The Storm Riders
Writer
ChangXin Memory Technologies (CXMT), nhà sản xuất chip nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) hàng đầu của Trung Quốc, đã nâng cao công nghệ sản xuất của mình lên quy trình 16 nanomet, thu hẹp khoảng cách với các gã khổng lồ trong ngành như Samsung Electronics, SK Hynix và Micron Technology.
Công ty có trụ sở tại Hợp Phì này đã phát triển một chip cấp tiêu dùng sử dụng nút sản xuất chip tiên tiến, một thành tựu đáng chú ý trong bối cảnh các lệnh trừng phạt đang diễn ra của Hoa Kỳ, theo báo cáo từ công ty nghiên cứu mạch tích hợp (IC) TechInsights của Canada. Chip 16 gigabit (Gb) mới này sử dụng công nghệ DDR5, dự kiến sẽ thống trị thị trường DRAM đến năm 2027.
Những tiến bộ của công ty đóng vai trò như một chuẩn mực cho sự tiến bộ của Trung Quốc trong lĩnh vực chip nhớ DRAM bất chấp các lệnh trừng phạt của Hoa Kỳ. CXMT không đề cập đến bất kỳ thông tin nào về con chip này trên trang web chính thức của mình. Công ty đã không trả lời yêu cầu bình luận.
Ban đầu gặp khó khăn với tỷ lệ sản lượng thấp 20% cho chip DDR5, CXMT kể từ đó đã đạt được tỷ lệ sản lượng 80% khi tiếp tục tăng cường sản xuất. Nhà phân tích cấp cao Jeongdong Choe của TechInsights, người viết báo cáo, cho biết: "Ba nhà sản xuất DRAM hàng đầu đã bắt đầu sản xuất hàng loạt DDR5 16Gb vào năm 2021, điều đó có nghĩa là hiện có khoảng cách công nghệ ba năm giữa CXMT và các nhà cung cấp này".
Samsung và SK Hynix của Hàn Quốc, cùng với Micron có trụ sở tại Hoa Kỳ, hiện đang dẫn đầu thị trường bộ nhớ DDR5 với sản xuất chủ yếu sử dụng các nút 12nm và 14nm. Với sản phẩm mới nhất này, CXMT đã mở rộng danh mục sản phẩm bộ nhớ của mình, bao gồm DDR3L, DDR4, LPDDR4X và LPDDR5. TechInsights dựa trên phân tích của mình về việc tháo rời mô-đun bộ nhớ Gloway DDR5-6000 thương mại, chứa 16 chip DDR5 16Gb của CXMT.
Bước đột phá này diễn ra sau quyết định của Hoa Kỳ miễn trừ nhà sản xuất DRAM hàng đầu của Trung Quốc khỏi vòng hạn chế xuất khẩu chip mới nhất, do sự phản đối của Nhật Bản. Hoa Kỳ đã cân nhắc việc thêm công ty này và 11 nhà cung cấp khác của Huawei Technologies vào Danh sách Thực thể (Entity List), danh sách hạn chế quyền truy cập vào công nghệ của Mỹ.
Theo báo cáo, con chip có kích thước khoảng 67 milimet vuông, đạt mật độ lưu trữ 0,239Gb trên mỗi milimet vuông. Công nghệ DRAM G4 mới nhất của CXMT có các ô nhớ nhỏ hơn 20% so với công nghệ nút G3 trước đây. Theo báo cáo, CXMT đã đạt được "tiến bộ đáng kể" kể từ nút thế hệ G1 23nm và G2 18nm, đưa công ty này đến gần hơn với các đối thủ toàn cầu ở Hàn Quốc và Hoa Kỳ.
Tuy nhiên, CXMT vẫn phải đối mặt với các hạn chế nhập khẩu thiết bị do Bộ Thương mại Hoa Kỳ áp đặt vào tháng 10 năm 2022, nhằm mục đích giới hạn khả năng sản xuất chip logic của Trung Quốc ở mức 14nm và chip DRAM ở mức bán bước sóng 18nm.
