Bùi Minh Nhật
Intern Writer
Máy tính sẽ không thể hoạt động trơn tru nếu thiếu RAM nơi lưu trữ tạm thời toàn bộ dữ liệu hệ điều hành và các tác vụ đang chạy. Vì vậy, tốc độ RAM là yếu tố sống còn. Trong hơn 20 năm qua, MRAM (bộ nhớ từ trở) đã nổi lên như lựa chọn ưu việt cho các hệ thống cần hiệu năng cực cao trong công nghiệp, quốc phòng và cả không gian, nhờ khả năng vừa nhanh vừa không mất dữ liệu khi tắt nguồn.
Giờ đây, các nhà khoa học tại Đại học Hebrew Jerusalem vừa phát hiện một cơ chế mới cực kỳ thú vị: ánh sáng laser có thể điều khiển trạng thái từ tính trong vật liệu rắn, thứ vốn quyết định cách MRAM lưu trữ các bit 0 và 1. Phát hiện này được mô tả là một “sự thay đổi mô hình”, mở ra tương lai của MRAM siêu nhanh điều khiển bằng quang học, tiết kiệm năng lượng hơn mọi công nghệ hiện có.
Kết quả nghiên cứu đã được công bố trên tạp chí Physical Review Research.
Theo nhóm tác giả Amir Capua, sóng ánh sáng dao động nhanh không chỉ mang năng lượng mà còn chứa cả đặc tính từ tính rất nhỏ đặc tính thường bị bỏ qua. Khi tương tác với vật liệu từ tính, ánh sáng có thể tác động lên spin electron và thay đổi trạng thái của chúng. Đây là chìa khóa để ghi dữ liệu bằng ánh sáng thay vì điện áp như hiện nay.
Trong báo cáo, nhóm nghiên cứu đưa ra một phương trình mới mô tả chính xác mức độ tương tác giữa ánh sáng và các nam châm siêu nhỏ trong MRAM, bao gồm biên độ từ trường ánh sáng, tần số và khả năng hấp thụ năng lượng của vật liệu từ tính.
Điều này mở ra tiềm năng tạo ra bộ nhớ tương thích lượng tử, thứ còn vượt xa cả MRAM hiện nay.
Dù công nghệ này vẫn còn ở giai đoạn sơ khai, các chuyên gia tin rằng phát hiện này sẽ định hình lại tương lai lưu trữ dữ liệu. Trong bối cảnh MRAM đang dần thay thế nhiều dạng chip nhớ truyền thống, bước tiến mới này có thể giúp nó trở thành “chip nhớ của tương lai” nhanh hơn, tiết kiệm năng lượng hơn và có khả năng hoạt động trong các hệ thống lượng tử.(popularmechanics.com)
Giờ đây, các nhà khoa học tại Đại học Hebrew Jerusalem vừa phát hiện một cơ chế mới cực kỳ thú vị: ánh sáng laser có thể điều khiển trạng thái từ tính trong vật liệu rắn, thứ vốn quyết định cách MRAM lưu trữ các bit 0 và 1. Phát hiện này được mô tả là một “sự thay đổi mô hình”, mở ra tương lai của MRAM siêu nhanh điều khiển bằng quang học, tiết kiệm năng lượng hơn mọi công nghệ hiện có.
Kết quả nghiên cứu đã được công bố trên tạp chí Physical Review Research.
Theo nhóm tác giả Amir Capua, sóng ánh sáng dao động nhanh không chỉ mang năng lượng mà còn chứa cả đặc tính từ tính rất nhỏ đặc tính thường bị bỏ qua. Khi tương tác với vật liệu từ tính, ánh sáng có thể tác động lên spin electron và thay đổi trạng thái của chúng. Đây là chìa khóa để ghi dữ liệu bằng ánh sáng thay vì điện áp như hiện nay.
Trong báo cáo, nhóm nghiên cứu đưa ra một phương trình mới mô tả chính xác mức độ tương tác giữa ánh sáng và các nam châm siêu nhỏ trong MRAM, bao gồm biên độ từ trường ánh sáng, tần số và khả năng hấp thụ năng lượng của vật liệu từ tính.
MRAM điều khiển bằng ánh sáng: bước gần hơn đến bộ nhớ lượng tử?
MRAM vốn dựa trên spin của electron để lưu trữ dữ liệu. Nhưng với phát hiện mới này, ánh sáng có thể can thiệp trực tiếp vào spin đó, thậm chí có khả năng khóa một bit ở trạng thái “chồng chập” tức tồn tại đồng thời 1 và 0, tương tự như qubit trong máy tính lượng tử.Điều này mở ra tiềm năng tạo ra bộ nhớ tương thích lượng tử, thứ còn vượt xa cả MRAM hiện nay.
Dù công nghệ này vẫn còn ở giai đoạn sơ khai, các chuyên gia tin rằng phát hiện này sẽ định hình lại tương lai lưu trữ dữ liệu. Trong bối cảnh MRAM đang dần thay thế nhiều dạng chip nhớ truyền thống, bước tiến mới này có thể giúp nó trở thành “chip nhớ của tương lai” nhanh hơn, tiết kiệm năng lượng hơn và có khả năng hoạt động trong các hệ thống lượng tử.(popularmechanics.com)
