Snapdragon 8 Gen 4 lộ điểm hiệu năng, bị ép giảm xung mà còn khoẻ hơn 8 Gen 2 chạy hết sức

[dadieu001b]

Thông qua một số bài test benchmark chiếc điện thoại thử nghiệm của Qualcomm, Snapdragon 8 Gen 4 chỉ chạy ở mức xung thấp và trung bình vẫn có điểm hiệu năng vượt 8 Gen 2.

Thế hệ vi xử lý smartphone Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4 dự kiến sẽ ra mắt vào mùa thu này. Nó hiện đang gần hoàn thành giai đoạn phát triển, và nhiều người tin rằng các nhà sản xuất OEM đã có được nguyên mẫu kỹ thuật để kiểm tra thử nghiệm. Dự kiến Snapdragon 8 Gen 4 sẽ lên dây chuyền sản xuất hàng loạt vào ngày 10/9.
Nhưng trước khi thời điểm đó tới, một người dùng mạng xã hội tại Trung Quốc đã đăng tải video kết quả chạy thử một số bài benchmark trên chiếc điện thoại thử nghiệm của Qualcomm với chip mới. Cần lưu ý rằng bản mẫu này vẫn chưa được tối ưu hoá khi bị ép xung các lõi hiệu năng cao thấp hơn nhiều.
Về điểm số AnTuTu, chiếc điện thoại thử nghiệm Snapdragon 8 Gen 4 đạt khoảng 1,7 triệu đến 1,9 triệu điểm, nhưng kết quả đều chạy ở tần số rất thấp. Theo người đăng video, hiệu năng ở các mức xung nhịp trung và thấp của nó đã vượt qua hiệu năng Snapdragon 8 Gen 2 hiện có khi chạy ở công suất tối đa.

Bên cạnh video, người này cũng đăng tải một số tài liệu kỹ thuật nội bộ của Qualcomm về Snapdragon 8 Gen 4. Theo đó, Snapdragon 8 Gen 4 được xây dựng trên quy trình 3nm và sử dụng lõi Oryon mới do Qualcomm tự phát triển. Nó có hệ thống con AI công suất thấp, được trang bị bộ tăng tốc DSP và Al (eNPU) chuyên dụng, đồng thời tích hợp codec âm thanh Qualcomm WCD9395 hỗ trợ Wi-Fi 7 và Bluetooth 5.4. Một vài thông tin nhạy cảm đã bị làm mờ và che đi trong các tài liệu này.
>> Hé lộ chiếc flagship Android đầu tiên được trang bị chip Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4