A-Train The Seven
...'cause for once, I didn't hate myself.
Cho đến cuối năm ngoái, chiến lược của các công ty bộ nhớ Trung Quốc như ChangXin Memory Technologies (CXMT) vẫn tấn công bằng sản lượng giá rẻ. Họ tập trung sản xuất các loại DRAM đời cũ như DDR4 với mức giá thấp để cung cấp cho máy tính cá nhân (PC) và điện thoại thông minh phân khúc trung - thấp. Tuy nhiên, bầu không khí đã thay đổi khi chính phủ Trung Quốc bắt đầu thúc đẩy "phát triển DRAM cao cấp" vào đầu năm nay. Bất chấp nhiều đánh giá cho rằng đây là một "nước đi liều lĩnh", công ty DRAM Trung Quốc CXMT đã ra mắt loại DRAM tiên tiến với hiệu năng tương đương các sản phẩm của Hàn Quốc chỉ sau 11 tháng.
Vào ngày 23/11, tại triển lãm 'IC China 2025' tổ chức ở Bắc Kinh, CXMT đã công bố 7 loại sản phẩm DRAM tiên tiến bao gồm DDR5 và LPDDR5X, cùng các sản phẩm mô-đun sử dụng chúng. Mặc dù một lượng nhỏ sản phẩm DDR5 được cho là do các công ty Trung Quốc sản xuất đã xuất hiện tại thị trường phân phối linh kiện Thâm Quyến vào đầu năm nay, nhưng đây là lần đầu tiên CXMT chính thức trình làng các sản phẩm thực tế.
CXMT tuyên bố rằng tốc độ tối đa của dòng DDR5 mới đạt 8.000 megabit (Mb) mỗi giây, dung lượng mỗi sản phẩm là 24 gigabit (Gb). Hiệu năng này tương đương với các dòng DRAM mới nhất từ Samsung Electronics và SK Hynix.
Ngành công nghiệp bán dẫn đánh giá rằng cần phải chú ý đến hiệu năng của loại DRAM mà CXMT vừa công bố. Tốc độ tối đa 8.000 Mbps của DDR5 mà hãng này công bố đã cải thiện 25% so với thế hệ trước (6.400 Mbps). Các tiêu chí để đánh giá năng lực của một công ty bán dẫn bao gồm lộ trình công nghệ, tỷ lệ thành phẩm và khả năng sản xuất hàng loạt. Với việc ra mắt sản phẩm mới này, các đánh giá cho thấy CXMT đã bắt kịp các công ty DRAM Hàn Quốc, ít nhất là về mặt lộ trình công nghệ.
Một quan chức trong ngành bán dẫn giải thích: "Đây là hiệu năng phù hợp để ứng dụng cho các máy chủ mới nhất chạy song song với các bộ vi xử lý trung tâm (CPU) tiên tiến."
Trung Quốc đang nhanh chóng mở rộng ảnh hưởng trên thị trường bán dẫn bộ nhớ, bao gồm cả DRAM và NAND flash. Đây được đánh giá là một kết quả bất ngờ khi xét đến việc các quy định hạn chế xuất khẩu thiết bị và công nghệ bán dẫn mạnh mẽ của Hoa Kỳ đã kéo dài hơn 5 năm qua. Giới phân tích cho rằng đây là kết quả của sự hỗ trợ từ chính phủ Trung Quốc và việc thu hút nhân sự từ các đối thủ cạnh tranh ở Hàn Quốc, Nhật Bản và Đài Loan, dựa trên nền tảng thị trường nội địa khổng lồ.
Điều này cũng được xác nhận qua thị phần (dựa trên lượng xuất xưởng). Theo Nikkei và công ty nghiên cứu thị trường Counterpoint Research, CXMT ghi nhận 8% thị phần thị trường DRAM trong quý 3, đứng thứ 4 thế giới. Sự hiện diện của Trung Quốc trên thị trường NAND cũng rất đáng chú ý khi Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) đạt 13% thị phần trong quý 3.