Theo báo cáo, nhà sản xuất chip này đang tích cực phát triển công nghệ dưới 15nm thế hệ tiếp theo mà không cần công nghệ khắc tia cực tím (extreme ultraviolet lithography), cũng như chip nhớ băng thông cao (high-bandwidth memory chips) - chip DRAM xếp chồng theo chiều dọc - cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo.
Công ty có trụ sở tại Hợp Phì này đã phát triển một chip cấp tiêu dùng sử dụng nút sản xuất chip tiên tiến, một thành tựu đáng chú ý trong bối cảnh các lệnh trừng phạt đang diễn ra của Hoa Kỳ, theo báo cáo từ công ty nghiên cứu mạch tích hợp (IC) TechInsights của Canada. Chip 16 gigabit (Gb) mới này sử dụng công nghệ DDR5, dự kiến sẽ thống trị thị trường DRAM đến năm 2027.
Những tiến bộ của công ty đóng vai trò như một chuẩn mực cho sự tiến bộ của Trung Quốc trong lĩnh vực chip nhớ DRAM bất chấp các lệnh trừng phạt của Hoa Kỳ. CXMT không đề cập đến bất kỳ thông tin nào về con chip này trên trang web chính thức của mình. Công ty đã không trả lời yêu cầu bình luận.
Ban đầu gặp khó khăn với tỷ lệ sản lượng thấp 20% cho chip DDR5, CXMT kể từ đó đã đạt được tỷ lệ sản lượng 80% khi tiếp tục tăng cường sản xuất. Nhà phân tích cấp cao Jeongdong Choe của TechInsights, người viết báo cáo, cho biết: "Ba nhà sản xuất DRAM hàng đầu đã bắt đầu sản xuất hàng loạt DDR5 16Gb vào năm 2021, điều đó có nghĩa là hiện có khoảng cách công nghệ ba năm giữa CXMT và các nhà cung cấp này".
Samsung và SK Hynix của Hàn Quốc, cùng với Micron có trụ sở tại Hoa Kỳ, hiện đang dẫn đầu thị trường bộ nhớ DDR5 với sản xuất chủ yếu sử dụng các nút 12nm và 14nm. Với sản phẩm mới nhất này, CXMT đã mở rộng danh mục sản phẩm bộ nhớ của mình, bao gồm DDR3L, DDR4, LPDDR4X và LPDDR5. TechInsights dựa trên phân tích của mình về việc tháo rời mô-đun bộ nhớ Gloway DDR5-6000 thương mại, chứa 16 chip DDR5 16Gb của CXMT.
Bước đột phá này diễn ra sau quyết định của Hoa Kỳ miễn trừ nhà sản xuất DRAM hàng đầu của Trung Quốc khỏi vòng hạn chế xuất khẩu chip mới nhất, do sự phản đối của Nhật Bản. Hoa Kỳ đã cân nhắc việc thêm công ty này và 11 nhà cung cấp khác của Huawei Technologies vào Danh sách Thực thể (Entity List), danh sách hạn chế quyền truy cập vào công nghệ của Mỹ.
Theo báo cáo, con chip có kích thước khoảng 67 milimet vuông, đạt mật độ lưu trữ 0,239Gb trên mỗi milimet vuông. Công nghệ DRAM G4 mới nhất của CXMT có các ô nhớ nhỏ hơn 20% so với công nghệ nút G3 trước đây. Theo báo cáo, CXMT đã đạt được "tiến bộ đáng kể" kể từ nút thế hệ G1 23nm và G2 18nm, đưa công ty này đến gần hơn với các đối thủ toàn cầu ở Hàn Quốc và Hoa Kỳ.
Tuy nhiên, CXMT vẫn phải đối mặt với các hạn chế nhập khẩu thiết bị do Bộ Thương mại Hoa Kỳ áp đặt vào tháng 10 năm 2022, nhằm mục đích giới hạn khả năng sản xuất chip logic của Trung Quốc ở mức 14nm và chip DRAM ở mức bán bước sóng 18nm.
Theo báo cáo, nhà sản xuất chip này đang tích cực phát triển công nghệ dưới 15nm thế hệ tiếp theo mà không cần công nghệ khắc tia cực tím (extreme ultraviolet lithography), cũng như chip nhớ băng thông cao (high-bandwidth memory chips) - chip DRAM xếp chồng theo chiều dọc - cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo.
