Hail the Judge
Ta chơi xong không trả tiền, vậy đâu có gọi là bán
Các hệ thống máy tính hiện đại dựa vào sự kết hợp giữa DRAM tốc độ cao cho xử lý hoạt động và bộ nhớ flash cho lưu trữ dữ liệu dài hạn. Tuy nhiên, Kioxia đang nỗ lực tạo ra một tầng lớp mới trong hệ thống phân cấp bộ nhớ với Storage Class Memory (SCM) - một phương tiện dung lượng cao, tốc độ cao nằm giữa DRAM và flash, cung cấp cả khả năng lưu giữ dữ liệu và nguồn điện. Nó có thể xử lý lượng dữ liệu lớn hơn đáng kể so với DRAM.
Kioxia, cha đẻ công nghệ chip nhớ, sắp ra mắt ba công nghệ tiên tiến, tập trung vào SCM, DRAM và NAND 3D.
Đầu tiên là OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), được phát triển chung với Nanya Technology. Thiết kế bóng bán dẫn dọc này sử dụng vật liệu bán dẫn oxit để giảm đáng kể rò rỉ dòng điện và tiêu thụ điện năng so với DRAM thông thường. Theo Kioxia, sự đổi mới này có thể là một yếu tố thay đổi cuộc chơi cho AI, mạng sau 5G, thiết bị IoT và các ứng dụng khác mà hiệu quả năng lượng là rất quan trọng.
Tiếp theo là MRAM điểm giao nhau dung lượng cao (Magnetoresistive RAM), được phát triển với sự hợp tác của SK hynix cho các ứng dụng SCM. Hai công ty đã đạt được hoạt động đọc/ghi ô ở nửa bước ô 20,5 nanomet chưa từng có đối với MRAM, nhờ tích hợp các bộ chọn dung lượng cao với các điểm nối đường hầm từ tính.
Cuối cùng, bước đột phá mới nhất của Kioxia trong bộ nhớ flash NAND 3D giới thiệu kiến trúc "kênh ngang" mới. Không giống như xếp chồng theo chiều dọc truyền thông, thiết kế này sắp xếp các ô nhớ theo chiều ngang, khắc phục các vấn đề suy giảm hiệu suất phổ biến trong NAND 3D mật độ cao. Cách tiếp cận theo chiều ngang nhằm mục đích cải thiện mật độ bit, độ tin cậy và hiệu quả chi phí cho các thế hệ NAND 3D trong tương lai.
Với sứ mệnh "nâng cao thế giới bằng bộ nhớ", Kioxia đã tuyên bố cam kết tiên phong trong kỷ nguyên công nghệ bộ nhớ mới. Công ty cũng nhấn mạnh sự cống hiến của mình cho hoạt động nghiên cứu và phát triển liên tục để hỗ trợ "tương lai của xã hội kỹ thuật số." Tất nhiên, vẫn còn nhiều việc phải làm để thương mại hóa những đột phá này. Mặc dù các công nghệ vẫn đang trong phòng thí nghiệm, nhưng chúng có tiềm năng thay đổi đáng kể bối cảnh bộ nhớ.
#KIOXIA
Kioxia, cha đẻ công nghệ chip nhớ, sắp ra mắt ba công nghệ tiên tiến, tập trung vào SCM, DRAM và NAND 3D.
Đầu tiên là OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), được phát triển chung với Nanya Technology. Thiết kế bóng bán dẫn dọc này sử dụng vật liệu bán dẫn oxit để giảm đáng kể rò rỉ dòng điện và tiêu thụ điện năng so với DRAM thông thường. Theo Kioxia, sự đổi mới này có thể là một yếu tố thay đổi cuộc chơi cho AI, mạng sau 5G, thiết bị IoT và các ứng dụng khác mà hiệu quả năng lượng là rất quan trọng.
Tiếp theo là MRAM điểm giao nhau dung lượng cao (Magnetoresistive RAM), được phát triển với sự hợp tác của SK hynix cho các ứng dụng SCM. Hai công ty đã đạt được hoạt động đọc/ghi ô ở nửa bước ô 20,5 nanomet chưa từng có đối với MRAM, nhờ tích hợp các bộ chọn dung lượng cao với các điểm nối đường hầm từ tính.
Cuối cùng, bước đột phá mới nhất của Kioxia trong bộ nhớ flash NAND 3D giới thiệu kiến trúc "kênh ngang" mới. Không giống như xếp chồng theo chiều dọc truyền thông, thiết kế này sắp xếp các ô nhớ theo chiều ngang, khắc phục các vấn đề suy giảm hiệu suất phổ biến trong NAND 3D mật độ cao. Cách tiếp cận theo chiều ngang nhằm mục đích cải thiện mật độ bit, độ tin cậy và hiệu quả chi phí cho các thế hệ NAND 3D trong tương lai.
Với sứ mệnh "nâng cao thế giới bằng bộ nhớ", Kioxia đã tuyên bố cam kết tiên phong trong kỷ nguyên công nghệ bộ nhớ mới. Công ty cũng nhấn mạnh sự cống hiến của mình cho hoạt động nghiên cứu và phát triển liên tục để hỗ trợ "tương lai của xã hội kỹ thuật số." Tất nhiên, vẫn còn nhiều việc phải làm để thương mại hóa những đột phá này. Mặc dù các công nghệ vẫn đang trong phòng thí nghiệm, nhưng chúng có tiềm năng thay đổi đáng kể bối cảnh bộ nhớ.
#KIOXIA
