PC thông thường, cải thiện hiệu năng cho quá trình chơi game cũng như sử dụng những ứng dụng khác.

Lần đầu công nghệ HKMG được vào sử dụng là khi Samsung trình làng những con chip GDDR6 cho GPU trong năm 2018. Phát triển cùng với Intel, công nghệ này sử dụng chất liệu hafnium thay vì silicon, cùng những kim loại khác nhằm thay thế các điện cực polysilicon gate (polysilicon gate electrode) thông thường. Nhờ đó, mật độ chip được tăng lên cao hơn, đồng thời cũng giảm tình trạng rò rỉ dòng điện.

Mỗi con chip sử dụng 8 lớp chip DRAM 16Gb, đạt tổng dung lượng 128Gb, tương đương 16GB. Như vậy, để tạo ra mô-đun RAM 512GB, Samsung sẽ cần sử dụng 32 con chip đó. Ngoài tốc độ và dung lượng cao hơn, Samsung cho biết, con chip này còn tiêu thụ ít năng lượng hơn 13% so với các mô-đun không phải HKMG, lý tưởng cho những trung tâm dữ liệu, nhưng cũng phù hợp đối với PC thông thường.

Với tốc độ 7.200Mbps, mô-đun mới nhất này của Samsung có khả năng truyền tải dữ liệu đạt mức 52,6GB/s trên một kênh. Trong thông cáo báo chí của Samsung, Intel lưu ý, bộ nhớ này sẽ tương thích với những bộ xử lý Xeon Scalable "Sapphire Rapids" thế hệ tiếp theo. Kiến trúc đó sẽ tận dụng bộ điều khiển bộ nhớ DDR5 8 kênh, thế nên, trong tương lai, chúng ta sẽ thấy những thiết lập bộ nhớ lên đến hàng TB với tốc độ truyền tải tối đa 460GB/s. Trong khi đó, những chiếc PC tiêu dùng đầu tiên sử dụng công nghệ DDR5 có thể cập bến trong năm 2022 khi AMD trình làng nền tảng Zen 4 của mình.

Minh Hùng;(theo Engadget)