Hail the Judge
Ta chơi xong không trả tiền, vậy đâu có gọi là bán
Ferroelectric Memory Co. (FMC) đã hợp tác với Neumonda để tái thiết lập việc sản xuất loại bộ nhớ được gọi là DRAM+ tại Đức. Đã một thời gian dài kể từ khi Infineon và Qimonda phát triển và sản xuất bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) tại Đức, do việc sản xuất bộ nhớ thông thường (commodity memory) ở châu Âu trở nên không có lợi nhuận. Tuy nhiên, liên doanh mới giữa FMC và Neumonda sẽ tập trung vào bộ nhớ FeRAM không biến đổi (non-volatile FeRAM) nhắm đến các ứng dụng cụ thể.
FMC chuyên về loại bộ nhớ sử dụng hafnium oxide (HfO₂) có tính sắt điện (ferroelectric) để tạo ra DRAM+ có khả năng duy trì dữ liệu mà không cần nguồn điện. Công nghệ này thay thế tụ điện điển hình trong DRAM bằng một phiên bản không biến đổi, giúp duy trì hiệu suất cao đồng thời tăng thêm hiệu quả năng lượng và khả năng lưu trữ dữ liệu. FMC tin rằng bộ nhớ của họ có thể được sử dụng cho nhiều ứng dụng khác nhau, bao gồm AI, ô tô, tiêu dùng, công nghiệp và y tế.
Các công nghệ FeRAM cũ hơn (thường sử dụng chì zirconate titanate, hay PZT, làm lớp sắt điện) bị hạn chế về dung lượng. Hầu hết các sản phẩm thương mại chỉ đạt mức vài megabyte, với 4MB hoặc 8MB là khá phổ biến. PZT không dễ thu nhỏ theo các nút quy trình ngày càng giảm, và việc tích hợp với các quy trình CMOS tiêu chuẩn rất khó khăn và tốn kém. Do đó, các cấu trúc ô nhớ như 1T1C (một bóng bán dẫn, một tụ điện) tiêu tốn nhiều diện tích hơn so với DRAM hoặc NAND.
Việc chuyển sang sử dụng hafnium oxide là một yếu tố thay đổi cuộc chơi. HfO₂ tương thích với CMOS, có thể thu nhỏ xuống dưới 10nm và có thể tích hợp với các quy trình sản xuất bán dẫn hiện có. Do đó, việc sử dụng nó cho phép đạt được mật độ và hiệu suất cao hơn, có khả năng nằm trong phạm vi gigabit đến gigabyte, đưa nó đến gần hơn với DRAM.
"FMC được thành lập để khai thác phát minh đột phá về hiệu ứng sắt điện của HfO₂ cho bộ nhớ bán dẫn. Khi áp dụng vào DRAM, nó biến tụ điện DRAM thành một thiết bị lưu trữ không biến đổi, tiêu thụ điện năng thấp trong khi vẫn duy trì hiệu suất DRAM cao để tạo ra một loại bộ nhớ DRAM không biến đổi đột phá, lý tưởng cho tính toán AI," CEO Thomas Rueckes của FMC giải thích. "Vì công nghệ của chúng tôi là độc nhất trên thị trường, việc kiểm tra hiệu quả chi phí cho các sản phẩm bộ nhớ của chúng tôi có tầm quan trọng lớn đối với các sản phẩm mà chúng tôi cung cấp. Với Neumonda và phương pháp kiểm tra hoàn toàn mới của họ, chúng tôi đã tìm thấy một đối tác có thể giúp chúng tôi đẩy nhanh quá trình phát triển sản phẩm. Chúng tôi cũng rất vui mừng được hợp tác với Neumonda vì chúng tôi chia sẻ tầm nhìn chung về việc đưa ngành Bộ nhớ trở lại Châu Âu."
Neumonda sẽ hỗ trợ FMC bằng cách tư vấn và cung cấp quyền truy cập vào các hệ thống kiểm tra tiên tiến của mình: Rhinoe, Octopus và Raptor. Các nền tảng này được thiết kế để kiểm tra bộ nhớ độc lập, tiết kiệm năng lượng và chi phí thấp. Hệ thống của Neumonda cung cấp khả năng phân tích chi tiết mà các thiết bị truyền thống không thể thực hiện được và hoạt động với chi phí thấp hơn đáng kể. Cùng nhau, hai công ty không chỉ đang thúc đẩy một sản phẩm bộ nhớ mới mà còn đặt nền móng cho sự hồi sinh rộng lớn hơn của năng lực bán dẫn châu Âu. Những nỗ lực chung của họ nhằm mục đích xây dựng lại một hệ sinh thái địa phương cho việc thiết kế và kiểm tra bộ nhớ tiên tiến.
