A-Train The Seven
...'cause for once, I didn't hate myself.
Samsung Electronics sẽ ra mắt dòng Galaxy S25 mới nhất trong sự kiện Galaxy Unpacked diễn ra vào thứ Tư (giờ địa phương) tại San Jose, California. Điện thoại thông minh dự kiến sử dụng chip DRAM LPDDR5X của Micron thay vì DRAM di động của Samsung. Theo các quan chức trong ngành, Samsung đã chọn Micron làm nhà cung cấp đầu tiên cho DRAM di động của Galaxy S25. Nhà cung cấp đầu tiên sẽ là nhà cung cấp chính cho hầu hết các thiết bị Galaxy S25 gồm cả những thiết bị dành cho lô hàng ban đầu.
Cho đến nay, bộ phận Giải pháp Thiết bị (DS) của Samsung là nhà cung cấp chính cho smartphone công ty, trong khi Micron đóng vai trò là nhà cung cấp thứ hai chủ yếu chịu trách nhiệm khắc phục tình trạng thiếu hụt nguồn cung của các nhà cung cấp chính. Quyết định này rõ ràng được đưa ra sau khi bộ phận điện thoại thông minh Mobile Experience (MX) so sánh hiệu suất và giá cả giữa sản phẩm DRAM di động của 2 công ty.
Các chuyên gia trong ngành suy đoán rằng chip của Micron có thể nổi bật về hiệu suất năng lượng, bằng chứng là Nvidia đã chọn LPDDR5X của Micron cho Grace Blackwell GB200. Tuy nhiên, họ cũng gợi ý rằng những thách thức trong quy trình bộ nhớ 1b 10 nanomet của Samsung cũng có thể đã khiến bộ phận MX chọn một giải pháp thay thế cho các đồng nghiệp của mình.
Trong sản xuất DRAM, quy trình 1b đề cập đến quy trình sản xuất thế hệ thứ năm trong lớp 10 nanomet, được chia thành sáu giai đoạn - 1x, 1y, 1z, 1a, 1b và 1c. Tiến độ phản ánh kích thước nút nhỏ hơn, với 1b đại diện cho khoảng 12 nanomet. Hiện tại, quy trình 1b là xu hướng chủ đạo trong số các nhà sản xuất chip tiên tiến như Samsung, SK hynix và Micron, và hiện họ đang nghiên cứu quy trình 1c, sẽ là 11 nanomet.
Trong những tháng gần đây, quy trình 1b đã được đề cập đến như một trong những lý do khiến hoạt động kinh doanh bộ nhớ của Samsung vẫn còn nhiều nghi ngờ. Dựa trên quy trình 1b, Samsung đang sản xuất chip nhớ băng thông cao 3e (HBM3e) dành riêng cho trí tuệ nhân tạo (AI) và chip nhớ di động LPDDR5, nhưng nhiều báo cáo cho rằng công ty vẫn đang gặp khó khăn với năng suất và quản lý nhiệt.
Chip HBM3e của Samsung cũng đang phải đối mặt với nhiều câu hỏi khi nó gặp khó khăn trong việc vượt qua các bài kiểm tra chất lượng cho bộ xử lý AI của Nvidia, trong khi đối thủ sản xuất chip của Samsung là SK hynix đã trở thành nhà cung cấp thống lĩnh, cung cấp chip HBM3e 12 lớp cho Nvidia. Để tạo ra một bước ngoặt trong cuộc đua, Samsung được cho là đang tập trung nguồn lực của mình vào quy trình 1c để giành được lợi thế cạnh tranh trong DRAM thế hệ tiếp theo, bao gồm cả HBM4, có thể sẽ sử dụng DRAM 1c làm lõi.
Samsung được cho là đã bắt đầu đặt hàng thiết bị để thiết lập dây chuyền sản xuất DRAM 1c tại nhà máy của họ ở Pyeongtaek, tỉnh Gyeonggi, vào quý IV năm ngoái. Trong quy trình này, công ty dự kiến phân bổ lại các kỹ sư của mình cho dây chuyền 1c, điều này có thể sẽ gây ra tình trạng thiếu hụt năng lực sản xuất và phát triển DRAM dựa trên 1b chẳng hạn DRAM dành cho smartphone.
Các bộ phận smartphone và chip nhớ của Samsung ngày càng có dấu hiệu tách biệt, khi mà Galaxy S25 dự kiến sử dụng bộ xử lý ứng dụng di động của Qualcomm thay vì chipset Exynos của bộ phận DS. AP hoạt động như bộ não của điện thoại thông minh, tương tự như cách bộ xử lý trung tâm hoạt động đối với máy tính.
