jakute123456
Pearl
Intel Foundry vừa đạt được một cột mốc quan trọng trong ngành công nghiệp sản xuất bán dẫn khi hoàn thiện máy quang khắc siêu cực tím (Extreme Ultraviolet, EUV) sử dụng công nghệ khẩu độ số học lớn (High Numerical Aperture, High NA) thương mại đầu tiên. Hệ thống này được đặt tại nhà máy của Intel ở Hillsboro, Oregon, Mỹ và đang trong quá trình hiệu chuẩn để sẵn sàng cho lộ trình sản xuất sắp tới của hãng.
Được phát triển bởi công ty sản xuất thiết bị quang khắc ASML, hệ thống High NA EUV của Intel nổi bật với khả năng thu nhỏ các chi tiết trên những thế hệ vi xử lý tiếp theo. Nhờ thiết kế quang học tiên tiến, việc in bản mạch lên các tấm bán dẫn silicon (wafer) trở nên chính xác hơn, tạo tiền đề cho sự ra đời của những bộ vi xử lý thế hệ mới mạnh mẽ hơn. Intel cho biết: "Với việc áp dụng công nghệ High NA EUV, Intel là đơn vị sở hữu hệ thống quang khắc toàn diện nhất trong ngành. Điều này giúp chúng tôi phát triển những tiến trình tương lai vượt trội hơn Intel 18A trong nửa sau của thập kỷ này".
Intel có lợi thế lớn trong sản xuất chip thế hệ mới khi là khách hàng đầu tiên sở hữu máy quang khắc High-NA EUV của ASML
Trước đó, ASML đã công bố việc sử dụng phương pháp quang khắc để tạo ra các đường mạch chỉ dày 10 nanomet (nm) đầu tiên tại phòng thí nghiệm High NA ở Veldhoven, Hà Lan. Đây là những đường mạch tối ưu nhất được in ra từ trước đến nay, thiết lập kỷ lục thế giới về độ phân giải tạo ra từ hệ thống quét quang khắc siêu cực tím (EUV lithography scanner). Khả năng in các đường mạch chỉ dày 10nm của ASML với hệ thống quang khắc toàn trường (full field) được xem là bước ngoặt quan trọng trong việc đưa công nghệ High NA EUV vào các hoạt động thương mại.
Kết hợp với các tiến trình tiên tiến khác của Intel Foundry, công nghệ High NA EUV có khả năng in ra các chi tiết với kích thước nhỏ hơn 1,7 lần so với các công cụ EUV hiện hành, giúp thu nhỏ các chi tiết 2D và nâng mật độ bóng bán dẫn cao hơn 2,9 lần. Nhờ đó, Intel tiếp tục đi đầu trong việc phát triển các vi mạch có kích thước nhỏ hơn, mật độ cao hơn, góp phần phát triển định luật Moore trong lĩnh vực sản xuất bán dẫn.
So với 0.33NA EUV, công nghệ High NA EUV (hoặc 0.55NA EUV) mang lại độ tương phản hình ảnh cao hơn trên cùng chi tiết. Qua đó, công nghệ này sử dụng ít ánh sáng hơn trong mỗi lần phơi sáng nhằm giảm thời gian cần thiết để in từng lớp và tăng sản lượng tấm bán dẫn.
Intel dự kiến sử dụng đồng thời cả hai hệ thống 0.33NA EUV và 0.55NA EUV cùng với các hệ thống quang khắc khác trong phát triển và sản xuất ra những sản phẩm chip tân tiến hơn. Quá trình này sẽ bắt đầu với việc thử nghiệm trên tiến trình Intel 18A vào năm 2025 và tiếp tục được áp dụng vào sản xuất tiến trình Intel 14A.
Được phát triển bởi công ty sản xuất thiết bị quang khắc ASML, hệ thống High NA EUV của Intel nổi bật với khả năng thu nhỏ các chi tiết trên những thế hệ vi xử lý tiếp theo. Nhờ thiết kế quang học tiên tiến, việc in bản mạch lên các tấm bán dẫn silicon (wafer) trở nên chính xác hơn, tạo tiền đề cho sự ra đời của những bộ vi xử lý thế hệ mới mạnh mẽ hơn. Intel cho biết: "Với việc áp dụng công nghệ High NA EUV, Intel là đơn vị sở hữu hệ thống quang khắc toàn diện nhất trong ngành. Điều này giúp chúng tôi phát triển những tiến trình tương lai vượt trội hơn Intel 18A trong nửa sau của thập kỷ này".
Trước đó, ASML đã công bố việc sử dụng phương pháp quang khắc để tạo ra các đường mạch chỉ dày 10 nanomet (nm) đầu tiên tại phòng thí nghiệm High NA ở Veldhoven, Hà Lan. Đây là những đường mạch tối ưu nhất được in ra từ trước đến nay, thiết lập kỷ lục thế giới về độ phân giải tạo ra từ hệ thống quét quang khắc siêu cực tím (EUV lithography scanner). Khả năng in các đường mạch chỉ dày 10nm của ASML với hệ thống quang khắc toàn trường (full field) được xem là bước ngoặt quan trọng trong việc đưa công nghệ High NA EUV vào các hoạt động thương mại.
Kết hợp với các tiến trình tiên tiến khác của Intel Foundry, công nghệ High NA EUV có khả năng in ra các chi tiết với kích thước nhỏ hơn 1,7 lần so với các công cụ EUV hiện hành, giúp thu nhỏ các chi tiết 2D và nâng mật độ bóng bán dẫn cao hơn 2,9 lần. Nhờ đó, Intel tiếp tục đi đầu trong việc phát triển các vi mạch có kích thước nhỏ hơn, mật độ cao hơn, góp phần phát triển định luật Moore trong lĩnh vực sản xuất bán dẫn.
So với 0.33NA EUV, công nghệ High NA EUV (hoặc 0.55NA EUV) mang lại độ tương phản hình ảnh cao hơn trên cùng chi tiết. Qua đó, công nghệ này sử dụng ít ánh sáng hơn trong mỗi lần phơi sáng nhằm giảm thời gian cần thiết để in từng lớp và tăng sản lượng tấm bán dẫn.
Intel dự kiến sử dụng đồng thời cả hai hệ thống 0.33NA EUV và 0.55NA EUV cùng với các hệ thống quang khắc khác trong phát triển và sản xuất ra những sản phẩm chip tân tiến hơn. Quá trình này sẽ bắt đầu với việc thử nghiệm trên tiến trình Intel 18A vào năm 2025 và tiếp tục được áp dụng vào sản xuất tiến trình Intel 14A.