FMC chuyên về loại bộ nhớ sử dụng hafnium oxide (HfO₂) có tính sắt điện (ferroelectric) để tạo ra DRAM+ có khả năng duy trì dữ liệu mà không cần nguồn điện. Công nghệ này thay thế tụ điện điển hình trong DRAM bằng một phiên bản không biến đổi, giúp duy trì hiệu suất cao đồng thời tăng thêm hiệu quả năng lượng và khả năng lưu trữ dữ liệu. FMC tin rằng bộ nhớ của họ có thể được sử dụng cho nhiều ứng dụng khác nhau, bao gồm AI, ô tô, tiêu dùng, công nghiệp và y tế.
Các công nghệ FeRAM cũ hơn (thường sử dụng chì zirconate titanate, hay PZT, làm lớp sắt điện) bị hạn chế về dung lượng. Hầu hết các sản phẩm thương mại chỉ đạt mức vài megabyte, với 4MB hoặc 8MB là khá phổ biến. PZT không dễ thu nhỏ theo các nút quy trình ngày càng giảm, và việc tích hợp với các quy trình CMOS tiêu chuẩn rất khó khăn và tốn kém. Do đó, các cấu trúc ô nhớ như 1T1C (một bóng bán dẫn, một tụ điện) tiêu tốn nhiều diện tích hơn so với DRAM hoặc NAND.
Việc chuyển sang sử dụng hafnium oxide là một yếu tố thay đổi cuộc chơi. HfO₂ tương thích với CMOS, có thể thu nhỏ xuống dưới 10nm và có thể tích hợp với các quy trình sản xuất bán dẫn hiện có. Do đó, việc sử dụng nó cho phép đạt được mật độ và hiệu suất cao hơn, có khả năng nằm trong phạm vi gigabit đến gigabyte, đưa nó đến gần hơn với DRAM.
"FMC được thành lập để khai thác phát minh đột phá về hiệu ứng sắt điện của HfO₂ cho bộ nhớ bán dẫn. Khi áp dụng vào DRAM, nó biến tụ điện DRAM thành một thiết bị lưu trữ không biến đổi, tiêu thụ điện năng thấp trong khi vẫn duy trì hiệu suất DRAM cao để tạo ra một loại bộ nhớ DRAM không biến đổi đột phá, lý tưởng cho tính toán AI," CEO Thomas Rueckes của FMC giải thích. "Vì công nghệ của chúng tôi là độc nhất trên thị trường, việc kiểm tra hiệu quả chi phí cho các sản phẩm bộ nhớ của chúng tôi có tầm quan trọng lớn đối với các sản phẩm mà chúng tôi cung cấp. Với Neumonda và phương pháp kiểm tra hoàn toàn mới của họ, chúng tôi đã tìm thấy một đối tác có thể giúp chúng tôi đẩy nhanh quá trình phát triển sản phẩm. Chúng tôi cũng rất vui mừng được hợp tác với Neumonda vì chúng tôi chia sẻ tầm nhìn chung về việc đưa ngành Bộ nhớ trở lại Châu Âu."
Neumonda sẽ hỗ trợ FMC bằng cách tư vấn và cung cấp quyền truy cập vào các hệ thống kiểm tra tiên tiến của mình: Rhinoe, Octopus và Raptor. Các nền tảng này được thiết kế để kiểm tra bộ nhớ độc lập, tiết kiệm năng lượng và chi phí thấp. Hệ thống của Neumonda cung cấp khả năng phân tích chi tiết mà các thiết bị truyền thống không thể thực hiện được và hoạt động với chi phí thấp hơn đáng kể. Cùng nhau, hai công ty không chỉ đang thúc đẩy một sản phẩm bộ nhớ mới mà còn đặt nền móng cho sự hồi sinh rộng lớn hơn của năng lực bán dẫn châu Âu. Những nỗ lực chung của họ nhằm mục đích xây dựng lại một hệ sinh thái địa phương cho việc thiết kế và kiểm tra bộ nhớ tiên tiến.
