Mẫn Nhi✔
Admin xinh gái
Để giải bài toán băng thông và tiêu thụ điện năng cho các hệ thống AI, Samsung vừa giới thiệu chiến lược bộ nhớ thế hệ mới. Đáng chú ý nhất là kiến trúc zHBM xếp chồng bộ nhớ ngay trên chip xử lý và dòng V-NAND sở hữu hơn 400 lớp.
Sự bùng nổ của các mô hình AI đang đặt ra thách thức cực lớn cho hạ tầng phần cứng, đặc biệt là khoảng cách truyền tải dữ liệu giữa bộ nhớ và vi xử lý. Tại sự kiện Future of Memory and Storage 2026 diễn ra ở Santa Clara (California, Mỹ), Samsung đã đưa ra câu trả lời bằng lộ trình phát triển bộ nhớ mới, tập trung vào ba công nghệ cốt lõi: zHBM, zNAND-O và V10 BV-NAND.
Các giải pháp này hướng tới cả hai mảng riêng biệt: các trung tâm dữ liệu đào tạo AI quy mô lớn và các thiết bị AI tại biên (Edge AI) đòi hỏi độ trễ thấp cùng khả năng kiểm soát năng lượng chặt chẽ.
Việc rút ngắn tối đa khoảng cách vật lý giữa vi xử lý và bộ nhớ giúp tăng đáng kể băng thông, đồng thời tối ưu hiệu suất năng lượng cho quá trình huấn luyện lẫn suy luận AI.
Theo công bố từ Samsung, hệ thống giao tiếp thế hệ mới sử dụng zHBM dự kiến cho hiệu năng cao gấp khoảng 8 lần so với HBM5. Nhờ công nghệ đóng gói wafer bonding, zHBM có thể đạt mật độ bộ nhớ cao gấp 10 lần HBM5, tăng hiệu quả sử dụng năng lượng lên 3 lần và giảm hơn 50% nhiệt trở. Điều này giúp các hệ thống dung lượng cao, băng thông lớn hoạt động ổn định và dễ làm mát hơn hẳn.
Ngoài ra, thiết kế zHBM còn đem lại sự linh hoạt cho các nhà sản xuất phần cứng. Công nghệ này hỗ trợ tùy biến theo yêu cầu khách hàng, cho phép chèn các lớp IP tùy chỉnh vào giữa chồng bộ nhớ và chip tăng tốc AI để mở rộng dung lượng hoặc thêm các mạch logic phục vụ riêng cho từng tác vụ AI cụ thể.
Số lượng lớp tăng vượt trội giúp đẩy mật độ lưu trữ và hiệu năng lên cao hơn, đồng thời giảm mức tiêu thụ điện. Samsung cho biết V10 BV-NAND giúp tăng mật độ bộ nhớ khoảng 58% so với thế hệ V9 trước đó, cải thiện toàn diện tốc độ đọc, ghi và truyền tải dữ liệu I/O nhằm phục vụ cho các ứng dụng AI dung lượng cao trong tương lai.
zNAND-O được định vị là sự kết hợp giữa không gian lưu trữ hiệu quả, hiệu năng I/O cải tiến và độ trễ cực thấp. Công nghệ này giải quyết tốt các tác vụ AI xử lý dữ liệu nặng theo thời gian thực ngay tại thiết bị đầu cuối, lấp đầy khoảng trống giữa chip NAND lưu trữ truyền thống và các bộ nhớ chuyên dụng cho suy luận nhanh.
Sự bùng nổ của các mô hình AI đang đặt ra thách thức cực lớn cho hạ tầng phần cứng, đặc biệt là khoảng cách truyền tải dữ liệu giữa bộ nhớ và vi xử lý. Tại sự kiện Future of Memory and Storage 2026 diễn ra ở Santa Clara (California, Mỹ), Samsung đã đưa ra câu trả lời bằng lộ trình phát triển bộ nhớ mới, tập trung vào ba công nghệ cốt lõi: zHBM, zNAND-O và V10 BV-NAND.
Các giải pháp này hướng tới cả hai mảng riêng biệt: các trung tâm dữ liệu đào tạo AI quy mô lớn và các thiết bị AI tại biên (Edge AI) đòi hỏi độ trễ thấp cùng khả năng kiểm soát năng lượng chặt chẽ.
zHBM: Đặt bộ nhớ ngay trên đỉnh chip AI
Trong các hệ thống hiện tại, chip nhớ HBM thường được đặt nằm cạnh vi xử lý AI. Với zHBM, Samsung thay đổi hoàn toàn cách sắp xếp này bằng việc xếp chồng trực tiếp HBM lên trên các chip tăng tốc AI (AI accelerator).Việc rút ngắn tối đa khoảng cách vật lý giữa vi xử lý và bộ nhớ giúp tăng đáng kể băng thông, đồng thời tối ưu hiệu suất năng lượng cho quá trình huấn luyện lẫn suy luận AI.
Theo công bố từ Samsung, hệ thống giao tiếp thế hệ mới sử dụng zHBM dự kiến cho hiệu năng cao gấp khoảng 8 lần so với HBM5. Nhờ công nghệ đóng gói wafer bonding, zHBM có thể đạt mật độ bộ nhớ cao gấp 10 lần HBM5, tăng hiệu quả sử dụng năng lượng lên 3 lần và giảm hơn 50% nhiệt trở. Điều này giúp các hệ thống dung lượng cao, băng thông lớn hoạt động ổn định và dễ làm mát hơn hẳn.
Ngoài ra, thiết kế zHBM còn đem lại sự linh hoạt cho các nhà sản xuất phần cứng. Công nghệ này hỗ trợ tùy biến theo yêu cầu khách hàng, cho phép chèn các lớp IP tùy chỉnh vào giữa chồng bộ nhớ và chip tăng tốc AI để mở rộng dung lượng hoặc thêm các mạch logic phục vụ riêng cho từng tác vụ AI cụ thể.
V10 BV-NAND: Chip nhớ đầu tiên đạt mốc hơn 400 lớp
Sản phẩm cụ thể nhất được công bố tại sự kiện là V10 BV-NAND, kiến trúc Bonding V-NAND đầu tiên trong ngành. Chip nhớ này ứng dụng kỹ thuật wafer bonding để xếp chồng các ô nhớ, đạt con số kỷ lục hơn 400 lớp trên một chip đơn.Số lượng lớp tăng vượt trội giúp đẩy mật độ lưu trữ và hiệu năng lên cao hơn, đồng thời giảm mức tiêu thụ điện. Samsung cho biết V10 BV-NAND giúp tăng mật độ bộ nhớ khoảng 58% so với thế hệ V9 trước đó, cải thiện toàn diện tốc độ đọc, ghi và truyền tải dữ liệu I/O nhằm phục vụ cho các ứng dụng AI dung lượng cao trong tương lai.
zNAND-O: Tối ưu cho các tác vụ Edge AI thời gian thực
Đối với mảng AI tại biên, Samsung đang phát triển giải pháp zNAND-O dựa trên công nghệ V-NAND, hiện có các phiên bản 4 lớp và 8 lớp.zNAND-O được định vị là sự kết hợp giữa không gian lưu trữ hiệu quả, hiệu năng I/O cải tiến và độ trễ cực thấp. Công nghệ này giải quyết tốt các tác vụ AI xử lý dữ liệu nặng theo thời gian thực ngay tại thiết bị đầu cuối, lấp đầy khoảng trống giữa chip NAND lưu trữ truyền thống và các bộ nhớ chuyên dụng cho suy luận nhanh.
