From Beijing with Love
Cháu đã lớn thế này rồi à. Lại đây chú ôm cái coi.
SK Hynix vừa công bố bộ nhớ HBM3e 12-High và SOCAMM thế hệ tiếp theo cùng với sản phẩm mẫu HBM4 12-High đầu tiên trên thế giới.
SK Hynix đã và đang tiến nhanh với các sản phẩm bộ nhớ cải tiến của mình cho phần cứng máy tính hàng đầu trong ngành, chẳng hạn như GPU trung tâm dữ liệu hiệu suất cao. Công ty đã thông báo rằng họ sẽ công bố bộ nhớ HBM3E 12-high và SOCAMM hàng đầu của mình tại sự kiện GTC 2025, hiện đang được tổ chức từ ngày 17 đến ngày 21 tháng 3 tại San Jose, California.
Công ty đã là một đối thủ cạnh tranh khốc liệt với Samsung và Micron và đã sản xuất bộ nhớ SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) mới nhất cho chip AI mạnh mẽ của NVIDIA. Điều này dựa trên bộ nhớ CAMM phổ biến, được sử dụng trên chip của NVIDIA nhưng sẽ là DRAM công suất thấp.
Bộ nhớ SOCAMM của SK Hynix giúp tăng dung lượng bộ nhớ một cách đáng kể, tăng hiệu suất trong khối lượng công việc AI trong khi vẫn tiết kiệm điện. Ngoài SOCAMM, SK Hynix cũng sẽ giới thiệu bộ nhớ HBM3E 12-High mà hãng đã cung cấp cho NVIDIA để sản xuất GPU Blackwell GB300 mới nhất. SK Hynix đã độc quyền thỏa thuận với NVIDIA cho chip AI GB300 và có vị trí dẫn đầu mạnh mẽ so với các đối thủ cạnh tranh.
SK Hynix đã sản xuất hàng loạt HBM3E 12H vào tháng 9 năm ngoái, trong khi Samsung sẽ cần thêm vài tháng nữa để bắt kịp SK Hynix. Các giám đốc điều hành hàng đầu của SK Hynix sẽ giới thiệu các sản phẩm tại sự kiện GTC và sẽ bao gồm những nhân vật như Giám đốc điều hành Kwak Noh-Jung, Chủ tịch & Giám đốc CMO AI Infra Juseon Kim, và Giám đốc S&M Toàn cầu, Lee Sangrak.
Cuối cùng, công ty cũng giới thiệu bộ nhớ HBM4 12-high hàng đầu hiện đang được phát triển và giao hàng mẫu cho các khách hàng hàng đầu gồm cả NVIDIA. Bộ nhớ HBM4 12-High mang lại dung lượng lên đến 36 GB mỗi ngăn xếp và cũng có tốc độ dữ liệu lên đến 2 TB/giây. Công ty dự kiến sẽ sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 12-H vào nửa cuối năm 2025 và sẽ sử dụng tiến trình 3nm của TSMC.
SK Hynix đã và đang tiến nhanh với các sản phẩm bộ nhớ cải tiến của mình cho phần cứng máy tính hàng đầu trong ngành, chẳng hạn như GPU trung tâm dữ liệu hiệu suất cao. Công ty đã thông báo rằng họ sẽ công bố bộ nhớ HBM3E 12-high và SOCAMM hàng đầu của mình tại sự kiện GTC 2025, hiện đang được tổ chức từ ngày 17 đến ngày 21 tháng 3 tại San Jose, California.
Công ty đã là một đối thủ cạnh tranh khốc liệt với Samsung và Micron và đã sản xuất bộ nhớ SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) mới nhất cho chip AI mạnh mẽ của NVIDIA. Điều này dựa trên bộ nhớ CAMM phổ biến, được sử dụng trên chip của NVIDIA nhưng sẽ là DRAM công suất thấp.
Bộ nhớ SOCAMM của SK Hynix giúp tăng dung lượng bộ nhớ một cách đáng kể, tăng hiệu suất trong khối lượng công việc AI trong khi vẫn tiết kiệm điện. Ngoài SOCAMM, SK Hynix cũng sẽ giới thiệu bộ nhớ HBM3E 12-High mà hãng đã cung cấp cho NVIDIA để sản xuất GPU Blackwell GB300 mới nhất. SK Hynix đã độc quyền thỏa thuận với NVIDIA cho chip AI GB300 và có vị trí dẫn đầu mạnh mẽ so với các đối thủ cạnh tranh.
SK Hynix đã sản xuất hàng loạt HBM3E 12H vào tháng 9 năm ngoái, trong khi Samsung sẽ cần thêm vài tháng nữa để bắt kịp SK Hynix. Các giám đốc điều hành hàng đầu của SK Hynix sẽ giới thiệu các sản phẩm tại sự kiện GTC và sẽ bao gồm những nhân vật như Giám đốc điều hành Kwak Noh-Jung, Chủ tịch & Giám đốc CMO AI Infra Juseon Kim, và Giám đốc S&M Toàn cầu, Lee Sangrak.
Cuối cùng, công ty cũng giới thiệu bộ nhớ HBM4 12-high hàng đầu hiện đang được phát triển và giao hàng mẫu cho các khách hàng hàng đầu gồm cả NVIDIA. Bộ nhớ HBM4 12-High mang lại dung lượng lên đến 36 GB mỗi ngăn xếp và cũng có tốc độ dữ liệu lên đến 2 TB/giây. Công ty dự kiến sẽ sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 12-H vào nửa cuối năm 2025 và sẽ sử dụng tiến trình 3nm của TSMC.
