Intel vừa đăng ký một số tài liệu nghiên cứu với Hội nghị Thiết bị Điện tử Quốc tế (IEDM) năm nay, nhấn mạnh kế hoạch theo đuổi các vật liệu transistor 2D cùng những giải pháp đóng gói 3D mới. Điều này chứng minh những tuyên bố trước đây của CEO Pat Gelsinger liên quan đến các cải tiến thiết kê vi kiến trúc sắp tới của Intel. Theo Gary Patton của Intel, những tiến bộ mới sẽ giữ cho Định luật Moore tồn tại và phát triển tốt trong tương lai gần.
Đầu năm nay, CEO NVIDIA Jensen Huang lại tuyên bố rằng Định luật Moore đã chết trong phiên hỏi đáp về dòng sản phẩm RTX 4000. Dự đoán này lặp lại những tuyên bố tương tự của Huang trong Hội nghị Công nghệ GPU Bắc Kinh 2017.
Đệ trình nghiên cứu IEDM năm 2023 của công ty nhấn mạnh một số quy trình, vật liệu và công nghệ có thể giúp gã khổng lồ bán dẫn thực hiện tuyên bố trước đây của minh về việc cung cấp bộ xử lý chứa nghìn tỷ transistor dựa trên cấu trúc chiplet trong năm 2030.
Nghiên cứu transistor và đóng gói mới của Intel chủ yếu tập trung vào việc nâng cao hiệu năng và hiệu quả của CPU, thu hẹp khoảng cách giữa các bộ xử lý đơn khuôn truyền thống và những thiết kế dựa trên chiplet mới. Một số khái niệm được trình bày trong các tài liệu đã gửi bao gồm giảm đáng kể khoảng cách giữa các chiplet để cải thiện hiệu năng, các transistor có khả năng duy trì trạng thái ngay cả sau khi mất điện cũng như những giải pháp bộ nhớ xếp chồng mới.
Gary Patton, phó chủ tịch kiêm tổng giám đốc Nghiên cứu Linh kiện (CR) và Hỗ trợ Thiết kế của Intel, cho biết: “75 năm kể từ khi phát minh ra transistor, sự đổi mới thúc đẩy Định luật Moore tiếp tục giải quyết nhu cầu điện toán ngày càng tăng theo cấp số nhân của thế giới. Tại IEDM 2022, Intel đang giới thiệu cả tư duy hướng tới tương lai và những tiến bộ nghiên cứu cụ thể cần thiết để vượt qua các rào cản hiện tại và tương lai, đáp ứng nhu cầu vô độ này và giữ cho Định luật Moore tồn tại và hoạt động hiệu quả trong nhiều năm tới."
Nghiên cứu của nhóm CR đã xác định các quy trình và vật liệu mới quan trọng để thúc đẩy công ty tiến gần hơn đến cột mốc nghìn tỷ transistor của mình. Nghiên cứu liên kết lai mới nhất của công ty cho thấy sự cải thiện gấp 10 lần so với bản trình bày hồi năm trước. Các nghiên cứu khác được giới thiệu trong bản đệ trình của Intel bao gồm những thiết kế sử dụng vật liệu mới có độ dày không vượt quá 3 nguyên tử, bộ nhớ có thể được đặt thẳng đứng phía trên các transistor và hiểu rõ hơn về những khiếm khuyết interface có thể tác động tiêu cực đến việc lưu trữ cũng như truy xuất dữ liệu lượng tử.
Nhóm Nghiên cứu Linh kiện của Intel đóng vai trò lãnh đạo nội bộ công ty về việc phát triển công nghệ mới và đột phá. Các kỹ sư của CR phát minh và phát triển các vật liệu cũng như phương pháp mới, hỗ trợ những nhà sản xuất bán dẫn trong cuộc chiến đang diễn ra nhằm thu nhỏ công nghệ xuống quy mô nguyên tử. Nhóm này chịu trách nhiệm về công nghệ quang khắc cực tím (EUV) của Intel, vốn không thể thiếu trong khả năng tiếp tục thu nhỏ kích thước tiến trình mà vẫn tăng khả năng bán dẫn tổng thể. Công việc và các mốc thời gian của nhóm thường đi trước các công nghệ có sẵn trên thị trường từ 5 đến 10 năm.
>>> Các hãng thiết bị bán dẫn Nhật Bản mở rộng quy mô khi TSMC, Samsung và Intel chạy đua
Nguồn: Tech Spot
Đệ trình nghiên cứu IEDM năm 2023 của công ty nhấn mạnh một số quy trình, vật liệu và công nghệ có thể giúp gã khổng lồ bán dẫn thực hiện tuyên bố trước đây của minh về việc cung cấp bộ xử lý chứa nghìn tỷ transistor dựa trên cấu trúc chiplet trong năm 2030.
Nghiên cứu transistor và đóng gói mới của Intel chủ yếu tập trung vào việc nâng cao hiệu năng và hiệu quả của CPU, thu hẹp khoảng cách giữa các bộ xử lý đơn khuôn truyền thống và những thiết kế dựa trên chiplet mới. Một số khái niệm được trình bày trong các tài liệu đã gửi bao gồm giảm đáng kể khoảng cách giữa các chiplet để cải thiện hiệu năng, các transistor có khả năng duy trì trạng thái ngay cả sau khi mất điện cũng như những giải pháp bộ nhớ xếp chồng mới.
Nghiên cứu của nhóm CR đã xác định các quy trình và vật liệu mới quan trọng để thúc đẩy công ty tiến gần hơn đến cột mốc nghìn tỷ transistor của mình. Nghiên cứu liên kết lai mới nhất của công ty cho thấy sự cải thiện gấp 10 lần so với bản trình bày hồi năm trước. Các nghiên cứu khác được giới thiệu trong bản đệ trình của Intel bao gồm những thiết kế sử dụng vật liệu mới có độ dày không vượt quá 3 nguyên tử, bộ nhớ có thể được đặt thẳng đứng phía trên các transistor và hiểu rõ hơn về những khiếm khuyết interface có thể tác động tiêu cực đến việc lưu trữ cũng như truy xuất dữ liệu lượng tử.
>>> Các hãng thiết bị bán dẫn Nhật Bản mở rộng quy mô khi TSMC, Samsung và Intel chạy đua
Nguồn: Tech Spot
