The Storm Riders
Writer
Một cựu trưởng phòng của Samsung Electronics đã bị kết án 7 năm tù giam và phạt 200 triệu won (khoảng 2,1 tỷ đồng) trong phiên tòa sơ thẩm vì đã chuyển giao công nghệ cốt lõi quốc gia về bán dẫn của Samsung Electronics và các công ty đối tác cho một đối thủ cạnh tranh Trung Quốc, gây thiệt hại hàng nghìn tỷ won cho ngành công nghiệp bán dẫn Hàn Quốc. Đây là mức án cao nhất từ trước đến nay đối với một vụ án rò rỉ công nghệ đơn lẻ.
Tòa án quận trung tâm Seoul vào ngày 19 đã tuyên án tù đối với cựu trưởng phòng, cũng như hai cựu nhân viên của một công ty thiết bị lắng đọng bán dẫn, những người cũng bị bắt giam, với mức án lần lượt là 2 năm 6 tháng và 1 năm 6 tháng.
Tòa án đã kết luận phần lớn các cáo buộc rằng họ đã lấy tài liệu kỹ thuật của ba công ty nạn nhân, bao gồm cả một công ty thiết bị lắng đọng bán dẫn, và thiết kế và sản xuất thiết bị lò (xử lý nhiệt) có khả năng lắng đọng theo phương pháp ALD (lắng đọng lớp nguyên tử) tại công ty bán dẫn Trung Quốc mà họ thành lập là có tội. Cựu trưởng phòng bị kết tội đã tiết lộ bí mật công nghệ cốt lõi quốc gia, chẳng hạn như thông tin quy trình bán dẫn DRAM 18nm của Samsung Electronics, khi ông chuyển đến nhà sản xuất DRAM Trung Quốc CXMT (ChangXin Memory Technologies) vào năm 2016, và thành lập một công ty thiết bị bán dẫn ở Trung Quốc vào năm 2022 với vốn đầu tư của Trung Quốc, và chỉ đạo các chuyên gia trong từng lĩnh vực quy trình mang công nghệ cốt lõi từ các công ty tương ứng của họ.
Tòa án chỉ ra rằng "đây là một tội ác nghiêm trọng có thể gây ảnh hưởng tiêu cực lớn đến khả năng cạnh tranh của ngành công nghiệp quốc gia Hàn Quốc." Ủy ban Lượng hình của Tòa án Tối cao đã tiếp tục xu hướng trừng phạt nghiêm khắc đối với tội phạm rò rỉ công nghệ, chẳng hạn như tăng tiêu chuẩn kết án đối với tội phạm rò rỉ công nghệ cốt lõi quốc gia ra nước ngoài lên mức tối đa là 18 năm tù vào tháng 3 năm ngoái.
Tòa án quận trung tâm Seoul vào ngày 19 đã tuyên án tù đối với cựu trưởng phòng, cũng như hai cựu nhân viên của một công ty thiết bị lắng đọng bán dẫn, những người cũng bị bắt giam, với mức án lần lượt là 2 năm 6 tháng và 1 năm 6 tháng.
Tòa án đã kết luận phần lớn các cáo buộc rằng họ đã lấy tài liệu kỹ thuật của ba công ty nạn nhân, bao gồm cả một công ty thiết bị lắng đọng bán dẫn, và thiết kế và sản xuất thiết bị lò (xử lý nhiệt) có khả năng lắng đọng theo phương pháp ALD (lắng đọng lớp nguyên tử) tại công ty bán dẫn Trung Quốc mà họ thành lập là có tội. Cựu trưởng phòng bị kết tội đã tiết lộ bí mật công nghệ cốt lõi quốc gia, chẳng hạn như thông tin quy trình bán dẫn DRAM 18nm của Samsung Electronics, khi ông chuyển đến nhà sản xuất DRAM Trung Quốc CXMT (ChangXin Memory Technologies) vào năm 2016, và thành lập một công ty thiết bị bán dẫn ở Trung Quốc vào năm 2022 với vốn đầu tư của Trung Quốc, và chỉ đạo các chuyên gia trong từng lĩnh vực quy trình mang công nghệ cốt lõi từ các công ty tương ứng của họ.
Tòa án chỉ ra rằng "đây là một tội ác nghiêm trọng có thể gây ảnh hưởng tiêu cực lớn đến khả năng cạnh tranh của ngành công nghiệp quốc gia Hàn Quốc." Ủy ban Lượng hình của Tòa án Tối cao đã tiếp tục xu hướng trừng phạt nghiêm khắc đối với tội phạm rò rỉ công nghệ, chẳng hạn như tăng tiêu chuẩn kết án đối với tội phạm rò rỉ công nghệ cốt lõi quốc gia ra nước ngoài lên mức tối đa là 18 năm tù vào tháng 3 năm ngoái.