Dự kiến, CXMT sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt quy mô lớn DDR5 và LPDDR5 để ứng dụng cho các máy chủ, PC và điện thoại thông minh mới nhất từ năm sau. Năng lực sản xuất DRAM của CXMT là 270.000 tấm mỗi tháng, tương đương 42-53% so với Samsung Electronics (khoảng 640.000 tấm) và SK Hynix (khoảng 510.000 tấm). Vì lý do này, các phân tích cho rằng việc CXMT tham gia toàn diện vào thị trường DDR5 và LPDDR5X sẽ là yếu tố làm giảm cường độ của "siêu chu kỳ tăng trưởng" (super boom) ngành bán dẫn. Tại Trung Quốc, việc CXMT ra mắt DRAM mới được đánh giá là sẽ cung cấp một "lựa chọn mới" cho chuỗi cung ứng thị trường toàn cầu.
Điều này cũng có thể giáng một đòn mạnh vào doanh số bán dẫn tại Trung Quốc của Samsung Electronics và SK Hynix. Dựa trên số liệu năm ngoái, hai công ty này ghi nhận tổng doanh số 87,3 nghìn tỷ won tại Trung Quốc, chiếm tới 23,7% tổng doanh thu hợp nhất của họ (367,7 nghìn tỷ won). Một quan chức của CXMT cho biết: "Sản phẩm mới sẽ là giải pháp thay thế nhằm giảm sự phụ thuộc vào các công ty nước ngoài".
Hiện tại, khoảng cách công nghệ giữa các công ty Hàn Quốc và Trung Quốc trong thị trường DRAM đa dụng được đánh giá là "trong vòng một năm". Ý kiến phổ biến cho rằng khoảng cách này được duy trì là do tác động từ việc Mỹ ngăn chặn xuất khẩu các thiết bị thiết yếu cho việc thu nhỏ mạch DRAM, chẳng hạn như máy quang khắc cực tím (EUV) của ASML (Hà Lan).
Một biến số trong tương lai được nhắc đến là kỷ nguyên DRAM 3D, dự kiến bắt đầu sớm nhất vào năm 2030. DRAM 3D là sản phẩm xếp chồng các "ô" lưu trữ theo chiều dọc, là hướng đi mà các công ty DRAM đang tập trung phát triển khi đối mặt với giới hạn của việc thu nhỏ mạch. Khi kỷ nguyên DRAM 3D đến, sự cần thiết của thiết bị quang khắc EUV sẽ giảm đi, đây có thể là "cơ hội" cho các công ty Trung Quốc. Ông Jeon Byeong-seo, Giám đốc Viện Nghiên cứu Kinh tế và Tài chính Trung Quốc, nhận định: "Nếu công nghệ quy trình không cần EUV được thương mại hóa sau 5 năm nữa, khoảng cách công nghệ hiện tại có thể bị thu hẹp trong chớp mắt".
Sự trỗi dậy của ngành bán dẫn Trung Quốc cũng diễn ra quyết liệt trong lĩnh vực NAND flash. YMTC đã ghi nhận 13% thị phần toàn cầu dựa trên lượng xuất xưởng quý 3, dẫn đầu với NAND flash 270 lớp, trình độ tương đương với Samsung (286 lớp). YMTC hiện đứng thứ 4, bám sát nút vị trí thứ 3 là Kioxia của Nhật Bản (14%).
Ngành công nghiệp xem đây là kết quả của một cuộc chiến nghiên cứu và phát triển (R&D) tổng lực bằng cách huy động hơn 1.000 chuyên gia bán dẫn bộ nhớ được tuyển dụng từ Hàn Quốc, Nhật Bản và các quốc gia khác dưới sự hỗ trợ của chính phủ Trung Quốc. Phân tích cho thấy nếu Trung Quốc bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM tiên tiến, đây sẽ là một biến số đáng kể trong cơn sốt bộ nhớ vốn được kích hoạt bởi tình trạng thiếu hụt nguồn cung.
