Nhà sản xuất bộ nhớ flash NAND Nhật Bản Kioxia vừa công bố bước tiến mới nhất về công nghệ bộ nhớ flash NAND vào ngày 20/2, với sự gia tăng đáng kể lên 332 lớp, so với 218 lớp trước đó.
Sự đổi mới này không chỉ tăng tốc độ truyền dữ liệu lên 33% mà còn cải thiện hiệu quả năng lượng trong quá trình đọc, định vị công ty để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của các trung tâm dữ liệu trí tuệ nhân tạo (AI) và các ứng dụng tương tự.
Tại một hội nghị quốc tế ở San Francisco (Mỹ), Kioxia và SanDisk Corporation đã tiết lộ những nỗ lực hợp tác của họ trong việc tạo ra công nghệ bộ nhớ NAND 332 lớp đạt tốc độ đáng kinh ngạc 4,8 Gbps, đánh dấu sự cải thiện 33% so với bộ nhớ NAND 3D thế hệ thứ tám hiện đang được sản xuất hàng loạt.
Công nghệ mới này được Kioxia phân loại là thế hệ thứ mười có hiệu quả năng lượng cải thiện 10% khi nhập dữ liệu và cải thiện 34% khi xuất dữ liệu so với mẫu thế hệ thứ tám hiện tại. Ngoài ra, mật độ bộ nhớ đã tăng 59% trên mỗi đơn vị diện tích.
Hideshi Miyajima, Giám đốc công nghệ của Kioxia, cùng với Alper Ilkbahar, Giám đốc chiến lược và công nghệ của SanDisk, nhấn mạnh rằng công nghệ mới này được thiết kế để đáp ứng khối lượng dữ liệu ngày càng tăng liên quan đến sự phát triển của AI và nhu cầu đa dạng về các giải pháp bộ nhớ.
Theo tờ Nikkei News, mốc thời gian cụ thể cho sản xuất hàng loạt bộ nhớ này vẫn chưa được xác định. Các đối thủ cạnh tranh cũng đang thúc đẩy quá trình phát triển các sản phẩm thế hệ tiếp theo, với số lượng lớp đạt khoảng 300 lớp.
Ngoài ra, Kioxia và SanDisk có kế hoạch giới thiệu bộ nhớ NAND 3D thế hệ thứ chín của họ, sẽ duy trì các thiết kế ô nhớ hiện có trong khi kết hợp các công nghệ thế hệ tiếp theo nhằm đạt được hiệu suất cao, mức tiêu thụ điện năng thấp và hiệu quả về chi phí được cải thiện.
#KIOXIA
Sự đổi mới này không chỉ tăng tốc độ truyền dữ liệu lên 33% mà còn cải thiện hiệu quả năng lượng trong quá trình đọc, định vị công ty để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của các trung tâm dữ liệu trí tuệ nhân tạo (AI) và các ứng dụng tương tự.
Tại một hội nghị quốc tế ở San Francisco (Mỹ), Kioxia và SanDisk Corporation đã tiết lộ những nỗ lực hợp tác của họ trong việc tạo ra công nghệ bộ nhớ NAND 332 lớp đạt tốc độ đáng kinh ngạc 4,8 Gbps, đánh dấu sự cải thiện 33% so với bộ nhớ NAND 3D thế hệ thứ tám hiện đang được sản xuất hàng loạt.
Công nghệ mới này được Kioxia phân loại là thế hệ thứ mười có hiệu quả năng lượng cải thiện 10% khi nhập dữ liệu và cải thiện 34% khi xuất dữ liệu so với mẫu thế hệ thứ tám hiện tại. Ngoài ra, mật độ bộ nhớ đã tăng 59% trên mỗi đơn vị diện tích.
Hideshi Miyajima, Giám đốc công nghệ của Kioxia, cùng với Alper Ilkbahar, Giám đốc chiến lược và công nghệ của SanDisk, nhấn mạnh rằng công nghệ mới này được thiết kế để đáp ứng khối lượng dữ liệu ngày càng tăng liên quan đến sự phát triển của AI và nhu cầu đa dạng về các giải pháp bộ nhớ.
Theo tờ Nikkei News, mốc thời gian cụ thể cho sản xuất hàng loạt bộ nhớ này vẫn chưa được xác định. Các đối thủ cạnh tranh cũng đang thúc đẩy quá trình phát triển các sản phẩm thế hệ tiếp theo, với số lượng lớp đạt khoảng 300 lớp.
Ngoài ra, Kioxia và SanDisk có kế hoạch giới thiệu bộ nhớ NAND 3D thế hệ thứ chín của họ, sẽ duy trì các thiết kế ô nhớ hiện có trong khi kết hợp các công nghệ thế hệ tiếp theo nhằm đạt được hiệu suất cao, mức tiêu thụ điện năng thấp và hiệu quả về chi phí được cải thiện.
#KIOXIA
