VNR Content
Pearl
Nhà cung cấp chip thứ hai thế giới SK hynix Inc. mới đây đã tuyên bố rằng họ đã và đang chế tạo sản phẩm 4D NAND Flash với số lớp cao nhất từ trước tới nay lên đến 238 lớp.
Công ty gần đây đã đưa các mẫu sản phẩm 4D NAND triple level cell (TLC) 512Gb với 238 lớp cho khách hàng, với kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt vào nửa đầu năm 2023.
Sản phẩm NAND Flash 238 lớp của SK hynix
Công ty cho biết: “Đây là thành tựu mới nhất của chúng tôi sau sản phẩm bộ nhớ NAND 176 lớp, ra mắt vào tháng 12/2020. Đáng chú ý là sản phẩm mới không chỉ đạt kỷ lục về số lớp mà còn có kích thước nhỏ nhất so với các sản phẩm cùng loại trên thị trường.”
Các sản phẩm NAND Flash được phân thành 5 loại bao gồm Single Level Cell, Multi Level Cell, Triple Level Cell, Quadruple Level Cell và Penta Level Cell, tùy thuộc vào số lượng thông tin (đơn vị: bit) chứa trong một tế bào (cell). Lượng thông tin chứa trong một tế bào càng nhiều, đồng nghĩa với dữ liệu được lưu trữ trong cùng một phạm vi khu vực càng lớn.
Công ty đã công bố việc phát triển sản phẩm mới tại Flash Memory Summit 2022 (FMS 2022) - hội nghị lớn nhất thế giới dành cho ngành NAND Flash diễn ra hàng năm ở Santa Clara. Phát biểu tại hội nghị, ông Choi Jung-dal, người đứng đầu Bộ phận Phát triển NAND tại SK hynix, cho biết:
“SK hynix đã chứng tỏ khả năng cạnh tranh hàng đầu trên toàn cầu về chi phí, hiệu suất và chất lượng bằng cách giới thiệu sản phẩm 238 lớp dựa trên công nghệ 4D NAND. Chúng tôi sẽ tiếp tục đổi mới để tìm ra những đột phá trong công nghệ”.
Choi Jung-dal, người đứng đầu Bộ phận Phát triển NAND của SK hynix tại Hội nghị FMS 2022
Kể từ khi phát triển sản phẩm NAND 96 lớp vào năm 2018, SK hynix đã giới thiệu một loạt sản phẩm 4D vượt trội hơn các sản phẩm 3D hiện có. Công ty đã áp dụng công nghệ “charge trap flash” (CTF) và công nghệ “peri under cell” (PUC) để tạo ra chip có cấu trúc 4D. Các sản phẩm 4D có diện tích mỗi tế bào trên một đơn vị nhỏ hơn so với 3D, dẫn đến hiệu quả sản xuất cao hơn.
Không giống như cổng nổi lưu trữ điện tích trong dây dẫn, CTF lưu trữ điện tích trong chất cách điện, giúp loại bỏ nhiễu giữa các tế bào, cải thiện hiệu suất đọc và ghi, đồng thời giảm diện tích tế bào trên một đơn vị so với công nghệ cổng nổi (floating gate). Trong khi đó, PUC là công nghệ tối đa hóa hiệu quả sản xuất bằng cách đặt các mạch ngoại vi dưới mảng tế bào.
Sản phẩm chứa tới 238 lớp - số lớp cao nhất hiện nay nhưng cũng đồng thời là NAND có kích thước nhỏ nhất. Điều này có nghĩa là năng suất tổng thể của nó đã tăng 34% so với NAND 176 lớp, vì có thể tạo ra nhiều chip hơn với mật độ trên một đơn vị diện tích từ mỗi tấm wafer.
Tốc độ truyền dữ liệu của sản phẩm 238 lớp là 2,4Gb mỗi giây, tăng 50% so với thế hệ trước. Năng lượng tiêu thụ để đọc dữ liệu đã giảm 21%, thành tích đáp ứng cam kết ESG của công ty.
Các sản phẩm bộ nhớ NAND 238 lớp đầu tiên sẽ được áp dụng cho các ổ Client SSD được sử dụng làm thiết bị lưu trữ trên PC, trước khi được cung cấp cho smartphone và ổ SSD dung lượng cao cho máy chủ sau này. Công ty cũng sẽ giới thiệu sản phẩm 238 lớp trong 1 Terabit (Tb) vào năm tới, với mật độ tăng gấp đôi so với sản phẩm 512Gb hiện tại.
