Samsung là công ty hàng đầu trong lĩnh vực bán dẫn. Họ sản xuất cảm biến camera, chip bộ nhớ, chipset, chip lưu trữ, pin,… Công ty Hàn Quốc đang tích cực làm việc trong mọi lĩnh vực này. Nhưng đạt được bước đột phá theo một hướng cụ thể là một việc, có thể đưa nó đến người dùng cuối hay không lại là một việc khác.
Chẳng hạn, tại một hội thảo tổ chức ở Suwon, Hàn Quốc diễn ra gần đây, Phó Chủ tịch Samsung, Younggwan Ko, đã tuyên bố rằng khi bán dẫn bộ nhớ ngày càng trở nên mạnh mẽ, công nghệ đóng gói cũng phải cùng phát triển. Về vấn đề này, dường như ông đang đề cập đến việc áp dụng quy trình MSAP cho các chip nhớ DDR6 của Samsung, giúp họ tạo ra các con chip có mạch tốt hơn.
Như The Elec đưa tin, các đối thủ cạnh tranh với Samsung đã sử dụng công nghệ đóng gói MSAP cho bộ nhớ DDR5 trước đó. Nhưng Samsung muốn đạt được bước tiến và sử dụng nó cho DDR6.
Các phương pháp đóng gói truyền thống chỉ phủ lên những khu vực mô hình mạch và khắc đối các khu vực khác. Nhưng trong gói MSAP, các khu vực khác ngoài mạch cũng sẽ được phủ, và các khu vực trống lại được mạ lên, giúp mạch trở nên tốt hơn.
Samsung đã trình làng chip DRAM GDDR6 24Gbps đầu tiên của mình cho card đồ họa vào đầu tuần này. Các nguồn tin tương ứng cho biết công ty đang trong giai đoạn đầu của quá trình phát triển DDR6. Nếu một thông tin được công bố hồi năm ngoái là chính xác, Samsung sẽ hoàn thành việc thiết kế bộ nhớ DDR6 vào năm 2024.
Dự kiến, DDR6 sẽ nhanh gấp đôi DDR5 và có số kênh bộ nhớ gấp đôi. DDR6 (JEDEC) có thể đạt tốc độ truyền khoảng 12.800Mbps và hỗ trợ ép xung lên 17.000Mbps.
Hiện tại, bộ nhớ DDR5 DIMM nhanh nhất của Samsung có tốc độ truyền tải lên đến 7.200Mbps. Nói cách khác, DDR6 sẽ nhanh hơn 0,7 lần và tốc độ ép xung sẽ nhanh hơn 1,36 lần. Do đó, chiếc smartphone đầu tiên sở hữu chip nhớ DDR6 có thể sẽ là Samsung Galaxy S25. Nhưng cũng không loại trừ khả năng Samsung có thể cung cấp bộ nhớ này cho các nhà sản xuất điện thoại thông minh khác sử dụng trước.
Nguồn: GizChina
Như The Elec đưa tin, các đối thủ cạnh tranh với Samsung đã sử dụng công nghệ đóng gói MSAP cho bộ nhớ DDR5 trước đó. Nhưng Samsung muốn đạt được bước tiến và sử dụng nó cho DDR6.
Các phương pháp đóng gói truyền thống chỉ phủ lên những khu vực mô hình mạch và khắc đối các khu vực khác. Nhưng trong gói MSAP, các khu vực khác ngoài mạch cũng sẽ được phủ, và các khu vực trống lại được mạ lên, giúp mạch trở nên tốt hơn.
Samsung đã trình làng chip DRAM GDDR6 24Gbps đầu tiên của mình cho card đồ họa vào đầu tuần này. Các nguồn tin tương ứng cho biết công ty đang trong giai đoạn đầu của quá trình phát triển DDR6. Nếu một thông tin được công bố hồi năm ngoái là chính xác, Samsung sẽ hoàn thành việc thiết kế bộ nhớ DDR6 vào năm 2024.
Dự kiến, DDR6 sẽ nhanh gấp đôi DDR5 và có số kênh bộ nhớ gấp đôi. DDR6 (JEDEC) có thể đạt tốc độ truyền khoảng 12.800Mbps và hỗ trợ ép xung lên 17.000Mbps.
Hiện tại, bộ nhớ DDR5 DIMM nhanh nhất của Samsung có tốc độ truyền tải lên đến 7.200Mbps. Nói cách khác, DDR6 sẽ nhanh hơn 0,7 lần và tốc độ ép xung sẽ nhanh hơn 1,36 lần. Do đó, chiếc smartphone đầu tiên sở hữu chip nhớ DDR6 có thể sẽ là Samsung Galaxy S25. Nhưng cũng không loại trừ khả năng Samsung có thể cung cấp bộ nhớ này cho các nhà sản xuất điện thoại thông minh khác sử dụng trước.
Nguồn: GizChina
