8GB hay 16GB RAM có thể sớm trở thành quá khứ, khi Samsung đang đẩy mạnh thế hệ mô-đun bộ nhớ tiếp theo. Samsung vừa giới thiệu thanh RAM DDR5 512GB chạy ở tốc độ 7.200Mbps.
Mô-đun mới này dự kiến sẽ được sử dụng trong các máy chủ, thực hiện “các workload băng thông cao, cần khả năng tính toán khắc nghiệt nhất.” Điều đó có nghĩa là các siêu máy tính, trí tuệ nhân tạo và máy học. Để có được như vậy, Samsung đã áp dụng công nghệ HKMG tiên tiến mà công ty cũng từng triển khai cho bộ nhớ GDDR6 của mình hồi năm 2018. Về cơ bản, HKMG thay thế lớp cách điện trong cấu trúc DRAM. Vật liệu cách điện cao đó được chứa trong lớp một lớp phủ có khả năng giảm rò rỉ dòng điện, từ đó mang đến hiệu năng cao hơn. Đồng thời, Samsung đã giảm được 13% mức sử dụng năng lượng trong mô-đun mới.
Young-Soo Sohn, Phó chủ tịch Nhóm Hoạch định/Kích hoạt Bộ nhớ DRAM tại Samsung Electronics, cho biết: “Samsung là công ty bán dẫn duy nhất có các khả năng logic và bộ nhớ cũng như chuyên môn để kết hợp công nghệ logic tiên tiến HKMG vào việc phát triển sản phẩm bộ nhớ. Bằng cách đưa loại đổi mới quy trình này vào sản xuất DRAM, chúng tôi có thể mang đến những giải pháp hiệu năng cao, hiệu quả năng lượng chưa từng có cho khách hàng nhằm đưa vào các chiếc máy tính cần thiết cho mục đích nghiên cứu y tế, thị trường tài chính, lái xe tự hành, thành phố thông minh và hơn thế nữa.”
Mỗi mô-đun DDR5 512GB được xây dựng từ 8 lớp chip DRAM 16Gb kết nối với nhau để thực hiện cấu trúc 3D bằng cách sử dụng công nghệ TSV (through-silicon via). Và dù người tiêu dùng sẽ không mua được và chắc chắn không cần đến những mô-đun RAM 512GB, nhưng các mô-đun siêu nhanh tương tự cuối cùng cũng sẽ được đưa xuống thị trường tiêu dùng. DDR5 đã bắt đầu xuất hiện nhằm thay thế cho DDR4 và các bộ xử lý Alder Lake mới nhất của Intel cũng đã hỗ trợ DDR5.
Nguồn: PCMag
Young-Soo Sohn, Phó chủ tịch Nhóm Hoạch định/Kích hoạt Bộ nhớ DRAM tại Samsung Electronics, cho biết: “Samsung là công ty bán dẫn duy nhất có các khả năng logic và bộ nhớ cũng như chuyên môn để kết hợp công nghệ logic tiên tiến HKMG vào việc phát triển sản phẩm bộ nhớ. Bằng cách đưa loại đổi mới quy trình này vào sản xuất DRAM, chúng tôi có thể mang đến những giải pháp hiệu năng cao, hiệu quả năng lượng chưa từng có cho khách hàng nhằm đưa vào các chiếc máy tính cần thiết cho mục đích nghiên cứu y tế, thị trường tài chính, lái xe tự hành, thành phố thông minh và hơn thế nữa.”
Mỗi mô-đun DDR5 512GB được xây dựng từ 8 lớp chip DRAM 16Gb kết nối với nhau để thực hiện cấu trúc 3D bằng cách sử dụng công nghệ TSV (through-silicon via). Và dù người tiêu dùng sẽ không mua được và chắc chắn không cần đến những mô-đun RAM 512GB, nhưng các mô-đun siêu nhanh tương tự cuối cùng cũng sẽ được đưa xuống thị trường tiêu dùng. DDR5 đã bắt đầu xuất hiện nhằm thay thế cho DDR4 và các bộ xử lý Alder Lake mới nhất của Intel cũng đã hỗ trợ DDR5.
Nguồn: PCMag