Theo Business Korea
Công ty gần đây đã đưa các mẫu sản phẩm 4D NAND triple level cell (TLC) 512Gb với 238 lớp cho khách hàng, với kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt vào nửa đầu năm 2023.
Công ty cho biết: “Đây là thành tựu mới nhất của chúng tôi sau sản phẩm bộ nhớ NAND 176 lớp, ra mắt vào tháng 12/2020. Đáng chú ý là sản phẩm mới không chỉ đạt kỷ lục về số lớp mà còn có kích thước nhỏ nhất so với các sản phẩm cùng loại trên thị trường.”
Các sản phẩm NAND Flash được phân thành 5 loại bao gồm Single Level Cell, Multi Level Cell, Triple Level Cell, Quadruple Level Cell và Penta Level Cell, tùy thuộc vào số lượng thông tin (đơn vị: bit) chứa trong một tế bào (cell). Lượng thông tin chứa trong một tế bào càng nhiều, đồng nghĩa với dữ liệu được lưu trữ trong cùng một phạm vi khu vực càng lớn.
Công ty đã công bố việc phát triển sản phẩm mới tại Flash Memory Summit 2022 (FMS 2022) - hội nghị lớn nhất thế giới dành cho ngành NAND Flash diễn ra hàng năm ở Santa Clara. Phát biểu tại hội nghị, ông Choi Jung-dal, người đứng đầu Bộ phận Phát triển NAND tại SK hynix, cho biết:
“SK hynix đã chứng tỏ khả năng cạnh tranh hàng đầu trên toàn cầu về chi phí, hiệu suất và chất lượng bằng cách giới thiệu sản phẩm 238 lớp dựa trên công nghệ 4D NAND. Chúng tôi sẽ tiếp tục đổi mới để tìm ra những đột phá trong công nghệ”.
Kể từ khi phát triển sản phẩm NAND 96 lớp vào năm 2018, SK hynix đã giới thiệu một loạt sản phẩm 4D vượt trội hơn các sản phẩm 3D hiện có. Công ty đã áp dụng công nghệ “charge trap flash” (CTF) và công nghệ “peri under cell” (PUC) để tạo ra chip có cấu trúc 4D. Các sản phẩm 4D có diện tích mỗi tế bào trên một đơn vị nhỏ hơn so với 3D, dẫn đến hiệu quả sản xuất cao hơn.
Không giống như cổng nổi lưu trữ điện tích trong dây dẫn, CTF lưu trữ điện tích trong chất cách điện, giúp loại bỏ nhiễu giữa các tế bào, cải thiện hiệu suất đọc và ghi, đồng thời giảm diện tích tế bào trên một đơn vị so với công nghệ cổng nổi (floating gate). Trong khi đó, PUC là công nghệ tối đa hóa hiệu quả sản xuất bằng cách đặt các mạch ngoại vi dưới mảng tế bào.
Sản phẩm chứa tới 238 lớp - số lớp cao nhất hiện nay nhưng cũng đồng thời là NAND có kích thước nhỏ nhất. Điều này có nghĩa là năng suất tổng thể của nó đã tăng 34% so với NAND 176 lớp, vì có thể tạo ra nhiều chip hơn với mật độ trên một đơn vị diện tích từ mỗi tấm wafer.
Tốc độ truyền dữ liệu của sản phẩm 238 lớp là 2,4Gb mỗi giây, tăng 50% so với thế hệ trước. Năng lượng tiêu thụ để đọc dữ liệu đã giảm 21%, thành tích đáp ứng cam kết ESG của công ty.
Các sản phẩm bộ nhớ NAND 238 lớp đầu tiên sẽ được áp dụng cho các ổ Client SSD được sử dụng làm thiết bị lưu trữ trên PC, trước khi được cung cấp cho smartphone và ổ SSD dung lượng cao cho máy chủ sau này. Công ty cũng sẽ giới thiệu sản phẩm 238 lớp trong 1 Terabit (Tb) vào năm tới, với mật độ tăng gấp đôi so với sản phẩm 512Gb hiện tại.
Theo Business Korea
