Mạnh Quân✔
Writer
ChangXin Memory Technologies (CXMT), nhà sản xuất bộ nhớ DRAM lớn của Trung Quốc, vừa công bố đưa nền tảng công nghệ DRAM thế hệ thứ năm, G5, vào sản xuất hàng loạt. Công nghệ mới giúp tăng đáng kể mật độ lưu trữ và số lượng chip có thể sản xuất trên mỗi tấm wafer so với thế hệ trước.
Thông tin được CXMT công bố tại Hội nghị Sản xuất Thế giới 2026. Theo hãng, trên nền tảng G5, half-pitch của vùng active array đã được thu nhỏ xuống 11,95 nm. Tỷ lệ chiều sâu trên chiều rộng của tụ điện bộ nhớ đạt 45:1, trong khi chiều cao vùng active lõi được giảm xuống 6.762 nm.
Những thay đổi này giúp tăng mật độ bộ nhớ trên cùng một diện tích silicon. CXMT cho biết nếu so sánh trên cùng cơ sở chip 8 Gb, số lượng die có thể thu được từ mỗi wafer tăng ít nhất 50% so với nền tảng G4 trước đó.
Con số này không có nghĩa năng lực sản xuất của nhà máy tự động tăng 50%. Việc thu nhỏ kích thước chip cho phép bố trí nhiều die hơn trên cùng một wafer, qua đó tạo điều kiện giảm chi phí sản xuất trên mỗi chip nếu tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn, hay yield, được duy trì ở mức cao.
LPDDR5X hướng đến smartphone trung và cao cấp
Cùng với G5, CXMT đã đưa vào sản xuất quy mô lớn hai sản phẩm LPDDR5X mới có dung lượng 24 Gb mỗi die. Cần phân biệt con số 24 Gb này với các giải pháp bộ nhớ có tổng dung lượng 24 GB được sử dụng trên thiết bị hoàn chỉnh.
CXMT trước đó đã công bố sản xuất hàng loạt LPDDR5X vào tháng 10/2025, với các giải pháp dung lượng 12 GB, 16 GB và 24 GB, cùng module LPCAMM2 dung lượng 16 GB và 32 GB. Các sản phẩm LPDDR5X của hãng hướng tới smartphone, máy tính và các thiết bị điện tử yêu cầu bộ nhớ tốc độ cao, tiêu thụ điện năng thấp.
Việc tiếp tục đưa LPDDR5X dựa trên G5 vào sản xuất cho thấy CXMT đang mở rộng từ các thế hệ DRAM truyền thống sang những phân khúc bộ nhớ có yêu cầu cao hơn về mật độ, tốc độ và hiệu quả năng lượng.
Điểm đáng chú ý nằm ở công nghệ sản xuất
Một trong những chi tiết đáng quan tâm của G5 là CXMT sử dụng kỹ thuật SAQP, hay Self-Aligned Quadruple Patterning, để tạo ra các cấu trúc có kích thước nhỏ hơn giới hạn có thể đạt được bằng một lần quang khắc thông thường.
Về nguyên lý, kỹ thuật này sử dụng nhiều bước tạo mẫu để tiếp tục thu nhỏ các cấu trúc trên chip. Đổi lại, quy trình sản xuất phức tạp hơn và đặt ra yêu cầu cao hơn về kiểm soát sai số giữa các công đoạn.
Việc G5 bước vào sản xuất hàng loạt vì vậy có ý nghĩa lớn hơn việc CXMT đơn thuần giới thiệu thêm một sản phẩm LPDDR5X. Nó cho thấy hãng đã đưa một quy trình DRAM có kích thước hình học nhỏ hơn vào giai đoạn sản xuất thương mại.
Khoảng cách với Samsung, SK Hynix và Micron vẫn cần được đánh giá bằng nhiều tiêu chí
CXMT cho rằng G5 đang tiến gần các nền tảng DRAM sản xuất hàng loạt tiên tiến trên thế giới. Sự phát triển này cũng cho thấy ngành bộ nhớ Trung Quốc đang tiếp tục thu hẹp khoảng cách công nghệ với các nhà sản xuất quốc tế.
Tuy vậy, chỉ dựa vào con số 11,95 nm chưa đủ để kết luận CXMT đã đạt trình độ tương đương Samsung Electronics, SK Hynix hay Micron.
Đối với DRAM, năng lực công nghệ còn phụ thuộc vào nhiều yếu tố như mật độ bit, tỷ lệ chip đạt chuẩn, hiệu suất năng lượng, tốc độ bộ nhớ, độ ổn định, chi phí sản xuất và khả năng mở rộng sản lượng. Ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn hiện cũng đã phát triển những thế hệ DRAM mới hơn và đang cạnh tranh mạnh trong các lĩnh vực như DDR5, LPDDR5X và đặc biệt là HBM phục vụ AI.
Vì vậy, cột mốc G5 có thể được xem là một bước tiến đáng kể của CXMT trong quá trình phát triển DRAM tiên tiến. Ý nghĩa thực tế của công nghệ này sẽ rõ hơn khi có thêm dữ liệu về sản lượng, yield, giá thành cũng như mức độ sử dụng các sản phẩm G5 trong thiết bị thương mại.
Trong ngắn hạn, tác động dễ nhận thấy nhất có thể nằm ở thị trường Trung Quốc, nơi CXMT có cơ hội cung cấp thêm nguồn DRAM nội địa cho smartphone, máy tính và các thiết bị điện tử. Về dài hạn, khả năng cạnh tranh của G5 sẽ phụ thuộc vào việc CXMT có thể duy trì hiệu quả sản xuất và tiếp tục thu hẹp khoảng cách với các thế hệ DRAM mới của Samsung, SK Hynix và Micron hay không.
