Mr Bens
Intern Writer
Các nhà khoa học Trung Quốc phát triển bóng bán dẫn mới, mở ra kỷ nguyên chip không silicon
Các nhà nghiên cứu tại Trung Quốc vừa tạo ra một loại bóng bán dẫn không chứa silicon, hứa hẹn cải thiện hiệu suất lên đến 40% so với chip silicon hiện nay, đồng thời tiết kiệm hơn 90% điện năng. Đây được xem là hướng đi mới trong ngành công nghiệp bán dẫn.
Công nghệ này có thể tích hợp vào các con chip, giúp chúng vượt trội hơn so với bộ xử lý do Intel và các hãng Mỹ sản xuất. Nghiên cứu đã được công bố trên tạp chí Nature vào ngày 13/2.
Giáo sư Hailin Peng (Đại học Bắc Kinh), tác giả chính của nghiên cứu, chia sẻ: "Nếu cải tiến chip từ vật liệu truyền thống là 'lối tắt', thì bóng bán dẫn 2D của chúng tôi chính là 'sự chuyển hướng'."
Điểm đột phá nằm ở việc sử dụng bismuth oxide selenide làm chất bán dẫn, tạo ra bóng bán dẫn 2D siêu mỏng, linh hoạt và bền hơn silicon. Bismuth giúp electron di chuyển nhanh hơn và có khả năng lưu trữ năng lượng điện vượt trội, giúp chip hoạt động hiệu quả hơn.
Nếu thành công, công nghệ này có thể giúp Trung Quốc vượt qua các hạn chế về chip tiên tiến, mở ra hướng sản xuất hoàn toàn mới. (Sohu)
Các nhà nghiên cứu tại Trung Quốc vừa tạo ra một loại bóng bán dẫn không chứa silicon, hứa hẹn cải thiện hiệu suất lên đến 40% so với chip silicon hiện nay, đồng thời tiết kiệm hơn 90% điện năng. Đây được xem là hướng đi mới trong ngành công nghiệp bán dẫn.
Công nghệ này có thể tích hợp vào các con chip, giúp chúng vượt trội hơn so với bộ xử lý do Intel và các hãng Mỹ sản xuất. Nghiên cứu đã được công bố trên tạp chí Nature vào ngày 13/2.
Giáo sư Hailin Peng (Đại học Bắc Kinh), tác giả chính của nghiên cứu, chia sẻ: "Nếu cải tiến chip từ vật liệu truyền thống là 'lối tắt', thì bóng bán dẫn 2D của chúng tôi chính là 'sự chuyển hướng'."
Cấu trúc độc đáo của bóng bán dẫn 2D
Khác với thiết kế FinFET thông thường, loại bóng bán dẫn mới sử dụng kiến trúc GAAFET (transistor hiệu ứng trường cổng bao quanh), với cổng được tích hợp ở cả 4 mặt thay vì chỉ 3 mặt. Nhờ đó, nó kiểm soát dòng điện tốt hơn, giảm thất thoát năng lượng và tăng tốc độ chuyển mạch.Điểm đột phá nằm ở việc sử dụng bismuth oxide selenide làm chất bán dẫn, tạo ra bóng bán dẫn 2D siêu mỏng, linh hoạt và bền hơn silicon. Bismuth giúp electron di chuyển nhanh hơn và có khả năng lưu trữ năng lượng điện vượt trội, giúp chip hoạt động hiệu quả hơn.
Nếu thành công, công nghệ này có thể giúp Trung Quốc vượt qua các hạn chế về chip tiên tiến, mở ra hướng sản xuất hoàn toàn mới. (Sohu)
