Hail the Judge
Ta chơi xong không trả tiền, vậy đâu có gọi là bán
Samsung Electronics đã công bố thành lập một lực lượng đặc nhiệm nhằm thúc đẩy sản xuất hàng loạt DRAM thế hệ thứ 7, một động thái được xem là có tiềm năng thay đổi cuộc chơi trong lĩnh vực bộ nhớ băng thông cao (HBM) và các ứng dụng khác. Quyết định này diễn ra trong bối cảnh cạnh tranh gay gắt với các đối thủ SK Hynix và Micron, cả hai đều đạt được những bước tiến đáng kể trong công nghệ DRAM. Với việc Samsung chuyển hướng từ các sản phẩm cũ như LPDDR4 sang các công nghệ tiên tiến hơn, cuộc đua dẫn đầu thị trường bộ nhớ đang trở nên khốc liệt, không chỉ ảnh hưởng đến các công ty mà còn định hình xu hướng ngành bán dẫn toàn cầu.
Năm ngoái, SK Hynix đã hoàn thành phát triển DRAM thế hệ thứ 6 (D1c) và tiến hành đánh giá độ tin cậy quy trình cho D1d vào tháng 8 năm 2024. Công ty này đã đảm bảo khả năng sản xuất hàng loạt cho D1c và dự kiến áp dụng quy trình này vào DRAM thông thường từ nửa cuối năm 2025, đồng thời lên kế hoạch sử dụng quy trình 1c nano cho HBM4E để duy trì vị thế dẫn đầu thị trường. Trong buổi báo cáo hiệu suất tháng 1 năm 2025, SK Hynix nhấn mạnh các khoản đầu tư chiến lược để tăng sản lượng, chuẩn bị cho nhu cầu HBM trong tương lai.
Theo Counterpoint Research, SK Hynix đã vượt Samsung để chiếm 36% thị phần DRAM toàn cầu trong quý 1 năm 2025, so với 34% của Samsung, chủ yếu nhờ sự thống trị trong thị trường HBM, nơi họ chiếm hơn 70% thị phần. Sự dẫn đầu này được củng cố bởi doanh thu HBM chiếm 40% tổng doanh thu DRAM của SK Hynix trong quý 4 năm 2024, với dự báo doanh số HBM sẽ tăng gấp đôi trong năm 2025, đặc biệt nhờ cung cấp cho Nvidia.
Micron cũng không đứng ngoài cuộc đua, với việc bắt đầu giao mẫu DDR5 dựa trên quy trình 1γ (tương ứng D1c) cho các khách hàng tiềm năng vào tháng 3 năm 2025. Cả SK Hynix và Micron đều đã thương mại hóa D1b vào năm 2024, dù trước đó tụt hậu so với Samsung trong DRAM thế hệ thứ 5. Micron ghi nhận tăng trưởng doanh thu 28,3% trong quý 3 năm 2024, nâng thị phần từ 19,6% lên 22,2%, nhờ đẩy mạnh sản xuất DRAM máy chủ và HBM3E (36GB, tốc độ 9,2 Gbps).
Trong khi đó, Samsung đối mặt với thách thức khi HBM3E 8 lớp của họ chỉ được Nvidia phê duyệt cho thị trường Trung Quốc vào tháng 12 năm 2024, trong khi SK Hynix đã bắt đầu đàm phán cung cấp HBM4 cho Nvidia từ năm 2026. Samsung hiện đang nỗ lực cải tiến HBM3E 12 lớp và lên kế hoạch cung cấp HBM4 tùy chỉnh vào nửa cuối năm 2025, nhưng vấn đề tỷ lệ hoàn thiện (yield rate) của quy trình 1c DRAM vẫn là trở ngại, có thể trì hoãn sản xuất HBM4.