Thông tin được CXMT công bố tại Hội nghị Sản xuất Thế giới 2026. Theo hãng, trên nền tảng G5, half-pitch của vùng active array đã được thu nhỏ xuống 11,95 nm. Tỷ lệ chiều sâu trên chiều rộng của tụ điện bộ nhớ đạt 45:1, trong khi chiều cao vùng active lõi được giảm xuống 6.762 nm.
Những thay đổi này giúp tăng mật độ bộ nhớ trên cùng một diện tích silicon. CXMT cho biết nếu so sánh trên cùng cơ sở chip 8 Gb, số lượng die có thể thu được từ mỗi wafer tăng ít nhất 50% so với nền tảng G4 trước đó.
Con số này không có nghĩa năng lực sản xuất của nhà máy tự động tăng 50%. Việc thu nhỏ kích thước chip cho phép bố trí nhiều die hơn trên cùng một wafer, qua đó tạo điều kiện giảm chi phí sản xuất trên mỗi chip nếu tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn, hay yield, được duy trì ở mức cao.
LPDDR5X hướng đến smartphone trung và cao cấp
Cùng với G5, CXMT đã đưa vào sản xuất quy mô lớn hai sản phẩm LPDDR5X mới có dung lượng 24 Gb mỗi die. Cần phân biệt con số 24 Gb này với các giải pháp bộ nhớ có tổng dung lượng 24 GB được sử dụng trên thiết bị hoàn chỉnh.
CXMT trước đó đã công bố sản xuất hàng loạt LPDDR5X vào tháng 10/2025, với các giải pháp dung lượng 12 GB, 16 GB và 24 GB, cùng module LPCAMM2 dung lượng 16 GB và 32 GB. Các sản phẩm LPDDR5X của hãng hướng tới smartphone, máy tính và các thiết bị điện tử yêu cầu bộ nhớ tốc độ cao, tiêu thụ điện năng thấp.
Việc tiếp tục đưa LPDDR5X dựa trên G5 vào sản xuất cho thấy CXMT đang mở rộng từ các thế hệ DRAM truyền thống sang những phân khúc bộ nhớ có yêu cầu cao hơn về mật độ, tốc độ và hiệu quả năng lượng.
Điểm đáng chú ý nằm ở công nghệ sản xuất
Một trong những chi tiết đáng quan tâm của G5 là CXMT sử dụng kỹ thuật SAQP, hay Self-Aligned Quadruple Patterning, để tạo ra các cấu trúc có kích thước nhỏ hơn giới hạn có thể đạt được bằng một lần quang khắc thông thường.
Về nguyên lý, kỹ thuật này sử dụng nhiều bước tạo mẫu để tiếp tục thu nhỏ các cấu trúc trên chip. Đổi lại, quy trình sản xuất phức tạp hơn và đặt ra yêu cầu cao hơn về kiểm soát sai số giữa các công đoạn.
Việc G5 bước vào sản xuất hàng loạt vì vậy có ý nghĩa lớn hơn việc CXMT đơn thuần giới thiệu thêm một sản phẩm LPDDR5X. Nó cho thấy hãng đã đưa một quy trình DRAM có kích thước hình học nhỏ hơn vào giai đoạn sản xuất thương mại.
Khoảng cách với Samsung, SK Hynix và Micron vẫn cần được đánh giá bằng nhiều tiêu chí
CXMT cho rằng G5 đang tiến gần các nền tảng DRAM sản xuất hàng loạt tiên tiến trên thế giới. Sự phát triển này cũng cho thấy ngành bộ nhớ Trung Quốc đang tiếp tục thu hẹp khoảng cách công nghệ với các nhà sản xuất quốc tế.
Tuy vậy, chỉ dựa vào con số 11,95 nm chưa đủ để kết luận CXMT đã đạt trình độ tương đương Samsung Electronics, SK Hynix hay Micron.
Đối với DRAM, năng lực công nghệ còn phụ thuộc vào nhiều yếu tố như mật độ bit, tỷ lệ chip đạt chuẩn, hiệu suất năng lượng, tốc độ bộ nhớ, độ ổn định, chi phí sản xuất và khả năng mở rộng sản lượng. Ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn hiện cũng đã phát triển những thế hệ DRAM mới hơn và đang cạnh tranh mạnh trong các lĩnh vực như DDR5, LPDDR5X và đặc biệt là HBM phục vụ AI.
Vì vậy, cột mốc G5 có thể được xem là một bước tiến đáng kể của CXMT trong quá trình phát triển DRAM tiên tiến. Ý nghĩa thực tế của công nghệ này sẽ rõ hơn khi có thêm dữ liệu về sản lượng, yield, giá thành cũng như mức độ sử dụng các sản phẩm G5 trong thiết bị thương mại.
Trong ngắn hạn, tác động dễ nhận thấy nhất có thể nằm ở thị trường Trung Quốc, nơi CXMT có cơ hội cung cấp thêm nguồn DRAM nội địa cho smartphone, máy tính và các thiết bị điện tử. Về dài hạn, khả năng cạnh tranh của G5 sẽ phụ thuộc vào việc CXMT có thể duy trì hiệu quả sản xuất và tiếp tục thu hẹp khoảng cách với các thế hệ DRAM mới của Samsung, SK Hynix và Micron hay không.