Việc tách biệt sẽ ảnh hưởng tiêu cực đến lợi nhuận của bộ phận bán dẫn. Samsung Electronics đã công bố hướng dẫn thu nhập quý IV vào ngày 8 tháng 1 và ước tính lợi nhuận hoạt động đạt 6,5 nghìn tỷ won (4,47 tỷ USD). Công ty không cung cấp thu nhập của bộ phận DS riêng biệt, nhưng các công ty môi giới cho rằng bộ phận sản xuất chip sẽ đạt lợi nhuận hoạt động hơn 3 nghìn tỷ won.
Cho đến nay, bộ phận Giải pháp Thiết bị (DS) của Samsung là nhà cung cấp chính cho smartphone công ty, trong khi Micron đóng vai trò là nhà cung cấp thứ hai chủ yếu chịu trách nhiệm khắc phục tình trạng thiếu hụt nguồn cung của các nhà cung cấp chính. Quyết định này rõ ràng được đưa ra sau khi bộ phận điện thoại thông minh Mobile Experience (MX) so sánh hiệu suất và giá cả giữa sản phẩm DRAM di động của 2 công ty.
Các chuyên gia trong ngành suy đoán rằng chip của Micron có thể nổi bật về hiệu suất năng lượng, bằng chứng là Nvidia đã chọn LPDDR5X của Micron cho Grace Blackwell GB200. Tuy nhiên, họ cũng gợi ý rằng những thách thức trong quy trình bộ nhớ 1b 10 nanomet của Samsung cũng có thể đã khiến bộ phận MX chọn một giải pháp thay thế cho các đồng nghiệp của mình.
Trong sản xuất DRAM, quy trình 1b đề cập đến quy trình sản xuất thế hệ thứ năm trong lớp 10 nanomet, được chia thành sáu giai đoạn - 1x, 1y, 1z, 1a, 1b và 1c. Tiến độ phản ánh kích thước nút nhỏ hơn, với 1b đại diện cho khoảng 12 nanomet. Hiện tại, quy trình 1b là xu hướng chủ đạo trong số các nhà sản xuất chip tiên tiến như Samsung, SK hynix và Micron, và hiện họ đang nghiên cứu quy trình 1c, sẽ là 11 nanomet.
Trong những tháng gần đây, quy trình 1b đã được đề cập đến như một trong những lý do khiến hoạt động kinh doanh bộ nhớ của Samsung vẫn còn nhiều nghi ngờ. Dựa trên quy trình 1b, Samsung đang sản xuất chip nhớ băng thông cao 3e (HBM3e) dành riêng cho trí tuệ nhân tạo (AI) và chip nhớ di động LPDDR5, nhưng nhiều báo cáo cho rằng công ty vẫn đang gặp khó khăn với năng suất và quản lý nhiệt.
Chip HBM3e của Samsung cũng đang phải đối mặt với nhiều câu hỏi khi nó gặp khó khăn trong việc vượt qua các bài kiểm tra chất lượng cho bộ xử lý AI của Nvidia, trong khi đối thủ sản xuất chip của Samsung là SK hynix đã trở thành nhà cung cấp thống lĩnh, cung cấp chip HBM3e 12 lớp cho Nvidia. Để tạo ra một bước ngoặt trong cuộc đua, Samsung được cho là đang tập trung nguồn lực của mình vào quy trình 1c để giành được lợi thế cạnh tranh trong DRAM thế hệ tiếp theo, bao gồm cả HBM4, có thể sẽ sử dụng DRAM 1c làm lõi.
Samsung được cho là đã bắt đầu đặt hàng thiết bị để thiết lập dây chuyền sản xuất DRAM 1c tại nhà máy của họ ở Pyeongtaek, tỉnh Gyeonggi, vào quý IV năm ngoái. Trong quy trình này, công ty dự kiến phân bổ lại các kỹ sư của mình cho dây chuyền 1c, điều này có thể sẽ gây ra tình trạng thiếu hụt năng lực sản xuất và phát triển DRAM dựa trên 1b chẳng hạn DRAM dành cho smartphone.
Các bộ phận smartphone và chip nhớ của Samsung ngày càng có dấu hiệu tách biệt, khi mà Galaxy S25 dự kiến sử dụng bộ xử lý ứng dụng di động của Qualcomm thay vì chipset Exynos của bộ phận DS. AP hoạt động như bộ não của điện thoại thông minh, tương tự như cách bộ xử lý trung tâm hoạt động đối với máy tính.
Việc tách biệt sẽ ảnh hưởng tiêu cực đến lợi nhuận của bộ phận bán dẫn. Samsung Electronics đã công bố hướng dẫn thu nhập quý IV vào ngày 8 tháng 1 và ước tính lợi nhuận hoạt động đạt 6,5 nghìn tỷ won (4,47 tỷ USD). Công ty không cung cấp thu nhập của bộ phận DS riêng biệt, nhưng các công ty môi giới cho rằng bộ phận sản xuất chip sẽ đạt lợi nhuận hoạt động hơn 3 nghìn tỷ won.
