From Beijing with Love
Cháu đã lớn thế này rồi à. Lại đây chú ôm cái coi.
Theo phân tích mới nhất, Samsung Electronics đã để Micron vượt qua trên thị trường HBM (bộ nhớ băng thông cao) trong quý 2. Cụ thể vào ngày 24/6, theo Counterpoint Research, SK Hynix đã dẫn đầu thị trường HBM trong quý 2 với 62% (dựa trên thị phần xuất xưởng), theo sau là Micron (21%) và Samsung Electronics (17%). Đặc biệt, Samsung Electronics bị tụt xuống vị trí thứ ba sau Micron, nguyên nhân được cho là do các bài kiểm tra chất lượng HBM3E của Nvidia vẫn chưa hoàn tất. Tuy nhiên, Counterpoint Research dự đoán Samsung Electronics sẽ đạt thị phần hơn 30% vào năm 2026, dựa trên việc chứng nhận sản phẩm HBM3E cho các khách hàng lớn gần đây và xuất khẩu HBM4 vào năm tới.
Nghiên cứu viên cấp cao Choi Jung-gu của Counterpoint nhận định rằng: "Trung Quốc đang thúc đẩy phát triển HBM3, tập trung vào CXMT, nhưng vẫn chưa giải quyết được các vấn đề kỹ thuật như tốc độ hoạt động và tản nhiệt, nên việc xuất xưởng chỉ có thể thực hiện vào nửa cuối năm sau." Ông cũng bổ sung: "HBM của Huawei cũng được đánh giá là sản phẩm giai đoạn đầu với tốc độ chỉ bằng một nửa so với sản phẩm HBM thông thường." Tiếp đó, ông đề xuất: "Trong dài hạn, SK Hynix và Samsung sẽ dẫn đầu thị trường HBM", đồng thời nhấn mạnh rằng "cần có sự chuẩn bị cho lợi thế địa chính trị của Micron và sự tấn công mạnh mẽ về số lượng của Trung Quốc, đồng thời phải kết hợp đảm bảo vị thế dẫn đầu về công nghệ và phát triển sản phẩm tùy chỉnh."
Micron đang có những bước tiến mạnh mẽ trên thị trường bộ nhớ băng thông cao (HBM). Công ty đã vượt qua Samsung Electronics để chiếm vị trí thứ hai trên thị trường HBM trong hai quý liên tiếp, quý 1 và quý 2 năm nay, nhờ vào việc tăng đáng kể khối lượng xuất xưởng. Micron cũng đã thông báo rằng họ đã đạt được hiệu suất HBM4 thế hệ tiếp theo mà khách hàng yêu cầu và dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt vào quý 2 năm sau. Đà tăng trưởng của Micron được coi là một đối thủ tiềm năng trên thị trường HBM đang rất mạnh mẽ.
Giám đốc điều hành Sanjay Mehrotra của Micron cũng tuyên bố tại buổi công bố kết quả kinh doanh quý 4 năm tài chính 2025 rằng hoạt động kinh doanh HBM đang tăng trưởng tốt và đã đạt thị phần 20%. Ông Mehrotra cho biết: "Thị phần HBM dự kiến sẽ tăng trưởng thêm trong quý 3 (tháng 6-9) và đạt mức tương đương với thị phần DRAM", đồng thời "thị phần sẽ tiếp tục mở rộng vào năm tới." Mức thị phần DRAM mà ông đề cập là khoảng từ 20% đến 25%.
Thị phần hàng năm của Micron vào năm ngoái được biết là 8%. Sự gia tăng đáng kể thị phần trong năm nay được cho là do việc cung cấp sản phẩm HBM3E 12 lớp cho Nvidia, trở thành nhà cung cấp thứ hai sau SK Hynix. Điều này là kết quả của việc tăng khối lượng xuất xưởng nhờ hiệu quả năng lượng thấp hơn khoảng 30% so với các đối thủ cạnh tranh.