Samsung, dưới sự chỉ đạo của Phó Chủ tịch Jeon Young-hyun, đã quyết định ngừng sản xuất chip LPDDR4 8-gigabit quy trình 10nm (1z), với thời hạn đặt hàng cuối cùng vào tháng 6 năm 2025 và lô hàng cuối vào ngày 10 tháng 12 năm 2025. Công ty cũng đang tái thiết kế một phần mạch D1a (thế hệ thứ 4) để cải thiện tỷ lệ hoàn thiện, đồng thời đặt mục tiêu sản xuất hàng loạt D1d quy trình 10nm vào năm 2026 và DRAM thế hệ thứ 1 dưới 10nm (D0a) vào năm 2027. Theo ZDNet Korea, lực lượng đặc nhiệm DRAM thế hệ thứ 7 của Samsung tập trung vào việc đảm bảo sản xuất ổn định, ngay cả khi chi phí tăng, nhằm cạnh tranh với SK Hynix, công ty dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt 1c DDR5 từ tháng 2 năm 2025, sớm hơn Samsung khoảng 6 tháng. Việc Samsung tụt hậu trong HBM và DRAM tiên tiến một phần do thiếu cạnh tranh công nghệ trong lĩnh vực AI, như đã được chỉ ra bởi các nguồn tin từ DigiTimes, khiến họ mất vị trí dẫn đầu thị trường DRAM lần đầu tiên trong hơn 30 năm.
Cuộc đua DRAM thế hệ thứ 7 diễn ra trong bối cảnh thị trường bộ nhớ toàn cầu đang chuyển dịch mạnh mẽ sang DDR5 và HBM, được thúc đẩy bởi nhu cầu AI, điện toán đám mây và GPU cao cấp. Theo Bloomberg Intelligence, thị trường HBM dự kiến tăng trưởng 42% mỗi năm, đạt 130 tỷ USD vào năm 2033, chiếm hơn 50% thị trường DRAM. SK Hynix được dự báo duy trì vị trí dẫn đầu với 40% thị phần, nhưng Samsung và Micron có thể thu hẹp khoảng cách khi HBM4 đi vào sản xuất, nhờ các logic die tùy chỉnh cải thiện kết nối AI. Tuy nhiên, sự trỗi dậy của ChangXin Memory Technologies (CXMT) từ Trung Quốc, với 5% thị phần DRAM toàn cầu và khả năng sản xuất DDR5 quy trình 16nm, đang tạo áp lực cạnh tranh, đặc biệt trong phân khúc giá rẻ. CXMT dự kiến chiếm 10% thị phần vào năm 2025, tận dụng chi phí thấp hơn 50% so với các đối thủ Hàn Quốc và Mỹ. Các chính sách thuế quan của Mỹ, bắt đầu từ tháng 4 năm 2025, càng làm phức tạp chuỗi cung ứng, đẩy giá DRAM tăng 3-8% trong quý 2 năm 2025, theo TrendForce.
Năm ngoái, SK Hynix đã hoàn thành phát triển DRAM thế hệ thứ 6 (D1c) và tiến hành đánh giá độ tin cậy quy trình cho D1d vào tháng 8 năm 2024. Công ty này đã đảm bảo khả năng sản xuất hàng loạt cho D1c và dự kiến áp dụng quy trình này vào DRAM thông thường từ nửa cuối năm 2025, đồng thời lên kế hoạch sử dụng quy trình 1c nano cho HBM4E để duy trì vị thế dẫn đầu thị trường. Trong buổi báo cáo hiệu suất tháng 1 năm 2025, SK Hynix nhấn mạnh các khoản đầu tư chiến lược để tăng sản lượng, chuẩn bị cho nhu cầu HBM trong tương lai.
Theo Counterpoint Research, SK Hynix đã vượt Samsung để chiếm 36% thị phần DRAM toàn cầu trong quý 1 năm 2025, so với 34% của Samsung, chủ yếu nhờ sự thống trị trong thị trường HBM, nơi họ chiếm hơn 70% thị phần. Sự dẫn đầu này được củng cố bởi doanh thu HBM chiếm 40% tổng doanh thu DRAM của SK Hynix trong quý 4 năm 2024, với dự báo doanh số HBM sẽ tăng gấp đôi trong năm 2025, đặc biệt nhờ cung cấp cho Nvidia.
