Homelander The Seven
I will laser every f****** one of you!
SK hynix vừa công bố sản xuất hàng loạt chip NAND flash 321 lớp đầu tiên trên thế giới. Theo thông cáo báo chí, công ty sẽ cung cấp cho khách hàng chip NAND flash 321 lớp với dung lượng 1TB, bắt đầu từ nửa đầu năm 2025.
Chip NAND flash 321 lớp của SK hynix được xây dựng trên công nghệ mà công ty gọi là quy trình "3 plugs". Công nghệ này được cho là có hiệu suất sản xuất vượt trội và "...kết nối điện ba plugs thông qua một quy trình tối ưu sau khi ba lần quy trình plug hoàn tất". "Đối với quy trình này, SK hynix đã phát triển một vật liệu chịu áp lực thấp đồng thời giới thiệu công nghệ tự động điều chỉnh sự liên kết giữa các plugs."
SK hynix cũng sử dụng chung nền tảng phát triển cho chip NAND 321 lớp và chip flash 238 lớp thế hệ trước, giúp cải thiện 59% năng suất sản xuất chip 321 lớp. Việc chuyển sang 321 lớp được cho là đã cải thiện tốc độ truyền dữ liệu lên 12% và hiệu suất đọc lên 13% so với thế hệ trước. Hiệu suất năng lượng cũng được tăng hơn 10%.
Chip NAND flash 321 lớp hiện là chip flash có số lớp cao nhất trong ngành. Samsung là đối thủ gần nhất với chip NAND flash 280 lớp, nhưng họ đang tích cực phát triển chip flash 300 lớp và thậm chí 400 lớp để cạnh tranh với SK hynix. Micron, YMTC và Kioxia tụt hậu hơn, với kiến trúc 232 lớp và 218 lớp tại thời điểm này.
Chip NAND flash 300 lớp thế hệ tiếp theo của Samsung được cho là sẽ được sản xuất khác với SK hynix. Nó sẽ sử dụng kỹ thuật "xếp chồng kép", tức là đặt một chồng NAND 3D lên một tấm wafer 300 mm và xây dựng một chồng flash khác lên trên chồng đầu tiên. Giải pháp của SK hynix được cho là hiệu quả hơn và sử dụng ba lớp.
Chip NAND flash 321 lớp của SK hynix được xây dựng trên công nghệ mà công ty gọi là quy trình "3 plugs". Công nghệ này được cho là có hiệu suất sản xuất vượt trội và "...kết nối điện ba plugs thông qua một quy trình tối ưu sau khi ba lần quy trình plug hoàn tất". "Đối với quy trình này, SK hynix đã phát triển một vật liệu chịu áp lực thấp đồng thời giới thiệu công nghệ tự động điều chỉnh sự liên kết giữa các plugs."
SK hynix cũng sử dụng chung nền tảng phát triển cho chip NAND 321 lớp và chip flash 238 lớp thế hệ trước, giúp cải thiện 59% năng suất sản xuất chip 321 lớp. Việc chuyển sang 321 lớp được cho là đã cải thiện tốc độ truyền dữ liệu lên 12% và hiệu suất đọc lên 13% so với thế hệ trước. Hiệu suất năng lượng cũng được tăng hơn 10%.
Chip NAND flash 321 lớp hiện là chip flash có số lớp cao nhất trong ngành. Samsung là đối thủ gần nhất với chip NAND flash 280 lớp, nhưng họ đang tích cực phát triển chip flash 300 lớp và thậm chí 400 lớp để cạnh tranh với SK hynix. Micron, YMTC và Kioxia tụt hậu hơn, với kiến trúc 232 lớp và 218 lớp tại thời điểm này.
Chip NAND flash 300 lớp thế hệ tiếp theo của Samsung được cho là sẽ được sản xuất khác với SK hynix. Nó sẽ sử dụng kỹ thuật "xếp chồng kép", tức là đặt một chồng NAND 3D lên một tấm wafer 300 mm và xây dựng một chồng flash khác lên trên chồng đầu tiên. Giải pháp của SK hynix được cho là hiệu quả hơn và sử dụng ba lớp.