Giáo sư Hwang Cheol-seong thuộc Khoa Khoa học và Kỹ thuật Vật liệu, Đại học Quốc gia Seoul, cho biết: "Nếu chỉ nhìn vào trình độ công nghệ bộ nhớ, khoảng cách giữa Hàn Quốc và Trung Quốc gần như đã biến mất". Đồng thời nói thêm: "Khi kỷ nguyên DRAM 3D không cần thiết bị quang khắc cực tím (EUV) đến trong khoảng 5 năm nữa, Trung Quốc sẽ còn vượt lên xa hơn".
Vào ngày 23/11, tại triển lãm 'IC China 2025' tổ chức ở Bắc Kinh, CXMT đã công bố 7 loại sản phẩm DRAM tiên tiến bao gồm DDR5 và LPDDR5X, cùng các sản phẩm mô-đun sử dụng chúng. Mặc dù một lượng nhỏ sản phẩm DDR5 được cho là do các công ty Trung Quốc sản xuất đã xuất hiện tại thị trường phân phối linh kiện Thâm Quyến vào đầu năm nay, nhưng đây là lần đầu tiên CXMT chính thức trình làng các sản phẩm thực tế.
CXMT tuyên bố rằng tốc độ tối đa của dòng DDR5 mới đạt 8.000 megabit (Mb) mỗi giây, dung lượng mỗi sản phẩm là 24 gigabit (Gb). Hiệu năng này tương đương với các dòng DRAM mới nhất từ Samsung Electronics và SK Hynix.
Ngành công nghiệp bán dẫn đánh giá rằng cần phải chú ý đến hiệu năng của loại DRAM mà CXMT vừa công bố. Tốc độ tối đa 8.000 Mbps của DDR5 mà hãng này công bố đã cải thiện 25% so với thế hệ trước (6.400 Mbps). Các tiêu chí để đánh giá năng lực của một công ty bán dẫn bao gồm lộ trình công nghệ, tỷ lệ thành phẩm và khả năng sản xuất hàng loạt. Với việc ra mắt sản phẩm mới này, các đánh giá cho thấy CXMT đã bắt kịp các công ty DRAM Hàn Quốc, ít nhất là về mặt lộ trình công nghệ.
Một quan chức trong ngành bán dẫn giải thích: "Đây là hiệu năng phù hợp để ứng dụng cho các máy chủ mới nhất chạy song song với các bộ vi xử lý trung tâm (CPU) tiên tiến."
Trung Quốc đang nhanh chóng mở rộng ảnh hưởng trên thị trường bán dẫn bộ nhớ, bao gồm cả DRAM và NAND flash. Đây được đánh giá là một kết quả bất ngờ khi xét đến việc các quy định hạn chế xuất khẩu thiết bị và công nghệ bán dẫn mạnh mẽ của Hoa Kỳ đã kéo dài hơn 5 năm qua. Giới phân tích cho rằng đây là kết quả của sự hỗ trợ từ chính phủ Trung Quốc và việc thu hút nhân sự từ các đối thủ cạnh tranh ở Hàn Quốc, Nhật Bản và Đài Loan, dựa trên nền tảng thị trường nội địa khổng lồ.
Điều này cũng được xác nhận qua thị phần (dựa trên lượng xuất xưởng). Theo Nikkei và công ty nghiên cứu thị trường Counterpoint Research, CXMT ghi nhận 8% thị phần thị trường DRAM trong quý 3, đứng thứ 4 thế giới. Sự hiện diện của Trung Quốc trên thị trường NAND cũng rất đáng chú ý khi Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) đạt 13% thị phần trong quý 3.
Dự kiến, CXMT sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt quy mô lớn DDR5 và LPDDR5 để ứng dụng cho các máy chủ, PC và điện thoại thông minh mới nhất từ năm sau. Năng lực sản xuất DRAM của CXMT là 270.000 tấm mỗi tháng, tương đương 42-53% so với Samsung Electronics (khoảng 640.000 tấm) và SK Hynix (khoảng 510.000 tấm). Vì lý do này, các phân tích cho rằng việc CXMT tham gia toàn diện vào thị trường DDR5 và LPDDR5X sẽ là yếu tố làm giảm cường độ của "siêu chu kỳ tăng trưởng" (super boom) ngành bán dẫn. Tại Trung Quốc, việc CXMT ra mắt DRAM mới được đánh giá là sẽ cung cấp một "lựa chọn mới" cho chuỗi cung ứng thị trường toàn cầu.
