A-Train The Seven
...'cause for once, I didn't hate myself.
Cuộc cạnh tranh giành vị thế dẫn đầu trong lĩnh vực Bộ nhớ Băng thông Rộng thế hệ thứ sáu (HBM4) đã chính thức bắt đầu. Trong cuộc đua này, SK Hynix và Micron của Mỹ một lần nữa tạo nên thế "song mã" khi cả hai đều thông báo về việc cung cấp hàng mẫu cho các khách hàng lớn. Trong bối cảnh tỷ trọng HBM trong thị trường DRAM ngày càng tăng, việc Micron một lần nữa đi trước Samsung Electronics làm dấy lên những phân tích về khả năng xảy ra một sự thay đổi địa chấn nữa trong cục diện các nhà sản xuất DRAM. Theo thông tin từ ngành công nghiệp vào ngày 12, Micron vào ngày 10 vừa qua thông báo họ đã gửi mẫu HBM4 36 Gigabyte (GB) 12 lớp cho một số khách hàng lớn.
Micron giải thích sản phẩm HBM4 của họ có hiệu suất và hiệu quả sử dụng năng lượng cải thiện lần lượt 60% và 20% so với thế hệ trước (HBM3E thế hệ thứ năm). Micron cũng nhấn mạnh: "Hiệu suất, băng thông cao hơn và hiệu quả năng lượng hàng đầu trong ngành của HBM4 là bằng chứng cho sự dẫn đầu về công nghệ và sản phẩm bộ nhớ của chúng tôi." Mặc dù Micron không tiết lộ cụ thể tên các khách hàng đã nhận mẫu HBM4, nhưng có thể dự đoán rằng Nvidia cũng nằm trong số đó.
Micron không phải là công ty đầu tiên thông báo về việc cung cấp mẫu HBM4. Trước đó, vào tháng 3, SK Hynix đã công bố họ là công ty đầu tiên trên thế giới cung cấp mẫu HBM4 12 lớp cho các khách hàng lớn. SK Hynix khi đó cho biết: "Dựa trên năng lực công nghệ và kinh nghiệm sản xuất đã dẫn dắt thị trường HBM, chúng tôi đã xuất xưởng mẫu HBM4 12 tầng sớm hơn kế hoạch ban đầu và bắt đầu quy trình chứng nhận với khách hàng. Chúng tôi cũng sẽ hoàn thành việc chuẩn bị sản xuất hàng loạt trong nửa cuối năm nay để củng cố vị thế của mình trên thị trường bộ nhớ AI thế hệ tiếp theo."
Trong cuộc cạnh tranh HBM4, SK Hynix đang củng cố vị thế dẫn đầu. Khi bước vào kỷ nguyên chip bán dẫn trí tuệ nhân tạo (AI), thị trường HBM đang bùng nổ và SK Hynix đang ở vị trí trung tâm. SK Hynix đã xây dựng mối quan hệ hợp tác chặt chẽ với Nvidia và đang dẫn dắt thị trường. CEO Nvidia Jensen Huang, tại triển lãm công nghệ thông tin lớn nhất châu Á Computex 2025 diễn ra ở Đài Loan vào tháng trước, đã để lại dòng chữ "Tôi yêu SK Hynix" trên sản phẩm trưng bày của SK Hynix, một lần nữa thể hiện sự tin tưởng vững chắc giữa hai bên.
Samsung Electronics cũng đang tiến hành phát triển HBM4 với mục tiêu sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm, phù hợp với lịch trình của các khách hàng. Tuy nhiên, công ty vốn luôn giữ vững ngôi vương tuyệt đối trên thị trường DRAM, lại đang gặp khó khăn ở thị trường HBM. Sau khi bỏ lỡ cơ hội trong giai đoạn đầu, Samsung đang nỗ lực khôi phục năng lực cạnh tranh nhưng liên tục bị các đối thủ SK Hynix và Micron bỏ lại phía sau.
Đối với HBM3E, sản phẩm chủ lực hiện tại trên thị trường, SK Hynix đã bán hết toàn bộ sản lượng trong năm nay, Micron cũng đang cung cấp cả sản phẩm HBM3E 8 tầng và 12 tầng cho Nvidia. Samsung Electronics đã cố gắng vượt qua bài kiểm tra chất lượng (qual test) HBM3E của Nvidia từ năm ngoái nhưng đến giờ vẫn chưa có thông báo thành công.
