ASML thông báo tại hội nghị ITF World 2024 của imec rằng công ty vừa rồi đã lập kỷ lục mật độ bóng bán dẫn mới với hệ thống High-NA đầu tiên, vượt qua kỷ lục do chính họ thiết lập chỉ 2 tháng trước. CTO của ASML, ông Martin van den Brink, cho biết họ có thể nâng cao công nghệ hơn nữa với việc phát triển Hyper-NA, tiến xa hơn cả High-NA hiện tại.
Ông tiết lộ kế hoạch giảm chi phí sản xuất chip EUV bằng cách tăng tốc độ của các hệ thống lên cực hạn, xử lý từ 400 đến 500 wafer mỗi giờ. So với các công cụ khắc chip hiện có chỉ đạt 200 wph thì tốc độ đã nhanh gấp đôi. Ngoài ra, công ty cũng đề xuất 1 thiết kế chuẩn chung dạng module cho các hệ thống quang khắc trong tương lai.
Hệ thống EUV High-NA mới nhất giờ có thể tạo ra các đường rãnh 8nm, vượt qua kỷ lục đầu tháng 4 là khắc được đường rãnh 10nm. Để tiện so sánh, các hệ thống 200 triệu USD hiện nay là loại EUV Low-NA tiêu chuẩn, có thể tạo ra đường rãnh 13.5nm. Còn loại xịn nhất bây giờ là EUV High-NA EXE:5200 có thể giảm con số xuống 8nm.
Đây là đột phá của hơn 10 năm nghiên cứu và đổ hàng tỷ Euro phát triển sản phẩm của công ty Hà Lan. Hiện nay, Intel là công ty duy nhất đã hoàn thiện lắp đặt dây chuyền High-NA tại nhà máy D1X ở Oregon. Cỗ máy EXE:5200 gần 400 triệu USD ban đầu được dùng để nghiên cứu, trước khi đưa vào sản xuất hàng loạt.
Lộ trình phát triển bao gồm các hệ thống EUV tiêu chuẩn hiện có, chúng sử dụng bước sóng 13.5nm với khẩu độ 0,33 (đo lường khả năng tập trung ánh sáng, độ mở càng lớn càng tốt). Còn trên các hệ thống EUV High-NA tiên tiến nhất, khẩu độ đã mở rộng lên 0,55 cho phép tạo đường rãnh nhỏ hơn nữa. ASML đã đặt ra mục tiêu hướng đến cỗ máy Hyper-NA tới năm 2035.
Hyper-NA có thể đạt khẩu độ 0,75 cho phép in mẫu mạch chính xác hơn cả High-NA hiện tại. Tuy vậy, rào cản sẽ là giá cả. EUV Low-NA có giá khoảng 200 triệu USD đang được sử dụng rộng rãi để chế tạo chip cho smartphone và laptop. Nâng cấp lên High-NA cần gấp đôi số tiền đó. Hyper-NA chắc chắn còn đắt hơn nhiều khi nó cần hệ thống gương lớn hơn và phức tạp hơn.
Ông tiết lộ kế hoạch giảm chi phí sản xuất chip EUV bằng cách tăng tốc độ của các hệ thống lên cực hạn, xử lý từ 400 đến 500 wafer mỗi giờ. So với các công cụ khắc chip hiện có chỉ đạt 200 wph thì tốc độ đã nhanh gấp đôi. Ngoài ra, công ty cũng đề xuất 1 thiết kế chuẩn chung dạng module cho các hệ thống quang khắc trong tương lai.
Hệ thống EUV High-NA mới nhất giờ có thể tạo ra các đường rãnh 8nm, vượt qua kỷ lục đầu tháng 4 là khắc được đường rãnh 10nm. Để tiện so sánh, các hệ thống 200 triệu USD hiện nay là loại EUV Low-NA tiêu chuẩn, có thể tạo ra đường rãnh 13.5nm. Còn loại xịn nhất bây giờ là EUV High-NA EXE:5200 có thể giảm con số xuống 8nm.
Đây là đột phá của hơn 10 năm nghiên cứu và đổ hàng tỷ Euro phát triển sản phẩm của công ty Hà Lan. Hiện nay, Intel là công ty duy nhất đã hoàn thiện lắp đặt dây chuyền High-NA tại nhà máy D1X ở Oregon. Cỗ máy EXE:5200 gần 400 triệu USD ban đầu được dùng để nghiên cứu, trước khi đưa vào sản xuất hàng loạt.
Lộ trình phát triển bao gồm các hệ thống EUV tiêu chuẩn hiện có, chúng sử dụng bước sóng 13.5nm với khẩu độ 0,33 (đo lường khả năng tập trung ánh sáng, độ mở càng lớn càng tốt). Còn trên các hệ thống EUV High-NA tiên tiến nhất, khẩu độ đã mở rộng lên 0,55 cho phép tạo đường rãnh nhỏ hơn nữa. ASML đã đặt ra mục tiêu hướng đến cỗ máy Hyper-NA tới năm 2035.
Hyper-NA có thể đạt khẩu độ 0,75 cho phép in mẫu mạch chính xác hơn cả High-NA hiện tại. Tuy vậy, rào cản sẽ là giá cả. EUV Low-NA có giá khoảng 200 triệu USD đang được sử dụng rộng rãi để chế tạo chip cho smartphone và laptop. Nâng cấp lên High-NA cần gấp đôi số tiền đó. Hyper-NA chắc chắn còn đắt hơn nhiều khi nó cần hệ thống gương lớn hơn và phức tạp hơn.
