Sasha
Writer
Điện thoại thông minh đang gặp phải vấn đề về bộ nhớ, và đây không phải là vấn đề có thể giải quyết bằng bản cập nhật phần mềm. Như bạn đã biết, các nhà sản xuất điện thoại đang cố gắng chạy các mô hình AI lớn hơn trực tiếp trên thiết bị, và may mắn thay, bộ xử lý di động có khả năng chạy các mô hình LLM này cục bộ.
Tuy nhiên, công nghệ bộ nhớ LPDDR hiện tại có những hạn chế về tốc độ cung cấp dữ liệu cho các bộ xử lý này. Đó là một lý do tại sao các trung tâm dữ liệu AI dựa vào HBM (bộ nhớ băng thông cao).
Theo một báo cáo mới, một định dạng bộ nhớ mới có tên LLW - viết tắt của Low Latency Wide DRAM (DRAM độ trễ thấp, băng thông rộng) - đang được phát triển để giải quyết chính xác vấn đề đó.
LLW có thể là giải pháp HBM cho điện thoại thông minh
LLW được cho là lấy cảm hứng từ HBM, đạt được tốc độ cao bằng cách đặt nhiều lớp bộ nhớ gần bộ xử lý và kết nối chúng thông qua một giao diện cực rộng. Kết quả là băng thông cao hơn đáng kể, nhanh hơn từ 10 đến 15 lần so với bộ nhớ LPDDR tốt nhất hiện nay.
Tuy nhiên, HBM cũng đòi hỏi các giải pháp đóng gói và làm mát phức tạp, không thực tế đối với điện thoại thông minh. LLW được kỳ vọng sẽ giải quyết vấn đề này bằng cách cung cấp băng thông lớn hơn và độ trễ thấp hơn so với bộ nhớ LPDDR thông thường mà không gây ra các hạn chế về nhiệt và không gian như thiết kế bộ nhớ xếp chồng.
Tuy nhiên, cần thận trọng với những tuyên bố này. Thông tin hiện có đến từ các blogger và người cung cấp tin tức trong ngành chứ không phải từ các thông báo chính thức của các công ty.
Nhân tiện, một thông tin rò rỉ từ người cung cấp tin tức Fixed Focus Digital cho thấy LLW có thể giảm mức tiêu thụ điện năng khoảng 50% trong khi cải thiện hiệu năng khoảng 1,5 lần.
Về khả năng khả dụng, thông tin rò rỉ tương tự cho thấy LLW vẫn còn vài năm nữa mới được áp dụng rộng rãi. Cụ thể hơn, phải đến nửa cuối năm 2027 chúng ta mới có thể kỳ vọng vào việc triển khai quy mô lớn hơn. Xiaomi và Huawei được cho là những công ty tiềm năng tiên phong áp dụng công nghệ này, mặc dù cả hai công ty đều chưa công khai thảo luận về nó.
Tuy nhiên, công nghệ bộ nhớ LPDDR hiện tại có những hạn chế về tốc độ cung cấp dữ liệu cho các bộ xử lý này. Đó là một lý do tại sao các trung tâm dữ liệu AI dựa vào HBM (bộ nhớ băng thông cao).
Theo một báo cáo mới, một định dạng bộ nhớ mới có tên LLW - viết tắt của Low Latency Wide DRAM (DRAM độ trễ thấp, băng thông rộng) - đang được phát triển để giải quyết chính xác vấn đề đó.
LLW có thể là giải pháp HBM cho điện thoại thông minh
LLW được cho là lấy cảm hứng từ HBM, đạt được tốc độ cao bằng cách đặt nhiều lớp bộ nhớ gần bộ xử lý và kết nối chúng thông qua một giao diện cực rộng. Kết quả là băng thông cao hơn đáng kể, nhanh hơn từ 10 đến 15 lần so với bộ nhớ LPDDR tốt nhất hiện nay.
Tuy nhiên, HBM cũng đòi hỏi các giải pháp đóng gói và làm mát phức tạp, không thực tế đối với điện thoại thông minh. LLW được kỳ vọng sẽ giải quyết vấn đề này bằng cách cung cấp băng thông lớn hơn và độ trễ thấp hơn so với bộ nhớ LPDDR thông thường mà không gây ra các hạn chế về nhiệt và không gian như thiết kế bộ nhớ xếp chồng.
Tuy nhiên, cần thận trọng với những tuyên bố này. Thông tin hiện có đến từ các blogger và người cung cấp tin tức trong ngành chứ không phải từ các thông báo chính thức của các công ty.
Nhân tiện, một thông tin rò rỉ từ người cung cấp tin tức Fixed Focus Digital cho thấy LLW có thể giảm mức tiêu thụ điện năng khoảng 50% trong khi cải thiện hiệu năng khoảng 1,5 lần.
Về khả năng khả dụng, thông tin rò rỉ tương tự cho thấy LLW vẫn còn vài năm nữa mới được áp dụng rộng rãi. Cụ thể hơn, phải đến nửa cuối năm 2027 chúng ta mới có thể kỳ vọng vào việc triển khai quy mô lớn hơn. Xiaomi và Huawei được cho là những công ty tiềm năng tiên phong áp dụng công nghệ này, mặc dù cả hai công ty đều chưa công khai thảo luận về nó.