Micron cũng thể hiện sự tự tin mạnh mẽ vào hoạt động kinh doanh HBM của mình trong năm tới. Công ty thông báo đã xuất xưởng các mẫu HBM4 12 lớp với băng thông 2.8 terabyte mỗi giây (TB/s) và tốc độ vượt quá 11 gigabit mỗi giây (Gbps), đáp ứng hiệu suất mà khách hàng yêu cầu. Họ cũng tuyên bố sẽ sản xuất hàng loạt HBM4 vào quý 2 năm sau. Ông Mehrotra cho biết: "Số lượng khách hàng HBM đã tăng lên 6", đồng thời "hầu hết các khách hàng đã đồng ý về khối lượng và giá cung cấp HBM3E cho năm tới, và chúng tôi hy vọng sẽ hoàn tất các hợp đồng HBM tổng thể, bao gồm cả HBM4, trong vài tháng tới."
Để đẩy nhanh tăng trưởng, Micron đã quyết định tập trung khoản đầu tư vốn (Capex) trị giá 18 tỷ USD vào DRAM trong năm tới. Họ sẽ mở rộng tỷ lệ sản xuất DRAM 1γ (1c-class) với quy trình tiên tiến nhất. Công ty cũng nhấn mạnh rằng họ đã đẩy nhanh quá trình chuyển đổi quy trình bằng cách đưa vào một thiết bị khắc tia cực tím (EUV) tại nhà máy DRAM ở Nhật Bản gần đây. Điều này nhằm đáp ứng nhu cầu DRAM cho trung tâm dữ liệu, bao gồm cả HBM. Micron đã ghi nhận doanh thu cao kỷ lục 37.4 tỷ USD trong năm tài chính 2025, trong đó tổng doanh thu từ DRAM máy chủ bao gồm HBM đã tăng hơn 5 lần so với năm trước, đạt 10 tỷ USD.
Micron đã chính thức rút khỏi thị trường NAND di động để tập trung vào hoạt động kinh doanh SSD cho trung tâm dữ liệu. Trong khi thị trường NAND di động có tính cạnh tranh về giá cao, thì nhu cầu SSD cho trung tâm dữ liệu đang tăng lên do ảnh hưởng của AI. Cạnh tranh trên thị trường HBM dự kiến sẽ khốc liệt hơn vào năm tới. Trong khi Micron đã vươn lên vị trí thứ hai, Samsung Electronics đang tìm cách đảo ngược tình thế. Counterpoint Research dự kiến thị phần Samsung Electronics sẽ mở rộng lên hơn 30% vào năm tới, nếu công ty vượt qua các bài kiểm tra chất lượng của khách hàng. SK Hynix cũng đang nhanh chóng thiết lập hệ thống sản xuất hàng loạt HBM4 để bảo vệ thị phần của mình.
Nghiên cứu viên cấp cao Choi Jung-gu của Counterpoint nhận định rằng: "Trung Quốc đang thúc đẩy phát triển HBM3, tập trung vào CXMT, nhưng vẫn chưa giải quyết được các vấn đề kỹ thuật như tốc độ hoạt động và tản nhiệt, nên việc xuất xưởng chỉ có thể thực hiện vào nửa cuối năm sau." Ông cũng bổ sung: "HBM của Huawei cũng được đánh giá là sản phẩm giai đoạn đầu với tốc độ chỉ bằng một nửa so với sản phẩm HBM thông thường." Tiếp đó, ông đề xuất: "Trong dài hạn, SK Hynix và Samsung sẽ dẫn đầu thị trường HBM", đồng thời nhấn mạnh rằng "cần có sự chuẩn bị cho lợi thế địa chính trị của Micron và sự tấn công mạnh mẽ về số lượng của Trung Quốc, đồng thời phải kết hợp đảm bảo vị thế dẫn đầu về công nghệ và phát triển sản phẩm tùy chỉnh."

Micron đang có những bước tiến mạnh mẽ trên thị trường bộ nhớ băng thông cao (HBM). Công ty đã vượt qua Samsung Electronics để chiếm vị trí thứ hai trên thị trường HBM trong hai quý liên tiếp, quý 1 và quý 2 năm nay, nhờ vào việc tăng đáng kể khối lượng xuất xưởng. Micron cũng đã thông báo rằng họ đã đạt được hiệu suất HBM4 thế hệ tiếp theo mà khách hàng yêu cầu và dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt vào quý 2 năm sau. Đà tăng trưởng của Micron được coi là một đối thủ tiềm năng trên thị trường HBM đang rất mạnh mẽ.
