Công nghệ đột phá có thể xuất hiện trên Galaxy S25 Ultra, hiệu năng vượt bậc đón đầu làn sóng AI

Homelander The Seven

I will laser every f****** one of you!
Trong thông cáo báo chí gần đây, nhà sản xuất bán dẫn SK Hynix của Hàn Quốc đã công bố phát triển dòng sản phẩm lưu trữ mới và giới thiệu tại Hội nghị FMS 2024, nổi bật là bộ nhớ flash đa năng USF 4.1.

Tại sự kiện, SK Hynix đã trình diễn hai phiên bản bộ nhớ flash đa năng UFS 4.1 với dung lượng lần lượt là 512GB và 1TB. Cả hai đều sử dụng bộ nhớ flash NAND TLC V9 1Tb xếp chồng 321 lớp. Bên cạnh phiên bản TLC 1Tb với tốc độ 2.4Gbps đã công bố, công ty còn giới thiệu dòng V9 2Tb QLC đạt tốc độ 3.2Gbps và V9H 1Tb TLC tốc độ cao 3.6Gbps, đều dẫn đầu ngành công nghiệp.

1723618232329.png


Mặc dù thông số kỹ thuật chi tiết của chip lưu trữ UFS 4.1 chưa được công bố chính thức, nhưng theo một số nguồn tin, UFS 4.1 có tốc độ truyền dữ liệu lên đến 8GB/s, cải thiện đáng kể so với mức 4GB/s của UFS 4.0. Phiên bản UFS mới nhất được công bố là UFS 4.0 vào tháng 8/2022, với tốc độ giao tiếp lý thuyết lên đến 46.4Gbps trên mỗi thiết bị. UFS 4.1 được kỳ vọng sẽ tiếp tục nâng cao tốc độ truyền tải dữ liệu.

Trước đó, vào tháng 5 năm nay, SK Hynix cũng đã công bố phát triển thành công ZUFS 4.0 (Zoned UFS), một loại chip nhớ flash NAND giúp quản lý dữ liệu hiệu quả hơn và tối ưu hóa việc truyền dữ liệu giữa hệ điều hành và thiết bị lưu trữ. ZUFS 4.0 được ứng dụng trên nhiều thiết bị điện tử như máy ảnh kỹ thuật số, smartphone và được cho là giúp cải thiện hiệu suất của các ứng dụng AI trên thiết bị.

1723618237916.png


Với những cải tiến vượt trội, UFS 4.1 hứa hẹn sẽ nâng tầm hiệu suất lưu trữ của smartphone và các thiết bị điện tử khác. Theo một số rò rỉ trước đó, người dùng có thể được trải nghiệm những cải tiến của UFS 4.1 trên Galaxy S25 Ultra.
 


Đăng nhập một lần thảo luận tẹt ga
Thành viên mới đăng
Top