Trong sự kiện kỹ thuật số Samsung Foundry Forum lần thứ 5, Samsung đã cập nhật thông tin về quá trình chuyển đổi công nghệ tiến trình của mình. Công ty đã lên kế hoạch bắt đầu sản xuất chip 3nm đầu tiên cho khách hàng vào nửa đầu 2022.
Tiến trình 3nm Gate-All-Around (GAA) đầu tiên sử dụng Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), giúp cắt giảm diện tích lên đến 35%, hiệu năng cao hơn 30% và tiêu thụ điện năng thấp hơn 50% khi so sánh với những con chip 5nm. Gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc lưu ý thêm, năng suất logic của 3nm hiện đang đạt đến mức tương tự với 4nm, vốn đã được sản xuất hàng loạt.
Xa hơn, Samsung xác nhận, thế hệ 3nm thứ hai dự kiến sẽ xuất hiện trong năm 2023. Hơn nữa, công ty lưu ý, tiến trình 2nm MBCFET của họ hiện đang trong giai đoạn phát triển ban đầu, dự kiến sẽ được đưa vào sản xuất hàng loạt từ năm 2025.
Ban đầu, Samsung dự định sẽ đưa 3nm vào sản xuất hàng loạt vào cuối năm 2021, nhưng có vẻ như công ty đã đánh giá thấp mức độ phức tạp trong việc thu hẹp đến tiến nhỏ như vậy. Bên cạnh đó, tình trạng thiếu hụt chip nghiêm trọng trên toàn cầu đang diễn ra do đại dịch cũng không giúp ích gì cho Samsung.
Samsung cho biết, họ đang tiếp tục cải thiện tiến trình FinFET của mình cho các trường hợp sử dụng ứng dụng cụ thể cũng như hiệu quả về mặt chi phí. Công ty nhấn mạnh, tiến trình trình FinFET 17nm của mình có thể giảm diện tích đến 43%, hiệu năng cao hơn 39%, tăng 49% hiệu suất năng lượng so với tiến trình 28nm.
Thực tế, trong bối cảnh tình trạng thiếu hụt chip toàn cầu kéo dài, nhiều khách hàng đang chọn cách chuyển sang những tiến trình sản xuất cũ hơn nhằm đáp ứng nhu cầu của họ. Nghe có vẻ không đúng lắm nhưng có một sự thật là không phỉa mọi thiết bị điện tử đều càn đến các kỹ thuật sản xuất tiên tiến.
Nguồn: Tech Spot
Xa hơn, Samsung xác nhận, thế hệ 3nm thứ hai dự kiến sẽ xuất hiện trong năm 2023. Hơn nữa, công ty lưu ý, tiến trình 2nm MBCFET của họ hiện đang trong giai đoạn phát triển ban đầu, dự kiến sẽ được đưa vào sản xuất hàng loạt từ năm 2025.
Samsung cho biết, họ đang tiếp tục cải thiện tiến trình FinFET của mình cho các trường hợp sử dụng ứng dụng cụ thể cũng như hiệu quả về mặt chi phí. Công ty nhấn mạnh, tiến trình trình FinFET 17nm của mình có thể giảm diện tích đến 43%, hiệu năng cao hơn 39%, tăng 49% hiệu suất năng lượng so với tiến trình 28nm.
Thực tế, trong bối cảnh tình trạng thiếu hụt chip toàn cầu kéo dài, nhiều khách hàng đang chọn cách chuyển sang những tiến trình sản xuất cũ hơn nhằm đáp ứng nhu cầu của họ. Nghe có vẻ không đúng lắm nhưng có một sự thật là không phỉa mọi thiết bị điện tử đều càn đến các kỹ thuật sản xuất tiên tiến.
Nguồn: Tech Spot