Giám đốc điều hành Sanjay Mehrotra của Micron cũng tuyên bố tại buổi công bố kết quả kinh doanh quý 4 năm tài chính 2025 rằng hoạt động kinh doanh HBM đang tăng trưởng tốt và đã đạt thị phần 20%. Ông Mehrotra cho biết: "Thị phần HBM dự kiến sẽ tăng trưởng thêm trong quý 3 (tháng 6-9) và đạt mức tương đương với thị phần DRAM", đồng thời "thị phần sẽ tiếp tục mở rộng vào năm tới." Mức thị phần DRAM mà ông đề cập là khoảng từ 20% đến 25%.
Thị phần hàng năm của Micron vào năm ngoái được biết là 8%. Sự gia tăng đáng kể thị phần trong năm nay được cho là do việc cung cấp sản phẩm HBM3E 12 lớp cho Nvidia, trở thành nhà cung cấp thứ hai sau SK Hynix. Điều này là kết quả của việc tăng khối lượng xuất xưởng nhờ hiệu quả năng lượng thấp hơn khoảng 30% so với các đối thủ cạnh tranh.

Micron cũng thể hiện sự tự tin mạnh mẽ vào hoạt động kinh doanh HBM của mình trong năm tới. Công ty thông báo đã xuất xưởng các mẫu HBM4 12 lớp với băng thông 2.8 terabyte mỗi giây (TB/s) và tốc độ vượt quá 11 gigabit mỗi giây (Gbps), đáp ứng hiệu suất mà khách hàng yêu cầu. Họ cũng tuyên bố sẽ sản xuất hàng loạt HBM4 vào quý 2 năm sau. Ông Mehrotra cho biết: "Số lượng khách hàng HBM đã tăng lên 6", đồng thời "hầu hết các khách hàng đã đồng ý về khối lượng và giá cung cấp HBM3E cho năm tới, và chúng tôi hy vọng sẽ hoàn tất các hợp đồng HBM tổng thể, bao gồm cả HBM4, trong vài tháng tới."
Để đẩy nhanh tăng trưởng, Micron đã quyết định tập trung khoản đầu tư vốn (Capex) trị giá 18 tỷ USD vào DRAM trong năm tới. Họ sẽ mở rộng tỷ lệ sản xuất DRAM 1γ (1c-class) với quy trình tiên tiến nhất. Công ty cũng nhấn mạnh rằng họ đã đẩy nhanh quá trình chuyển đổi quy trình bằng cách đưa vào một thiết bị khắc tia cực tím (EUV) tại nhà máy DRAM ở Nhật Bản gần đây. Điều này nhằm đáp ứng nhu cầu DRAM cho trung tâm dữ liệu, bao gồm cả HBM. Micron đã ghi nhận doanh thu cao kỷ lục 37.4 tỷ USD trong năm tài chính 2025, trong đó tổng doanh thu từ DRAM máy chủ bao gồm HBM đã tăng hơn 5 lần so với năm trước, đạt 10 tỷ USD.
Micron đã chính thức rút khỏi thị trường NAND di động để tập trung vào hoạt động kinh doanh SSD cho trung tâm dữ liệu. Trong khi thị trường NAND di động có tính cạnh tranh về giá cao, thì nhu cầu SSD cho trung tâm dữ liệu đang tăng lên do ảnh hưởng của AI. Cạnh tranh trên thị trường HBM dự kiến sẽ khốc liệt hơn vào năm tới. Trong khi Micron đã vươn lên vị trí thứ hai, Samsung Electronics đang tìm cách đảo ngược tình thế. Counterpoint Research dự kiến thị phần Samsung Electronics sẽ mở rộng lên hơn 30% vào năm tới, nếu công ty vượt qua các bài kiểm tra chất lượng của khách hàng. SK Hynix cũng đang nhanh chóng thiết lập hệ thống sản xuất hàng loạt HBM4 để bảo vệ thị phần của mình.