Việc Samsung Electronics "hụt hơi" trong mảng HBM đang dẫn đến những biến động trên thị trường DRAM, do tỷ trọng HBM trong DRAM ngày càng tăng. Thực tế, trong quý 1 năm nay, SK Hynix đã lần đầu tiên sau hơn 30 năm vượt qua Samsung Electronics để chiếm vị trí số 1 về thị phần DRAM toàn cầu. Theo công ty nghiên cứu thị trường Omdia, SK Hynix chiếm 36,9% thị phần DRAM trong quý 1 năm nay, vượt qua Samsung Electronics (34,4%) để giành vị trí số 1. Thị phần của SK Hynix tăng 0,9% so với quý trước, trong khi Samsung Electronics giảm 1,6% trong cùng kỳ.
Một điểm đáng chú ý nữa là sự bứt phá của Micron. Trong cùng kỳ, thị phần Micron là 25%, vẫn ở vị trí thứ ba nhưng đã có những bước tiến đáng kể. Thị phần tăng 3% so với quý trước và tăng 3,9% so với một năm trước. Đây được cho là kết quả của những động thái mạnh mẽ của Micron trong cuộc cạnh tranh HBM bao gồm mở rộng năng lực sản xuất liên quan.
Do đó, có những ý kiến cho rằng nếu Samsung Electronics tiếp tục bỏ lỡ cơ hội trên thị trường HBM4, họ có thể sẽ bị Micron vượt mặt cả trên thị trường DRAM. Khoảng cách giữa Samsung Electronics và Micron đã thu hẹp nhanh chóng từ 22,3% trong quý 1 năm ngoái xuống còn 9,4% trong quý 1 năm nay. Tuy nhiên, thị trường vẫn cho rằng Samsung Electronics còn năng lực cạnh tranh trong lĩnh vực DRAM phổ thông, có thể tìm kiếm cơ hội đảo ngược tình thế trong cuộc cạnh tranh HBM4.
Một quan chức trong ngành nhận định: "Mặc dù Micron đã bỏ qua HBM3 (HBM thế hệ thứ tư) và đi thẳng lên HBM3E, họ vẫn đang nhanh chóng nâng cao năng lực công nghệ và mở rộng thị phần. Tuy nhiên, việc vượt qua [Samsung] trong thời gian ngắn sẽ không dễ dàng."
Vị này nói thêm: "Tất nhiên, tỷ trọng HBM trên thị trường DRAM đang tăng lên, nếu Samsung Electronics lại bỏ lỡ cơ hội, có khả năng họ sẽ bị Micron bắt kịp. Nhưng hiện tại khoảng cách vẫn còn khá lớn và nếu thị trường DRAM phổ thông phục hồi trong tương lai và năng lực cạnh tranh HBM được cải thiện, Samsung Electronics có thể nhanh chóng giành lại vị trí số 1 về thị phần."
Cuộc chiến HBM4 hứa hẹn sẽ còn nhiều diễn biến phức tạp và bất ngờ. Sự cạnh tranh khốc liệt giữa SK Hynix, Micron và Samsung Electronics sẽ định hình tương lai của thị trường bộ nhớ hiệu suất cao, một yếu tố then chốt cho sự phát triển của kỷ nguyên AI.
Micron giải thích sản phẩm HBM4 của họ có hiệu suất và hiệu quả sử dụng năng lượng cải thiện lần lượt 60% và 20% so với thế hệ trước (HBM3E thế hệ thứ năm). Micron cũng nhấn mạnh: "Hiệu suất, băng thông cao hơn và hiệu quả năng lượng hàng đầu trong ngành của HBM4 là bằng chứng cho sự dẫn đầu về công nghệ và sản phẩm bộ nhớ của chúng tôi." Mặc dù Micron không tiết lộ cụ thể tên các khách hàng đã nhận mẫu HBM4, nhưng có thể dự đoán rằng Nvidia cũng nằm trong số đó.
Micron không phải là công ty đầu tiên thông báo về việc cung cấp mẫu HBM4. Trước đó, vào tháng 3, SK Hynix đã công bố họ là công ty đầu tiên trên thế giới cung cấp mẫu HBM4 12 lớp cho các khách hàng lớn. SK Hynix khi đó cho biết: "Dựa trên năng lực công nghệ và kinh nghiệm sản xuất đã dẫn dắt thị trường HBM, chúng tôi đã xuất xưởng mẫu HBM4 12 tầng sớm hơn kế hoạch ban đầu và bắt đầu quy trình chứng nhận với khách hàng. Chúng tôi cũng sẽ hoàn thành việc chuẩn bị sản xuất hàng loạt trong nửa cuối năm nay để củng cố vị thế của mình trên thị trường bộ nhớ AI thế hệ tiếp theo."