Điều này cũng có thể giáng một đòn mạnh vào doanh số bán dẫn tại Trung Quốc của Samsung Electronics và SK Hynix. Dựa trên số liệu năm ngoái, hai công ty này ghi nhận tổng doanh số 87,3 nghìn tỷ won tại Trung Quốc, chiếm tới 23,7% tổng doanh thu hợp nhất của họ (367,7 nghìn tỷ won). Một quan chức của CXMT cho biết: "Sản phẩm mới sẽ là giải pháp thay thế nhằm giảm sự phụ thuộc vào các công ty nước ngoài".
Hiện tại, khoảng cách công nghệ giữa các công ty Hàn Quốc và Trung Quốc trong thị trường DRAM đa dụng được đánh giá là "trong vòng một năm". Ý kiến phổ biến cho rằng khoảng cách này được duy trì là do tác động từ việc Mỹ ngăn chặn xuất khẩu các thiết bị thiết yếu cho việc thu nhỏ mạch DRAM, chẳng hạn như máy quang khắc cực tím (EUV) của ASML (Hà Lan).
Một biến số trong tương lai được nhắc đến là kỷ nguyên DRAM 3D, dự kiến bắt đầu sớm nhất vào năm 2030. DRAM 3D là sản phẩm xếp chồng các "ô" lưu trữ theo chiều dọc, là hướng đi mà các công ty DRAM đang tập trung phát triển khi đối mặt với giới hạn của việc thu nhỏ mạch. Khi kỷ nguyên DRAM 3D đến, sự cần thiết của thiết bị quang khắc EUV sẽ giảm đi, đây có thể là "cơ hội" cho các công ty Trung Quốc. Ông Jeon Byeong-seo, Giám đốc Viện Nghiên cứu Kinh tế và Tài chính Trung Quốc, nhận định: "Nếu công nghệ quy trình không cần EUV được thương mại hóa sau 5 năm nữa, khoảng cách công nghệ hiện tại có thể bị thu hẹp trong chớp mắt".
Sự trỗi dậy của ngành bán dẫn Trung Quốc cũng diễn ra quyết liệt trong lĩnh vực NAND flash. YMTC đã ghi nhận 13% thị phần toàn cầu dựa trên lượng xuất xưởng quý 3, dẫn đầu với NAND flash 270 lớp, trình độ tương đương với Samsung (286 lớp). YMTC hiện đứng thứ 4, bám sát nút vị trí thứ 3 là Kioxia của Nhật Bản (14%).
Ngành công nghiệp xem đây là kết quả của một cuộc chiến nghiên cứu và phát triển (R&D) tổng lực bằng cách huy động hơn 1.000 chuyên gia bán dẫn bộ nhớ được tuyển dụng từ Hàn Quốc, Nhật Bản và các quốc gia khác dưới sự hỗ trợ của chính phủ Trung Quốc. Phân tích cho thấy nếu Trung Quốc bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM tiên tiến, đây sẽ là một biến số đáng kể trong cơn sốt bộ nhớ vốn được kích hoạt bởi tình trạng thiếu hụt nguồn cung.
Giáo sư Hwang Cheol-seong thuộc Khoa Khoa học và Kỹ thuật Vật liệu, Đại học Quốc gia Seoul, cho biết: "Nếu chỉ nhìn vào trình độ công nghệ bộ nhớ, khoảng cách giữa Hàn Quốc và Trung Quốc gần như đã biến mất". Đồng thời nói thêm: "Khi kỷ nguyên DRAM 3D không cần thiết bị quang khắc cực tím (EUV) đến trong khoảng 5 năm nữa, Trung Quốc sẽ còn vượt lên xa hơn".
