Điện năng tiêu thụ giảm 34%, Samsung ra thế hệ thứ 2 của tiến trình 3nm: 4 năm sau tiến thẳng lên 1.4nm

[Christine May]

Cách đây vài ngày, các giám đốc điều hành mảng kinh doanh chất bán dẫn của Samsung đã tuyên bố rằng sẽ phải mất 5 năm để bắt kịp TSMC, để đạt được mục tiêu này thì không thể tách rời công nghệ tiên tiến. Vào tháng 6 năm ngoái, Samsung đã công bố GAA 3nm đầu tiên trên thế giới. Công ty đã tung ra quy trình 3nm thế hệ thứ hai, dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2024.
Quy trình 3nm của Samsung rất triệt để, so với quy trình 2nm của TSMC, nó sẽ chuyển sang tính bảo thủ của bóng bán dẫn GAA, Samsung đã sử dụng công nghệ bóng bán dẫn GAA trong thế hệ đầu tiên của quy trình 3nm, và nó là bóng bán dẫn hiệu ứng trường kênh đa cầu MBCFET, được gọi là SF3E. Đó là quá trình 3GAE.

Lần này, quy trình SF3 được công bố, đây là quy trình hiệu suất cao 3GAP trước đó, Samsung đã đề cập rằng so với quy trình SF4 (4nm LPP), tốc độ tăng 22% hoặc mức tiêu thụ điện năng giảm 34% trong cùng điều kiện tiêu thụ điện năng và mật độ bóng bán dẫn giảm 21%.
Sự cải thiện này là rất lớn, nhưng Samsung đã so sánh giữa 3nm và 4nm thế hệ thứ hai và không đề cập trực tiếp đến những thay đổi giữa các quy trình 3nm thế hệ thứ hai.

Theo lộ trình mà Samsung công bố, quy trình SF3 dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2024, sau đó sẽ có phiên bản nâng cao của SF3P, tức là 3GAP+, sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2025.
Trong tương lai, sẽ có các quy trình SF2 và SF2P ở nút 2nm và thậm chí quy trình SF1.4 ở nút 1.4nm sẽ được lên kế hoạch vào năm 2027.