Trong cuộc cạnh tranh HBM4, SK Hynix đang củng cố vị thế dẫn đầu. Khi bước vào kỷ nguyên chip bán dẫn trí tuệ nhân tạo (AI), thị trường HBM đang bùng nổ và SK Hynix đang ở vị trí trung tâm. SK Hynix đã xây dựng mối quan hệ hợp tác chặt chẽ với Nvidia và đang dẫn dắt thị trường. CEO Nvidia Jensen Huang, tại triển lãm công nghệ thông tin lớn nhất châu Á Computex 2025 diễn ra ở Đài Loan vào tháng trước, đã để lại dòng chữ "Tôi yêu SK Hynix" trên sản phẩm trưng bày của SK Hynix, một lần nữa thể hiện sự tin tưởng vững chắc giữa hai bên.
Samsung Electronics cũng đang tiến hành phát triển HBM4 với mục tiêu sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm, phù hợp với lịch trình của các khách hàng. Tuy nhiên, công ty vốn luôn giữ vững ngôi vương tuyệt đối trên thị trường DRAM, lại đang gặp khó khăn ở thị trường HBM. Sau khi bỏ lỡ cơ hội trong giai đoạn đầu, Samsung đang nỗ lực khôi phục năng lực cạnh tranh nhưng liên tục bị các đối thủ SK Hynix và Micron bỏ lại phía sau.
Đối với HBM3E, sản phẩm chủ lực hiện tại trên thị trường, SK Hynix đã bán hết toàn bộ sản lượng trong năm nay, Micron cũng đang cung cấp cả sản phẩm HBM3E 8 tầng và 12 tầng cho Nvidia. Samsung Electronics đã cố gắng vượt qua bài kiểm tra chất lượng (qual test) HBM3E của Nvidia từ năm ngoái nhưng đến giờ vẫn chưa có thông báo thành công.
Việc Samsung Electronics "hụt hơi" trong mảng HBM đang dẫn đến những biến động trên thị trường DRAM, do tỷ trọng HBM trong DRAM ngày càng tăng. Thực tế, trong quý 1 năm nay, SK Hynix đã lần đầu tiên sau hơn 30 năm vượt qua Samsung Electronics để chiếm vị trí số 1 về thị phần DRAM toàn cầu. Theo công ty nghiên cứu thị trường Omdia, SK Hynix chiếm 36,9% thị phần DRAM trong quý 1 năm nay, vượt qua Samsung Electronics (34,4%) để giành vị trí số 1. Thị phần của SK Hynix tăng 0,9% so với quý trước, trong khi Samsung Electronics giảm 1,6% trong cùng kỳ.
Một điểm đáng chú ý nữa là sự bứt phá của Micron. Trong cùng kỳ, thị phần Micron là 25%, vẫn ở vị trí thứ ba nhưng đã có những bước tiến đáng kể. Thị phần tăng 3% so với quý trước và tăng 3,9% so với một năm trước. Đây được cho là kết quả của những động thái mạnh mẽ của Micron trong cuộc cạnh tranh HBM bao gồm mở rộng năng lực sản xuất liên quan.
Do đó, có những ý kiến cho rằng nếu Samsung Electronics tiếp tục bỏ lỡ cơ hội trên thị trường HBM4, họ có thể sẽ bị Micron vượt mặt cả trên thị trường DRAM. Khoảng cách giữa Samsung Electronics và Micron đã thu hẹp nhanh chóng từ 22,3% trong quý 1 năm ngoái xuống còn 9,4% trong quý 1 năm nay. Tuy nhiên, thị trường vẫn cho rằng Samsung Electronics còn năng lực cạnh tranh trong lĩnh vực DRAM phổ thông, có thể tìm kiếm cơ hội đảo ngược tình thế trong cuộc cạnh tranh HBM4.
Một quan chức trong ngành nhận định: "Mặc dù Micron đã bỏ qua HBM3 (HBM thế hệ thứ tư) và đi thẳng lên HBM3E, họ vẫn đang nhanh chóng nâng cao năng lực công nghệ và mở rộng thị phần. Tuy nhiên, việc vượt qua [Samsung] trong thời gian ngắn sẽ không dễ dàng."
Vị này nói thêm: "Tất nhiên, tỷ trọng HBM trên thị trường DRAM đang tăng lên, nếu Samsung Electronics lại bỏ lỡ cơ hội, có khả năng họ sẽ bị Micron bắt kịp. Nhưng hiện tại khoảng cách vẫn còn khá lớn và nếu thị trường DRAM phổ thông phục hồi trong tương lai và năng lực cạnh tranh HBM được cải thiện, Samsung Electronics có thể nhanh chóng giành lại vị trí số 1 về thị phần."
Cuộc chiến HBM4 hứa hẹn sẽ còn nhiều diễn biến phức tạp và bất ngờ. Sự cạnh tranh khốc liệt giữa SK Hynix, Micron và Samsung Electronics sẽ định hình tương lai của thị trường bộ nhớ hiệu suất cao, một yếu tố then chốt cho sự phát triển của kỷ nguyên AI.
