Samsung đi ngược xu hướng thị trường, đầu tư mạnh tay vào bán dẫn bất chấp suy thoái

Samsung Electronics đã quyết định tăng cường năng lực sản xuất tấm wafer thêm 10% trong năm 2023.
Động thái của công ty Hàn Quốc hoàn toàn trái ngược với các đối thủ như TSMC, Intel, Micron Technology và SK Hynix, vốn đều tuyên bố giảm đầu tư.
Samsung Electronics sẽ thành lập các dây chuyền đúc DRAM và bán dẫn mới với công suất sản xuất 100.000 tấm wafer 12 inch mỗi tháng tại nhà máy thứ 3 (P3) ở Pyeongtaek, tỉnh Gyeonggi, vào nửa cuối năm sau. Pyeongtaek P3 là cơ sở sản xuất chất bán dẫn lớn nhất thế giới bắt đầu đi vào hoạt động từ tháng 7 năm nay.
Samsung đi ngược xu hướng thị trường, đầu tư mạnh tay vào bán dẫn bất chấp suy thoái
Đối với DRAM, một cơ sở mới có khả năng sản xuất 70.000 tấm wafer sẽ được bổ sung vào dây chuyền hiện tại của Samsung. Để tham khảo, Samsung Electronics đã sản xuất tổng cộng 665.000 tấm wafer mỗi tháng để sản xuất DRAM trong quý thứ 3. Cơ sở mới này dự kiến sẽ sản xuất hàng loạt DRAM 12nm tiên tiến vừa được Samsung công bố.
Gã khổng lồ bán dẫn Hàn Quốc sẽ mở rộng năng lực sản xuất tấm wafer của nhà máy P3 cho hoạt động đúc thêm 30.000 tấm wafer vào năm tới, chạy trên dây chuyền 4nm mới. Để dễ hình dung, Samsung Electronics đã sản xuất tổng cộng 476.000 tấm wafer mỗi tháng đối với các hoạt động đúc trong quý thứ 3. Và khi Samsung Electronics vận hành các nhà máy sản xuất ở Giheung và Hwaseong cùng với Pyeongtaek, việc mở rộng năng lực sản xuất tấm wafer thực tế của họ có thể lên tới hơn 30.000 tấm.
Kế hoạch mở rộng đầu tư trong năm sau của Samsung không chỉ giới hạn ở việc mở rộng quy mô sản xuất tấm wafer. Tập đoàn công nghệ Hàn Quốc cũng quyết định lắp đặt hơn 10 thiết bị in thạch bản cực tím (EUV) cho sản xuất DRAM và xưởng đúc công nghệ cao. Ước tính, Samsung hiện có khoảng 40 thiết bị EUV.
Samsung đi ngược xu hướng thị trường, đầu tư mạnh tay vào bán dẫn bất chấp suy thoái
Các cơ sở sản xuất NAND flash của Nhà máy Pyeongtaek 1 (P1) cũng sẽ được nâng cấp. Theo dự kiến, dây chuyền NAND tại P1 sẽ được chuyển đổi thành dây chuyền sản xuất hàng loạt NAND V8 (238 lớp) với khả năng xử lý khoảng 30.000 tấm wafer. Ngoài ra, cũng có khả năng dây chuyền NAND mới sẽ là mục tiêu đầu tư trong giai đoạn đầu tiên của Nhà máy Pyeongtaek 4 (P4). Theo công ty nghiên cứu thị trường Đài Loan TrendForce, sản lượng tấm wafer NAND hàng tháng của Samsung Electronics hiện rơi vào khoảng 645.000 tấm. Đối với đầu tư bán dẫn, Samsung Electronics đã quyết định không chùn bước so với mức của năm trước trên mọi lĩnh vực.
Khoản đầu tư mạnh tay của Samsung Electronics hoàn toàn trái ngược với các đối thủ cạnh tranh, vốn đang co cụm lại do mức chi tiêu toàn cầu giảm. Trên thực tế, hôm 21/12, Micron đã thông báo cố định khoản đầu tư cơ sở vật chất ở mức 7,5 tỷ USD, thấp hơn 37,5% so với 12 tỷ USD trong năm 2022. Trong khi đó, Intel đã quyết định giảm chi phí lên tới 10 tỷ USD đến năm 2025. Hồi tháng 10, SK Hynix cũng đã xác nhận công ty sẽ giảm hơn 50% ngân sách đầu tư của năm tới so với 2022. Gã khổng lồ đúc chip Đài Loan TSMC gần đây đã thông báo sẽ giảm 10% đầu tư cơ sở vật chất trong năm nay so với kế hoạch trước đó.

Nguồn: Business Korea
 


Đăng nhập một lần thảo luận tẹt ga
Thành viên mới đăng
Top