Micron cũng không đứng ngoài cuộc đua, với việc bắt đầu giao mẫu DDR5 dựa trên quy trình 1γ (tương ứng D1c) cho các khách hàng tiềm năng vào tháng 3 năm 2025. Cả SK Hynix và Micron đều đã thương mại hóa D1b vào năm 2024, dù trước đó tụt hậu so với Samsung trong DRAM thế hệ thứ 5. Micron ghi nhận tăng trưởng doanh thu 28,3% trong quý 3 năm 2024, nâng thị phần từ 19,6% lên 22,2%, nhờ đẩy mạnh sản xuất DRAM máy chủ và HBM3E (36GB, tốc độ 9,2 Gbps).
Trong khi đó, Samsung đối mặt với thách thức khi HBM3E 8 lớp của họ chỉ được Nvidia phê duyệt cho thị trường Trung Quốc vào tháng 12 năm 2024, trong khi SK Hynix đã bắt đầu đàm phán cung cấp HBM4 cho Nvidia từ năm 2026. Samsung hiện đang nỗ lực cải tiến HBM3E 12 lớp và lên kế hoạch cung cấp HBM4 tùy chỉnh vào nửa cuối năm 2025, nhưng vấn đề tỷ lệ hoàn thiện (yield rate) của quy trình 1c DRAM vẫn là trở ngại, có thể trì hoãn sản xuất HBM4.
Samsung, dưới sự chỉ đạo của Phó Chủ tịch Jeon Young-hyun, đã quyết định ngừng sản xuất chip LPDDR4 8-gigabit quy trình 10nm (1z), với thời hạn đặt hàng cuối cùng vào tháng 6 năm 2025 và lô hàng cuối vào ngày 10 tháng 12 năm 2025. Công ty cũng đang tái thiết kế một phần mạch D1a (thế hệ thứ 4) để cải thiện tỷ lệ hoàn thiện, đồng thời đặt mục tiêu sản xuất hàng loạt D1d quy trình 10nm vào năm 2026 và DRAM thế hệ thứ 1 dưới 10nm (D0a) vào năm 2027. Theo ZDNet Korea, lực lượng đặc nhiệm DRAM thế hệ thứ 7 của Samsung tập trung vào việc đảm bảo sản xuất ổn định, ngay cả khi chi phí tăng, nhằm cạnh tranh với SK Hynix, công ty dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt 1c DDR5 từ tháng 2 năm 2025, sớm hơn Samsung khoảng 6 tháng. Việc Samsung tụt hậu trong HBM và DRAM tiên tiến một phần do thiếu cạnh tranh công nghệ trong lĩnh vực AI, như đã được chỉ ra bởi các nguồn tin từ DigiTimes, khiến họ mất vị trí dẫn đầu thị trường DRAM lần đầu tiên trong hơn 30 năm.
Cuộc đua DRAM thế hệ thứ 7 diễn ra trong bối cảnh thị trường bộ nhớ toàn cầu đang chuyển dịch mạnh mẽ sang DDR5 và HBM, được thúc đẩy bởi nhu cầu AI, điện toán đám mây và GPU cao cấp. Theo Bloomberg Intelligence, thị trường HBM dự kiến tăng trưởng 42% mỗi năm, đạt 130 tỷ USD vào năm 2033, chiếm hơn 50% thị trường DRAM. SK Hynix được dự báo duy trì vị trí dẫn đầu với 40% thị phần, nhưng Samsung và Micron có thể thu hẹp khoảng cách khi HBM4 đi vào sản xuất, nhờ các logic die tùy chỉnh cải thiện kết nối AI. Tuy nhiên, sự trỗi dậy của ChangXin Memory Technologies (CXMT) từ Trung Quốc, với 5% thị phần DRAM toàn cầu và khả năng sản xuất DDR5 quy trình 16nm, đang tạo áp lực cạnh tranh, đặc biệt trong phân khúc giá rẻ. CXMT dự kiến chiếm 10% thị phần vào năm 2025, tận dụng chi phí thấp hơn 50% so với các đối thủ Hàn Quốc và Mỹ. Các chính sách thuế quan của Mỹ, bắt đầu từ tháng 4 năm 2025, càng làm phức tạp chuỗi cung ứng, đẩy giá DRAM tăng 3-8% trong quý 2 năm 2025, theo TrendForce.
